過去幾十年里，半導體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)”分會上，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長王來利教授做了“碳化硅功率半導體多芯片封裝技術(shù)”的主題報告，分享了最新研究進展。

研究提出了磁耦合精確調(diào)控多芯片并聯(lián)電熱均衡方法，提出了控制磁場耦合度的多芯片電熱應力調(diào)控方法，解決了多芯片不均衡性電熱應力調(diào)控難題，為提高寬禁帶器件容量與可靠性建立了基礎(chǔ)。

首次獲得了碳化硅半導體在550℃高溫的動靜態(tài)特性，掌握了碳化硅極寬溫度范圍內(nèi)關(guān)鍵特征參數(shù)變化規(guī)律，并基于高溫器件實現(xiàn)了環(huán)境溫度265℃的高溫變換器。

審核編輯：劉清