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晶圓

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晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應離子蝕刻法和金屬催化化學蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標簽：半導體晶圓刻蝕 3.7k 0

半導體晶圓清洗工藝技術(shù)

溶液中含有大量稀釋的鹽酸去離子水。清洗槽其下部的megaSonic發(fā)生器，用于選擇性應用megaSonic能量。油箱里有快速卸油閥底部使解決方案能夠被...

2022-03-31 標簽：半導體晶圓工藝 1.2k 0

微機械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是，除了單晶SI或機械性強之外，...

2022-03-29 標簽：晶圓單晶硅刻蝕 1.8k 0

微機械結(jié)構(gòu)硅片的機械減薄研究

本文提出了一種用于實現(xiàn)貫穿芯片互連的包含溝槽和空腔的微機械晶片的減薄方法。通過研磨和拋光成功地使晶圓變薄，直至達到之前通過深度反應離子蝕刻蝕刻的空腔。研...

2022-03-29 標簽：集成電路 mems 晶圓 1.1k 0

Si晶圓表面金屬在清洗液中的應用研究

隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的...

2022-03-28 標簽：晶圓檢測晶片 1.6k 0

MXene光電探測器的探測度

中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內(nèi)多家單位科研團隊合作，通過設(shè)計MXene材料的離心、旋涂、光刻和蝕刻工藝，提出了具有微米級分辨率的晶圓...

2022-03-24 標簽：探測器晶圓 3.2k 0

芯片制造的6個關(guān)鍵步驟

盡管芯片已經(jīng)可以被如此大規(guī)模地生產(chǎn)出來，生產(chǎn)芯片卻并非易事。制造芯片的過程十分復雜，今天我們將會介紹六個最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離...

2022-03-23 標簽：芯片晶圓 8.9k 0

一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

提供了一種在單個晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產(chǎn)生...

2022-03-22 標簽：半導體晶圓工藝 2.1k 0

濕清洗后晶圓旋轉(zhuǎn)速度對金屬線的影響

在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術(shù)去除污染...

2022-03-16 標簽：半導體晶圓制造 1.4k 0

當前工業(yè)機器人的關(guān)鍵技術(shù)及其應用

我國工業(yè)機器人的市場主要集中在汽車、汽車零部件、摩托車、電器、工程機械、石油化工等行業(yè)。中國作為亞洲第三大的工業(yè)機器人需求國，市場發(fā)展穩(wěn)定，汽車及其零部...

2022-03-15 標簽：控制系統(tǒng)晶圓工業(yè)機器人 5.1k 0

濕化學清洗過程中晶片污染控制方法

本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時間質(zhì)譜儀對晶圓清洗溶液進行全自動在線監(jiān)測。該分析儀通過其在正負模式下提供強(元素)和弱...

2022-03-08 標簽：半導體分析儀晶圓 1.8k 0

兆聲波輔助濕法化學處理去除

由TOK、JSR、陶氏化學等公司生產(chǎn)的新一代負色調(diào)和化學放大的正色調(diào)光阻劑在先進的包裝應用中獲得了發(fā)展勢頭。隨著銅柱和微凸起的采用，樹脂的厚度要求正在增...

2022-03-08 標簽：晶圓工藝熱量 1.7k 0

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標簽：晶圓襯底鍍膜 2.6k 0

使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離摘要本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和...

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關(guān)于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

摘要納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優(yōu)越楊晶模量(1100GPa)，以及在低溫下生長的能力(450C)，這推動了NCD薄膜生長和應用的復興。...

2022-01-25 標簽：機械晶圓化學 2.6k 0

智能刻蝕帶來突破性的生產(chǎn)力提升

增加電路密度而不必移動到新技術(shù)節(jié)點的優(yōu)勢使得垂直擴展成為半導體行業(yè)的強大驅(qū)動力。但它也有一系列挑戰(zhàn)，其中關(guān)鍵的挑戰(zhàn)便是刻蝕能力。

2022-01-24 標簽：NAND 晶圓泛林集團 1.3k 0

晶圓和芯片的關(guān)系，晶圓能做多少個芯片

芯片是晶圓切割完成的半成品，晶圓是芯片的載體，將晶圓充分利用刻出一定數(shù)量的芯片后，進行切割就就成了一塊塊的芯片了。

2022-01-29 標簽：芯片晶圓 6.3萬 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標簽：多晶硅半導體晶圓 4.7k 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強度內(nèi)聚能1.89...

2022-01-12 標簽：晶圓單晶蝕刻 1.6k 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積...

2022-01-05 標簽：pcb 半導體晶圓 1.6k 0

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