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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 1.5k 0

拆解報(bào)告 | 安克65W充電器采用DK065G合封氮化鎵芯片

充電頭網(wǎng)拿到了安克的一款65W多口氮化鎵充電器，這款充電器為長(zhǎng)條機(jī)身，具有藍(lán)、白、紫、黑四種配色，外觀設(shè)計(jì)簡(jiǎn)約。充電器配有國(guó)標(biāo)折疊插腳，整體小巧便攜。支...

2024-01-13 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 4.6k 0

投資金額達(dá)6000萬(wàn)元！又新增2個(gè)GaN射頻項(xiàng)目

近日，國(guó)內(nèi)有2個(gè)氮化鎵項(xiàng)目公布新進(jìn)展，合計(jì)投資金額達(dá)6000萬(wàn)元。

2024-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝氮化鎵 GaN 2.6k 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

共讀好書碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳...

2024-01-17 標(biāo)簽：新能源功率氮化鎵 1.6k 0

瑞薩收購(gòu)Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Tran...

2024-01-11 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 GaN 1.8k 0

GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

2024-01-11 標(biāo)簽：雪崩擊穿氮化鎵 GaN 2.1k 0

應(yīng)用在LCD顯示器電源插頭里的氮化鎵（GaN)MTC-65W1C

LCD（Liquid Crystal Display）顯示器是利用液晶顯示技術(shù)來(lái)進(jìn)行圖像表現(xiàn)的顯示裝置，從液晶顯示器的結(jié)構(gòu)來(lái)看，無(wú)論是筆記本電腦還是桌面...

2024-01-11 標(biāo)簽：lcd 氮化鎵 GaN 1.1k 0

Porotech與富士康簽訂微顯示器合作協(xié)議！

Porotech是英國(guó)劍橋大學(xué)的子公司，正在開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的microLED技術(shù)，用于AR微顯示器。

2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 可穿戴設(shè)備 1.3k 0

Power Integrations榮獲“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”

Power Integrations，憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場(chǎng)表現(xiàn)，榮獲了“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)Power Int...

2024-01-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 2.5k 0

Power Integrations榮獲兩項(xiàng)2023年電源行業(yè)配套品牌評(píng)選大獎(jiǎng)

由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第二屆年度電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)已經(jīng)落下帷幕，經(jīng)過(guò)激烈的競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格的評(píng)審過(guò)程，所有獎(jiǎng)項(xiàng)的評(píng)選工作現(xiàn)已完成。

2024-01-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 1k 0

蘇州高新區(qū)新添三大總部項(xiàng)目，覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)

國(guó)微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，以此一設(shè)備平臺(tái)滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。

2024-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 1.2k 0

聚能創(chuàng)芯完成1.7億元A輪融資

近日，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能創(chuàng)芯”）完成了一項(xiàng)重大里程碑，成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...

2024-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.8k 0

安世半導(dǎo)體榮獲雙料大獎(jiǎng)，引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿

近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎(jiǎng)：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”和“中國(guó)GaN功...

2024-01-03 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅安世半導(dǎo)體 2k 0

Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級(jí)封裝器件，支持多功率等級(jí)，為客戶創(chuàng)造競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

Weltrend新參考設(shè)計(jì)表明，擁有成本優(yōu)勢(shì)的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器，為客戶帶來(lái)規(guī)模經(jīng)濟(jì)以及無(wú)與倫比的氮化鎵穩(wěn)健...

2024-01-03 標(biāo)簽：氮化鎵 841 0

英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級(jí)GaN推進(jìn)汽車激光雷達(dá)市場(chǎng)

英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級(jí)氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過(guò)AEC-Q101 認(rèn)證，適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)...

2023-12-29 標(biāo)簽：氮化鎵激光雷達(dá)英諾賽科 2k 0

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)

2023-12-28 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵 GaN 1.5k 0

Transphorm：氮化鎵應(yīng)用進(jìn)一步擴(kuò)展，2024年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)將回暖

正值歲末年初之際，回顧過(guò)去的2023年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期，各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，能夠發(fā)現(xiàn)哪些細(xì)分...

2023-12-27 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 1.4k 0

針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...

2023-12-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 FET 氮化鎵 1.6k 0

在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

氮化鎵（GaN）晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。

2023-12-22 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 2.2k 0

2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購(gòu)案有哪些？

2023年，半導(dǎo)體市場(chǎng)的逆風(fēng)周期仍未過(guò)去，企業(yè)收并購(gòu)的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國(guó)電子報(bào)》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際收并購(gòu)案例，發(fā)現(xiàn)20...

2023-12-19 標(biāo)簽：英飛凌 eda 氮化鎵 2.8k 0

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系留無(wú)人機(jī)，又稱系留式無(wú)人機(jī)，為多旋翼無(wú)人機(jī)的一種特殊形式。系留一定是有電傳輸源源不斷的電源供電才稱為系留。
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