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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):現(xiàn)代焊接技術(shù)的智能化革新
隨著科技的不斷進(jìn)步和制造業(yè)的快速發(fā)展,焊接技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和升級。電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)作為現(xiàn)代焊接技術(shù)的重要代表,憑借其高效、智能、精準(zhǔn)的特點(diǎn),逐漸成為...
英特爾競購High-NA EUV設(shè)備,臺積電決定回避
另一方面,臺積電的年度技術(shù)論壇正在美國和歐洲如火如荼地進(jìn)行,備受世人矚目的是該公司計(jì)劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù),該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級電軌架構(gòu)。
據(jù)了解,當(dāng)薄膜晶體管(TFT)向OLED顯示屏輸送不同電流時(shí),部分單元無法獲得適宜電壓,進(jìn)而在屏幕上形成黑斑,導(dǎo)致顆粒感產(chǎn)生。
互聯(lián)網(wǎng)檔案館收錄Windows XP定制鏡像,支持i486處理器運(yùn)行
需要說明的是,這種被稱之為i486的x86處理器,首次內(nèi)置超過百萬個(gè)晶體管,準(zhǔn)確來說是120萬個(gè),然而它的發(fā)布日期為1989年,而微軟的WindowsX...
臺積電3nm工藝節(jié)點(diǎn)步入正軌,N3P預(yù)計(jì)2024年下半年量產(chǎn)
在N3P上,公司利用之前的N3E工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化升級,以提升整體能效及晶體管密度。據(jù)介紹,N3E工藝節(jié)點(diǎn)的良率已達(dá)到與5納米成熟工藝相當(dāng)?shù)乃健?/p>
臺積電N3P工藝新品投產(chǎn),性能提質(zhì)、成本減負(fù)
N3E工藝的批量生產(chǎn)預(yù)期如期進(jìn)行,其缺陷密度與2020年量產(chǎn)的N5工藝相當(dāng)。臺積電對N3E的良率評價(jià)頗高,目前僅有的采用N3E的處理器——蘋果M4,其晶...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半...
英特爾逐步停止Ponte Vecchio GPU生產(chǎn),專注于Gaudi 2/3產(chǎn)品
這款GPU是英特爾在2022年正式宣布推出的,它擁有超過1000億個(gè)晶體管,旨在推動(dòng)公司進(jìn)入更廣泛的AI和高性能計(jì)算領(lǐng)域。
此項(xiàng)專利中,申請人提出了一種全新的光電子集成基板以及其制造方法,并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出了相應(yīng)的光電子集成電路。這種集成基板主要由襯底、電子元件和光學(xué)元件三部...
英特爾正在順利推進(jìn)的Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)
英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),目前,Intel 7,采用EUV(極紫外光刻)技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
士蘭微電子電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊與智能功率模塊榮獲專利
此項(xiàng)發(fā)明揭示了一種用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的集成電路模塊及功率模塊。該模塊包含引線框架,其上設(shè)有多個(gè)管芯墊和管腳,并固定有多個(gè)高側(cè)晶體管、低側(cè)晶體管、第一柵極驅(qū)動(dòng)芯...
2024-05-10 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管士蘭微 1.6k 0
Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odysse...
Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今天宣布達(dá)成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN...
74LS04:經(jīng)典反相器芯片的工作原理和應(yīng)用解析
74LS04,作為TTL(晶體管-晶體管邏輯)系列中的一員,是數(shù)字邏輯電路中的重要組件之一,具有六通道反相器的功能。以下是對74LS04的詳細(xì)解析: 7...
比斯特自動(dòng)化|晶體管精密點(diǎn)焊機(jī)特性深度解析:節(jié)能環(huán)保與廣泛應(yīng)用
晶體管精密點(diǎn)焊機(jī)作為一種先進(jìn)的焊接設(shè)備,在多個(gè)領(lǐng)域中都得到了廣泛的應(yīng)用。其獨(dú)特的工作原理和卓越性能,使得它在焊接過程中表現(xiàn)出色。本文比斯特自動(dòng)化小編將為...
臺積電A16采用背面供電技術(shù),提升運(yùn)算效能并降低功耗
隨著晶體管尺寸減小、密度增加以及堆疊層數(shù)增多,為晶體管提供電源和傳輸數(shù)據(jù)信號變得愈發(fā)困難,需穿越10至20層堆棧,使得線路設(shè)計(jì)難度大幅提升。
2024-05-07 標(biāo)簽:臺積電晶體管傳輸數(shù)據(jù) 1.3k 0
現(xiàn)代DRAM內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德離世
一次偶然的機(jī)會(huì),登納德靈光一閃,想到利用單個(gè)晶體管中的電容正負(fù)極來記錄數(shù)據(jù),并通過反復(fù)充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。
OTP低功耗語音芯片的工作原理:在于其獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)以及先進(jìn)的制程技術(shù)。該芯片采用了先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)策略,包括低漏電晶體管、動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整以及智能休眠模式...
SEMI首席分析師曾瑞榆預(yù)測,半導(dǎo)體銷售額預(yù)計(jì)將在2024年和2025年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長。其中,半導(dǎo)體設(shè)備和材料市場將在2024年出現(xiàn)改善,隨后在2025...
2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶體管人工智能 1.2k 0
AMD與臺積電聯(lián)手推動(dòng)先進(jìn)工藝發(fā)展
展望未來,臺積電正通過多個(gè)方向推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展:包括硅光子學(xué)的研發(fā)、與DRAM廠商在HBM領(lǐng)域的深度合作以及探索將3D堆疊技術(shù)應(yīng)用于晶體管層級的C...
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