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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關氮化鎵電源IC
新型PowiGaN開關為工業(yè)應用提供了巨大的裕量,在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關氮化...
基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術,新型電源可為工業(yè)應用節(jié)省高達58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用于工業(yè)應用的新一代高度緊湊型電源...
雖然氮化鎵的HEMT器件相對碳化硅來說起步晚了點,但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢頭非常迅猛,所以對于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說,評測氮化鎵器件的緊迫性也...
氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料,其運行速度比舊式慢速硅(Si)技術加快了二十倍,并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率,用于尖端快速充電器產(chǎn)品時,可以實現(xiàn)遠遠超...
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關技術。InnoS...
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關IC
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日發(fā)布全球額定...
譽鴻錦半導體媒體開放日,現(xiàn)場見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命
譽鴻錦半導體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動,就兩周前行業(yè)發(fā)布會上提出的”SuperIDM“做了現(xiàn)場產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導體行業(yè)資...
GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件??梢燥@著降低功率損耗和散熱負載,在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領域,可...
隨著科技的不斷進步,電力電子技術也在飛速發(fā)展。其中,氮化鎵(GaN)芯片作為一種新型的電力電子器件,因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點,已經(jīng)開始在各個領域...
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發(fā),結(jié)合實際使用場景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景,如音頻、視頻...
隨著科技的不斷發(fā)展,充電器的種類和性能也在不斷升級。最近,氮化鎵充電器的出現(xiàn)引起了廣泛關注。那么,氮化鎵充電器是什么?它又是如何比傳統(tǒng)充電器更出色的呢?
隨著氮化鎵充電頭的出現(xiàn),越來越多的人開始關注并選擇使用這種新型的充電設備。那么,氮化鎵充電頭好在哪,為什么這么多人選擇呢?
智芯公司高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組入選深圳企業(yè)創(chuàng)新紀錄
10月18日,智芯公司所屬深圳智芯“高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組”項目入選第二十二屆深圳企業(yè)創(chuàng)新紀錄,斬獲最高等級認定。
2023-10-26 標簽:開關電源電力系統(tǒng)功率器件 1.5k 0
號稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”,英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司
?10 月 25 日消息,英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),并號稱“成為領先的氮化鎵龍...
隨著智能設備的普及,充電器的需求也日益增加。為了能夠快速充電,提高充電效率,氮化鎵充電器逐漸成為市場上的主流產(chǎn)品。那么,氮化鎵充電器和普通快充有什么區(qū)別...
英飛凌科技集團今天宣布,對GaN Systems Inc.的收購已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應用專...
英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems),成為領先的氮化鎵龍頭企業(yè)
10 月 25 日,英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐...
隨著科技的不斷進步,電力電子領域也在不斷發(fā)展。在這個領域中,氮化鎵(GaN)作為一種新型的寬禁帶半導體材料,正逐漸被廣泛應用在各種電力電子器件中,其中最...
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