在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導體是這幾年的熱門技術(shù)，我國除了在硅基方面進行追趕外，在第三代半導體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共投資了4億元來建設(shè)寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心，這個工程研究中心不僅僅承載著解決技術(shù)的問題，我們還承載著一些對原創(chuàng)性技術(shù)的布局。
2020-08-17 09:05:56
19141 ? ? 碳化硅 為寬禁帶材料，具有高導熱系數(shù)、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)異的材料特性，因此適合作為高耐壓、高溫、高頻及抗輻射等操作的功率半導體器件設(shè)計的材料基礎(chǔ)。 ?? ?寬禁帶半導體器件
2022-11-17 15:28:073911 
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
與緊湊封裝：產(chǎn)品符合AEC-Q100車規(guī)標準，工作溫度范圍覆蓋-40°C至125°C。采用節(jié)省空間的SOT23-6封裝。
主要優(yōu)勢：
充分釋放寬禁帶器件性能：高驅(qū)動電壓與強大的拉灌電流能力，可確保
2025-12-26 08:20:58
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計算中的瓶頸。此外當PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時，一般的階梯近似不足以滿足計算精度。針對以上兩個問題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導帶寬度對S參數(shù)的影響，最后設(shè)計了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2019-06-27 07:01:22
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計實現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計？
2021-06-17 06:45:48
12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團體標準評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農(nóng)大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項團體標準送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》等四項團體標準草案討論兩部分內(nèi)容。
2017-12-13 09:05:514919 氮化物寬禁帶半導體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，填補我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012150 行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425 寬禁帶功率半導體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:009041 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件，利用高界面質(zhì)量的凹槽半懸空柵技術(shù)，器件的fmax達320GHz，在輸出功率密度一定的情況下，功率附加效率在30GHz頻率下為目前國際GaN基HEMT中最高值。
2018-10-22 16:49:0112236 近日，2018中國寬禁帶功率半導體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領(lǐng)導與技術(shù)專家、金融投資機構(gòu)、知名企業(yè)負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253990 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導體的高壓系統(tǒng)，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會減少，結(jié)果會直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過高壓實現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項目開工活動在濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟南國際醫(yī)學中心，是濟南實施北跨發(fā)展和新舊動能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524422 擊穿場強、高飽和電子漂移速率、化學性能穩(wěn)定以及抗輻射等優(yōu)點， 特別適合制造高溫、高頻、高功率和抗輻射的功率器件。用寬禁帶半導體制成的高溫、高頻和大功率微波器件可以明顯改善雷達、電子對抗系統(tǒng)以及通信系統(tǒng)等
2020-01-19 17:22:002205 
寬禁帶材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計，驅(qū)動IC設(shè)計開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 寬禁帶材料實現(xiàn)了較當前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美半導體
2020-10-10 10:35:224167 
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導體產(chǎn)品，有望實現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。
2020-10-23 11:03:261297 第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，且支持超快速開關(guān)切換頻率，帶來的測試挑戰(zhàn)也成了
2020-10-30 03:52:111116 現(xiàn)代寬禁帶功率器件（SiC， GaN）上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術(shù)，設(shè)計人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:00
22 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對寬禁帶半導體器件的挑戰(zhàn)，共同促進寬禁帶半導體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現(xiàn)低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024 的角度來看，這將具有現(xiàn)實意義。寬禁帶（WBG）半導體技術(shù)的出現(xiàn)將有望在實現(xiàn)新的電機能效和外形尺寸基準方面發(fā)揮重要作用。
2021-05-01 09:56:002760 材料性質(zhì)的研究是當代材料科學的重要一環(huán)，源表SMU 在當代材料科學研究中，起到舉足輕重的作用，吉時利源表SMU在許多學科工程師和科學家中享有盛譽，以其優(yōu)異的性能為當代材料科學研究提供多種測試方案，今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。
2021-08-20 11:17:47719 作為2021年技術(shù)熱詞，寬禁帶總會在各大技術(shù)熱文中被提起，我們在以往的文章中也笑稱，寬禁帶半導體是電動汽車的“寵兒”，但也有些朋友會問我們，寬禁帶半導體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283017 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
大會同期舉辦了面向寬禁帶半導體領(lǐng)域的“寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動后摩爾時代發(fā)展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州晶湛半導體
2021-12-23 14:06:342830 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產(chǎn)能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領(lǐng)導地位。
2022-02-21 16:47:151118 對于寬禁帶半導體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534543 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 金秋10月，Bodo's寬禁帶半導體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年，特斯拉創(chuàng)紀錄出貨量助碳化硅達到了10億美元市場規(guī)模；比亞迪“漢”和現(xiàn)代Ioniq-5也都因搭載高性能碳化硅模塊受益于快速
2022-07-29 15:49:291210 
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy Gap），禁帶寬度反映了被束縛價電子要成為自由電子所必須獲得的額外能量。
