新型存儲設計方案出爐,耐受高溫,助力人類登陸火星

這種基于氮化鎵的新型存儲器件能夠在300攝氏度條件下保持運行。

2019-03-13 標簽：存儲器氮化鎵 3.5k 0

帶你走進神奇的氮化鎵！

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好...

2019-03-12 標簽：氮化鎵 3.6萬 0

濟寧高新區(qū)舉辦2019年第一批重大項目集中開工儀式

山大氮化鎵單晶襯底項目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學進行產(chǎn)學研合作，將氮化鎵單晶襯底實驗室成果實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點項目。項目總投資15億元，總建...

2019-03-08 標簽：半導體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬 0

盤點國內(nèi)第三代半導體廠商

眾所周知，我國現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，第三代半導體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件，自然也受到了重點關注。

2019-02-19 標簽：半導體氮化鎵 2.0萬 0

車規(guī)級eGaN?FET使得激光雷達系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠

宜普電源轉換公司（EPC）進一步擴大車規(guī)級氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個產(chǎn)品成功通過國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應力測試認證。

2019-01-24 標簽：EPC氮化鎵 6.8k 0

探析寬帶隙半導體技術與氮化鎵的未來前景

過去一些年，功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間。

2019-01-15 標簽：半導體氮化鎵 6.2k 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些

氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導體材料，應用范圍非常廣，包括半導體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標簽：充電器氮化鎵Anker 1.9k 0

是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場爆炸的殺手級應用呢？

市場在引入新技術時，成本是需要考慮的關鍵因素之一，但目前成本不是GaN的優(yōu)勢。GaN器件的主要競爭者是硅基MOSFET，后者已經(jīng)上市多年，提供非常具有競...

2018-12-24 標簽：電源適配器氮化鎵 5.1k 0

探析意法半導體未來功率GaN路線圖

Yole電力電子技術與市場分析師Ana Villamor與意法半導體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面，討論意法半導體...

2018-12-24 標簽：意法半導體氮化鎵 6.6k 0

德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵的理由

在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，...

2019-01-01 標簽：電子ti氮化鎵 3k 0

耐威科技子公司成功研制“8 英寸硅基氮化鎵外延晶圓

耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領先的可提供具備長時可靠性的...

2018-12-20 標簽：晶圓氮化鎵 7.1k 0

英飛凌新推氮化鎵開關管驅(qū)動芯片

隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導體材料開始備受關注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標簽：英飛凌氮化鎵 9.2k 0