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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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晶體和非晶體的區(qū)別? 晶體和非晶體是固體材料的兩種基本結(jié)構(gòu)形態(tài)。晶體由具有規(guī)則排列的原子、離子或分子組成,而非晶體則是由無(wú)規(guī)則排列的原子、離子或分子組成...
igbt的作用和功能? IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種用于功率電子器件中的...
源極和漏極的區(qū)別? 源極和漏極是晶體管中的兩個(gè)重要極,它們?cè)诰w管的工作過(guò)程中起著關(guān)鍵作用。源極與漏極之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:電流流向、電位關(guān)...
為什么BJT比CMOS速度要快? BJT(雙極性晶體管)和CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種常見的晶體管技術(shù),分別用于電子設(shè)備和集成電路中。在某些方...
CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)? CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)是一種廣泛應(yīng)用的集成電路(IC...
相反,如果我們將np結(jié)焊接到pn結(jié)上,我們就會(huì)得到如圖2所示的器件,其中E、B和C在摻雜方面的作用顛倒了。結(jié)果就是一個(gè)NPN型晶體管。在這兩種配置中,器...
涉嫌侵犯晶體管專利 意法半導(dǎo)體被判賠3250萬(wàn)美元
該陪審員同意了普度的意見,即電動(dòng)汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管(mosfet)侵害了高電壓電源應(yīng)用(high powe...
2023-12-06 標(biāo)簽:充電器晶體管電源應(yīng)用 1.5k 0
2nm意味著什么?2nm何時(shí)到來(lái)?它與3nm有何不同?
3nm工藝剛量產(chǎn),業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了,并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn),同樣也考驗(yàn)著EDA公司,以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)...
三星去年6月底開始量產(chǎn)第一代3納米GAA(SF3E)制程,這是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù)。第二代3納米制程3GAP(SF3)將采用第二代MB...
美媒:美公司研發(fā)用鉆石改造傳感器,可避免雷達(dá)過(guò)熱
為了解決過(guò)熱問題,雷神公司正在尋求將實(shí)驗(yàn)室制造的鉆石與軍用晶體管和電路結(jié)合起來(lái),因?yàn)殂@石以極高的導(dǎo)熱性著稱。該公司正與美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室、斯坦福大學(xué)和美...
MOS的三個(gè)極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
2023-11-30 標(biāo)簽:晶體管MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.9k 0
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一,尤其是雙極結(jié)型晶體管(BJT),在眾多應(yīng)用中扮演著開關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型...
功率半導(dǎo)體有多種類型,我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多?;旧希泄β拾雽?dǎo)體器件都可以分為三類:二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 標(biāo)簽:二極管晶體管功率半導(dǎo)體 2k 0
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)IA-64架構(gòu)處理器
IA- 64 架構(gòu)處理器(IA - 64 Processors )最早為安騰架構(gòu) (Itanium Architecture)處理器的縮寫,支持64 位...
2023-11-27 標(biāo)簽:處理器計(jì)算機(jī)intel 3.2k 0
有了RISC-V,很多人的目標(biāo)就更嚴(yán)格了。如何優(yōu)化處理器內(nèi)核以執(zhí)行特定任務(wù)。通過(guò)適當(dāng)?shù)姆治鏊?,他們可以將其整體指標(biāo)(無(wú)論是面積、速度、功耗還是它們的組...
增加每個(gè)晶體管的納米片數(shù)量可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流,從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過(guò)晶體管,從而增強(qiáng)其開關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外,更多的納米片可以更好...
下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個(gè)有希望的候選者是通道是過(guò)渡金屬二硫?qū)倩?(TMD) 化合物的二維材料(單層和極薄材料)的晶體管。
理解IGBT與MOSFET的性能差異,會(huì)幫助工程師在功率需求、開關(guān)速度、成本考慮以及特定應(yīng)用的適性等多個(gè)因素之間做出折衷并選擇最合適的元件。這將使得工程...
根據(jù)摩爾定律,晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?,芯片尺寸保持不變,而Dennard scaling則表示,給定面積的總芯片功率在不同代的工藝中保持不變。
2023-11-23 標(biāo)簽:芯片摩爾定律芯片設(shè)計(jì) 2.3k 0
也許有人會(huì)發(fā)明更好的晶體管,或者電阻和電容更小的電線。但在這一點(diǎn)上,已經(jīng)探索了更明顯的進(jìn)步,成本總是會(huì)限制一些解決方案。
2023-11-23 標(biāo)簽:電阻電容電子系統(tǒng) 1.3k 0
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