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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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自去年下半年以來,全球半導(dǎo)體因?yàn)樾枨蠖顺掷m(xù)低迷而進(jìn)入下行通道,到目前為止,這樣的趨勢(shì)仍未改變,在這樣的形勢(shì)下,很多公司選擇停止擴(kuò)張,收縮抗寒 ,不過也有...
2023-06-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.3k 0
功率密度提升80%的服務(wù)器電源供應(yīng)器是如何打造的?
隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲(chǔ)等服務(wù)提供支持,處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大,電力需求也隨之增長(zhǎng)。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下,如何...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器IGBT 947 0
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),因此廣泛用于以下領(lǐng)域: 1. 發(fā)光二極管(LED):氮化鎵是LED的主要工藝材料之一...
Mojo Vision開發(fā)300mm藍(lán)色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
Mojo Vision 表示,Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢(shì),這對(duì)于擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費(fèi)電子和高...
新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口,并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝,RC<0.4 Ω·mm;柵極采用...
英諾芯半導(dǎo)體IN3261G+IN1305M :33W氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體?GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)?
GaN 通過實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率,在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號(hào),使其成為 5G 基站...
2023-05-15 標(biāo)簽:氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 986 0
永銘電子導(dǎo)電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用
隨著氮化鎵技術(shù)的逐漸成熟,越來越多的AC/DC轉(zhuǎn)換器采用氮化鎵作為開關(guān)元件,以取代傳統(tǒng)的硅元件。在這種新技術(shù)的應(yīng)用中,導(dǎo)電性電容器也扮演著重要的角色。
2023-05-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC氮化鎵 1.6k 0
高頻驅(qū)動(dòng)下的第三代半導(dǎo)體服務(wù)器電源對(duì)磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對(duì)話通過行業(yè)內(nèi)權(quán)威教授、服務(wù)器電源廠商、磁性元器件廠商、磁芯廠商以及線材廠商的對(duì)...
氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性,氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,如LED照明、電力電子、無線通信、智能家...
現(xiàn)代生活離不開手機(jī),但是低效率和漫長(zhǎng)的充電時(shí)間卻讓人煩惱不已?,F(xiàn)在,有一種新型的氮化鎵充電器能夠解決這些問題。氮化鎵充電器采用了最新的半導(dǎo)體材料技術(shù),使...
隨著電動(dòng)汽車和無人機(jī)等高功率設(shè)備的快速發(fā)展,對(duì)快速、高功率和高效的充電需求也越來越高。而氮化鎵充電器作為一種新興的半導(dǎo)體材料,可以幫助滿足這些需求。在本...
2023-05-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電器氮化鎵 3.1k 0
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面;氮化鎵(GaN)擁有極高的穩(wěn)定性,將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗,提升...
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場(chǎng)前景,也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對(duì)推動(dòng)Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案
氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 標(biāo)簽:氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 983 0
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵,應(yīng)用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...
GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件,具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)如下:1. 低導(dǎo)通電阻...
65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格;氮化鎵具有高可靠性,能夠承受短時(shí)間過壓;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗,提升開關(guān)頻率,附...
氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密...
2023-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵 1.3k 0
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