氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的...

2023-02-25 標(biāo)簽：氮化鎵GaNLEDs 1.6k 0

ST數(shù)字電源指南概述

數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于電源管理應(yīng)用的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復(fù)雜拓?fù)湟约霸O(shè)計(jì)靈活性等諸多優(yōu)勢(shì)。 關(guān)鍵特性與優(yōu)...

2023-02-22 標(biāo)簽：電源管理ST數(shù)字電源 1.8k 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場(chǎng)景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類(lèi)似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵，是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 5.4k 0

砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點(diǎn)分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過(guò)程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 9.1k 0

氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點(diǎn)分析

　氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。

2023-02-20 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵砷化鎵 3.0萬(wàn) 0

氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。

2023-02-20 標(biāo)簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.6萬(wàn) 0

GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 3.3k 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”） 功率開(kāi)關(guān)。只...

2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 1.3k 0

氮化鎵功率器件分類(lèi) 氮化鎵充電器為什么充電快

　氮化鎵功率器件可以分為三類(lèi)：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 3.3k 0

找到你的高壓電源設(shè)計(jì)最佳平衡點(diǎn)

當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個(gè) R 的強(qiáng)度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...

2023-02-17 標(biāo)簽：電源SiC氮化鎵 405 0

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車(chē)等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵GaN 6.2k 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.4k 0

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的性能特征

　　GaN是一種無(wú)機(jī)物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來(lái)常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類(lèi)似于金雞石，具有高硬...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 3k 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢(shì)

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿(mǎn)足了節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 7.5k 0

氮化鎵技術(shù)的壁壘是什么 氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。

2023-02-14 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 2.9k 0

氮化鎵外延片是什么 氮化鎵有哪些分類(lèi)

氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和...

2023-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 5.5k 0

什么是氮化鎵，氮化鎵有哪些好處

　　氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的電學(xué)性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性...

2023-02-14 標(biāo)簽：晶體管電子器件氮化鎵 1.1萬(wàn) 0