英國為恩智浦提供200萬英鎊氮化鎵發(fā)展資金

英國財(cái)政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦（NXP）英國分公司提供200萬英鎊，以促進(jìn)氮化鎵（GaN）器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效，因此很可能成為...

2013-06-03 標(biāo)簽：恩智浦功率器件氮化鎵 910 0

IR開始商業(yè)裝運(yùn)氮化鎵器件

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運(yùn)...

2013-05-14 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵IR公司 1.2k 0

何時(shí)應(yīng)對(duì)寬能帶隙材料時(shí)代？

對(duì)于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能，這種性能提...

2012-11-26 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1.6k 0

未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 1.1萬 0

富士通半導(dǎo)體明年量產(chǎn)氮化鎵功率元件

富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率，并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)低...

2012-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率元件 1.7k 0

氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用

本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...

2011-12-12 標(biāo)簽：氮化鎵射頻通信 1.8k 0

RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對(duì)有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵...

2011-11-16 標(biāo)簽：功率氮化鎵RFMD 1.6k 0

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET

2011-03-18 標(biāo)簽：FET氮化鎵宜普 2.7k 0

RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3

　　日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫...

2010-12-01 標(biāo)簽：功率氮化鎵GaN 1.7k 0

IR推出高效率氮化鎵功率器件

IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了

2010-05-10 標(biāo)簽：IR氮化鎵功率器 1.4k 0