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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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安森美提供的高質(zhì)量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),宣布執(zhí)行一項(xiàng)...
Microchip擴(kuò)展碳化硅(SiC)電源器件系列產(chǎn)品,助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率、尺寸和可靠性
基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關(guān)效率、減少溫升和縮小系統(tǒng)尺寸。
天科合達(dá)的高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)方法
天科合達(dá)的該項(xiàng)專利提出的改進(jìn)物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式生成的芯片。
中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國(guó)擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進(jìn)口的尷
據(jù)青島日?qǐng)?bào)報(bào)道,中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張翠榮表示,將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖,以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進(jìn),確保本年9月份竣工投產(chǎn)。
中科鋼研在青島建有集成電路制造項(xiàng)目,該項(xiàng)目入選了2019年青島市重點(diǎn)項(xiàng)目。
江蘇超芯星天使輪融資完成,首創(chuàng)大尺寸擴(kuò)徑技術(shù)
據(jù)江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)介紹,超芯星半導(dǎo)體于2019年4月落戶江蘇儀征經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè),致力于6英寸碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
意法半導(dǎo)體收購(gòu)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)
此次收購(gòu)將大幅提高意法半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費(fèi)級(jí)高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴(kuò)大其開發(fā)計(jì)劃和業(yè)務(wù)。
2020-03-06 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.5k 0
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源(每相1個(gè)),可提供每相高達(dá)5W的功率,從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。
2020-03-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETCISSOID 1.9k 0
中國(guó)電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式 預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元
2月28日,中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。
中國(guó)電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地開始投產(chǎn),年產(chǎn)值可達(dá)10億元
中國(guó)電科黨組書記、董事長(zhǎng)熊群力指出,中國(guó)電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國(guó)電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。
2020-03-02 標(biāo)簽:碳化硅 5.8k 0
碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域
到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。
集成電路訂單突破億級(jí),2019年海特高新營(yíng)業(yè)收入同比增加55.52%
海特高新發(fā)布2019年業(yè)績(jī)快報(bào)稱,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入80,187.88萬(wàn)元,較上年同期增加55.52%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)7,549.26萬(wàn)元,...
英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
進(jìn)入 5G 世代,5G 產(chǎn)品大多具備高功率、高壓、高溫等特性,傳統(tǒng)的硅 (Si) 原料因無(wú)法克服在高壓、高頻中的損耗,所以已無(wú)法滿足新世代的科技需求,這...
小米發(fā)布GaN充電器,2020年將是GaN的起飛之年
2月13日,小米舉辦的小米10線上發(fā)布會(huì)上,除了手機(jī),還發(fā)布了一款氮化鎵功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋...
Littelfuse推出柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估平臺(tái),協(xié)助設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)碳化硅節(jié)能
與大多數(shù)其他碳化硅評(píng)估平臺(tái)不同,GDEV提供快速連接插頭引腳端子,可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動(dòng)器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和...
2020-02-07 標(biāo)簽:Littelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.1k 0
UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件
UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性,因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)...
羅姆下的SiCrystal公司與長(zhǎng)期客戶ST簽訂碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0
CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
CMT-TIT0697柵極驅(qū)動(dòng)器板被設(shè)計(jì)為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2...
2020-01-15 標(biāo)簽:CISSOID柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.6k 0
新能源汽車市場(chǎng)化發(fā)展要把握好高密度IGBT和碳化硅器件
在萬(wàn)物互聯(lián)的指引下,新能源汽車也駛向了“百年未來(lái)大變革”的道路上。
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