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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測(cè)試軟件,與高精度示波器 (HDO) 結(jié)合使用時(shí),可提供最準(zhǔn)確的氮化鎵 (GaN) 和碳...
緊跟國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略,時(shí)代速信挑戰(zhàn)“芯”高度
2004年左右,第一個(gè)氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)才開始商用。這些晶體管通常用于需要高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。 2008年,氮化鎵金屬氧化物...
SK部署Cadence仿真器進(jìn)行FastSPICE功能驗(yàn)證
楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,SK hynix Inc. 已部署 Cadence? Spectre? FX S...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性,同時(shí)擁有與...
長(zhǎng)晶的CJ78系列具有較長(zhǎng)的生產(chǎn)歷史,產(chǎn)品久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn),與行業(yè)內(nèi)一些知名的電源企業(yè)保持著合作的關(guān)系。
2022-04-06 標(biāo)簽:蓄電池晶體管長(zhǎng)晶科技 4.3k 0
GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括耗盡型(d-mode)、增強(qiáng)型(e-mode)、共源共柵型(cascode)等三種類型,并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)要求。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/章鷹)英偉達(dá)迎來了高光時(shí)刻。英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在GTC大會(huì)上,高調(diào)宣布最新Hopper架構(gòu)的H100 GPU系列。這款號(hào)稱...
NVIDIA全新Hopper架構(gòu)H100 GPU芯片的特別之處
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)GTC大會(huì)自2020年開始舉辦后,成為了AI開發(fā)者非常關(guān)注的一個(gè)會(huì)議,每次會(huì)議,NVIDIA的CEO黃仁勛都會(huì)發(fā)布一個(gè)主題...
在 2nm 和3nm,領(lǐng)先的代工廠及其客戶最終將遷移到稱為納米片 FET 的 GAA 晶體管類型。GAA FET 以比 finFET 更低的功率提供更高...
晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、手機(jī)和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件,是CPU的基本單元。晶體管可以獨(dú)立封裝,也可以小面積封裝。集成電路可以容納1億個(gè)或更多的晶體管。
NVIDIA發(fā)布新一代產(chǎn)品—NVIDIA H100
NVIDIA發(fā)布新一代產(chǎn)品—NVIDIA H100,H100是一款超大的芯片,采用TSMC 4N工藝,具有800億個(gè)晶體管,也是首款采用HBM3標(biāo)準(zhǔn)的GPU。
清華大學(xué)首次實(shí)現(xiàn)具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管
近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破,首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管,并具有良好的電學(xué)性能。
在計(jì)算機(jī)的一生中,CPU壞的概率極小。正常使用的情況下,就算其他主要的電腦配件都?jí)牧?,CPU都不會(huì)壞。
藍(lán)思科技榮膺“2021非凡創(chuàng)新榜樣企業(yè)” 景旺獲管理創(chuàng)新示范企業(yè)稱號(hào)
近日,為了推動(dòng)各類企業(yè)、金融機(jī)構(gòu)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展,鼓勵(lì)先進(jìn),由標(biāo)點(diǎn)財(cái)經(jīng)研究院聯(lián)合《投資時(shí)報(bào)》社舉辦的“見未來·2021第四屆資本市場(chǎng)高峰論壇暨金禧獎(jiǎng)...
門羅微系統(tǒng)宣布C輪融資1.5億美元,突破性Ideal SwitchTM技術(shù)加速電氣化
門羅微系統(tǒng)股份有限公司(門羅微系統(tǒng),Menlo Micro),致力于用Ideal Switch?技術(shù)重塑電子開關(guān),今天宣布C輪融資1.5億美元,門羅微系...
2022-03-10 標(biāo)簽:晶體管風(fēng)扇控制器 1.1k 0
TIM攜手華為打造巴西首個(gè)5G City Lam推開創(chuàng)性選擇性蝕刻工具套件
在MWC22 巴塞羅那期間,巴西運(yùn)營(yíng)商TIM與華為簽署了5G City聯(lián)合創(chuàng)新合作備忘錄。通過5G city 樣板項(xiàng)目,推進(jìn)巴西智慧城市建設(shè)。
IPM在功率電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用
IPM(智能功率模塊)是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件,兼有GTR(大功率晶體管)高電流、低飽和電壓和高耐壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、...
濕清洗后,用原子分辨掃描隧道顯微鏡對(duì)氫端Si表面進(jìn)行觀察。當(dāng)將Si晶片浸入稀釋的含高頻溶液中時(shí),通過堆積小梯田和臺(tái)階來構(gòu)建表面。當(dāng)用超純水沖洗樣品時(shí),可...
高電壓大電流IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了...
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