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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進展

碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢，市場廣闊，應(yīng)用場景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動汽車電驅(qū)核心技術(shù)。

2023-12-22 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 功率器件 2.3k 0

碳化硅三極管的引腳辨識與焊接方式

碳化硅三極管的引腳辨識與焊接方式? 碳化硅三極管是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在進行焊接之前，正確辨識并連接三極管的引腳非常關(guān)鍵。本文將詳細(xì)...

2023-12-21 標(biāo)簽：三極管萬用表碳化硅 3.4k 0

碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析

碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管...

2023-12-21 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體擊穿電壓 5.2k 0

碳化硅三極管的阻值測試方法

碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點，在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)...

2023-12-21 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體漏電流 1.6k 0

安世半導(dǎo)體榮獲2023行家極光獎兩項大獎

2023 年 12 月 14 日，行家說碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇，暨 2023 行家極光獎頒獎典禮（2023 Hangjia Aurora A...

2023-12-21 標(biāo)簽：二極管碳化硅安世半導(dǎo)體 1.9k 0

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開...

2023-12-21 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 1.4k 0

碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢

碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性：...

2023-12-21 標(biāo)簽：MOSFET 高頻開關(guān)功率半導(dǎo)體 1.9k 0

英飛凌62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產(chǎn)品獎

11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產(chǎn)品獎，...

2023-12-21 標(biāo)簽：英飛凌模塊碳化硅 1.7k 0

碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)

磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式，然而研磨會導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對生產(chǎn)芯片來說是十分重要的。

2023-12-21 標(biāo)簽：CMP 碳化硅半導(dǎo)體芯片 3k 0

特斯拉為何對碳化硅忽冷忽熱？

第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料，鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大，但由于速度較慢、不耐熱等缺點，在八十年代初就被硅基管給取代了，一直到現(xiàn)今...

2023-12-20 標(biāo)簽：晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 532 0

碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)研究

過去幾十年里，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。

2023-12-20 標(biāo)簽：變換器功率半導(dǎo)體碳化硅 1.9k 0

廣東芯粵能半導(dǎo)體榮獲“年度IC獨角獸獎”

作為國內(nèi)規(guī)模最大的車規(guī)級碳化硅芯片制造商，芯粵能半導(dǎo)體坐落在廣州南沙自貿(mào)區(qū)，從事碳化硅芯片研發(fā)生產(chǎn)，覆蓋車規(guī)級、工控領(lǐng)域產(chǎn)品，如碳化硅SBD/JBS、M...

2023-12-19 標(biāo)簽：晶圓功率器件碳化硅 5.3k 0

碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢有哪些？

碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢有哪些？碳化硅陶瓷是一種具有廣泛應(yīng)用潛力的材料，特別是在光纖領(lǐng)域。以下是碳化硅陶瓷在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢。 1. 高溫穩(wěn)定性：...

2023-12-19 標(biāo)簽：光纖傳感器激光器碳化硅 1.3k 0

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的...

2023-12-19 標(biāo)簽：溫度傳感器 SiC 碳化硅 1.8k 0

國內(nèi)或增6個SiC項目，最高30萬片！

據(jù)官網(wǎng)資料，卓遠半導(dǎo)體此前新建研發(fā)及產(chǎn)業(yè)基地落地如皋高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，占地約46畝，總投入2.5億元。

2023-12-19 標(biāo)簽：SiC 碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 1.5k 0

大尺寸SiC單晶的研究進展

在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。

2023-12-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 1.7k 0

派恩杰半導(dǎo)體榮獲“年度車規(guī)芯片市場突破獎”

派恩杰半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個方向。始創(chuàng)于2018年，公司擁有國內(nèi)最為全面的...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.9k 0

液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢。

2023-12-18 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓 SBD 3.2k 0

2家SiC材料廠完成數(shù)億元新一輪融資

去年7月，超芯星6英寸SiC襯底進入美國一流器件廠商，由此成功打入美國市場；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與...

2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.1k 0

納微半導(dǎo)體GeneSiC? 3.3kV SiC MOSFETs獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎

12月13-14日，由行家說三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮于深圳國際會展中心皇冠假日酒店隆重舉辦，

2023-12-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 1.4k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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