2022-10-17 14:15:452686 隨著寬禁帶半導體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導體，展示出高頻、高壓、高溫等獨特的性能優(yōu)勢，迎來新的發(fā)展機遇
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導體器件。
2022-11-29 09:10:391948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。
2023-01-17 10:31:441399 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷導帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803 
2023年6月6日，東南大學迎來了建校121周年紀念日。當天下午，東南大學集成電路學院揭牌儀式在南京舉辦。 揭牌儀式上，“ 東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”共建合作協(xié)議正式簽署
2023-06-08 20:05:022674 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
為代表的寬禁帶功率半導體在光伏風能發(fā)電、儲能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進寬禁帶半導體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提
2023-06-30 10:08:301328 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，寬禁帶半導體材料與器件的研究和發(fā)展也進入了加速階段。
2023-08-24 17:43:501755 
寬禁帶半導體光電探測技術(shù)在科學、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測功能，推動了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。
2023-09-27 10:08:551235 
SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。
2023-09-28 16:54:265233 
點擊藍字?關(guān)注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
半導體材料。 寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021785 
股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創(chuàng)芯驅(qū)動模擬未來寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:401564 能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設(shè)備等應(yīng)用場景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:021167 禁帶技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設(shè)備等應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓
2023-12-16 08:30:341284 
近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進會在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時刻。
2024-04-03 09:23:101093 會上，臨港新片區(qū)管委會聯(lián)動萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561150 功率電子學在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶（WBG）半導體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311646 當今，氣候變化與如何應(yīng)對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 7月9日，英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果，與行業(yè)伙伴一道深入探討寬禁帶領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展，攜手推動低碳化和數(shù)
2024-06-28 08:14:351436 在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計劃投資高達2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341391 下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節(jié)能半導體領(lǐng)導者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，并擴大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261672 英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導體技術(shù)推進可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311370 功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構(gòu)成電子器件和光電子器件的基礎(chǔ)。根據(jù)禁帶寬度的不同，半導體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導體材料因其獨特的電子和光學特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。 寬禁帶半導
2024-07-31 09:09:063202 ，被稱為第三代寬禁帶半導體。 優(yōu)勢 高溫、高頻、高耐壓：相比第一代（Si、Ge）和第二代（GaAs、InSb、InP）半導體材料，第三代半導體材料在這些方面具備明顯優(yōu)勢。 導通電阻?。航档土?b class="flag-6" style="color: red">器件的導通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高：提高
2024-12-05 09:37:102785 
樣品活動進行中，掃碼了解詳情近年來，電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個市場。目前，工業(yè)電機主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)
2024-12-25 17:30:32865 本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應(yīng)用 在電動汽車的核心部件中，車用功率模塊（當前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301613 
目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法，以應(yīng)對當今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869 
寬禁帶（WBG）解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸，它們是實現(xiàn)可持續(xù)設(shè)計的關(guān)鍵。英飛凌的WBG產(chǎn)品組合表現(xiàn)如何？能為開發(fā)者帶來哪些益處？英飛凌全球寬禁帶開發(fā)者論壇
2025-03-06 08:33:27773 ?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現(xiàn)快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實現(xiàn)干凈的動態(tài)測試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 主導著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
2025-04-25 11:34:35801 
：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導體技術(shù)的最新進展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
2025 年 8 月 15 日至 17 日，2025 IEEE 亞洲寬禁帶功率器件及應(yīng)用研討會(WiPDA Asia 2025)在北京國際會議中心成功舉辦。 本次功率器件研討會由 IEEE 電力
2025-08-28 16:00:57604 
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進，半導體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是寬禁帶半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680
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