利用FFM機(jī)制進(jìn)行的極微細(xì)機(jī)械加工

隨著超精密加工技術(shù)的發(fā)展，在機(jī)械加工中也需要納米級的加工控制技術(shù)，從這個觀點(diǎn)出發(fā)，近年來，利用掃描型探針顯微鏡(SPM)的極微細(xì)加工技術(shù)被廣泛研究1）～...

2022-03-30 標(biāo)簽：機(jī)械蝕刻加工 1k 0

MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.4k 0

關(guān)于晶片背面的薄膜蝕刻法說明

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展，要想形成多層結(jié)構(gòu)，將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層，這時晶片背面也會堆積膜。如果...

2022-03-28 標(biāo)簽：蝕刻晶片 2.2k 0

光刻技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢分析

最近的電子器件大多是由微細(xì)的電路元件構(gòu)成的，為了制造這些元件，微細(xì)加工已成為必須的技術(shù)。以前，為了這個目的使用了照相蝕刻技術(shù)（光刻法）。但是，半導(dǎo)體集成...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝光刻蝕刻 7.9k 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.6k 0

KOH硅濕法蝕刻工藝設(shè)計研究

在本研究中，我們設(shè)計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300m...

2022-03-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅片 3.2k 0

濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制

硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依...

2022-03-08 標(biāo)簽：測試蝕刻晶片 2.5k 0

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報告

摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體化學(xué) 2.9k 0

關(guān)于硫酸-過氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報告

摘要 我們?nèi)A林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...

2022-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體化學(xué)蝕刻 3.3k 0

半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析

引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率...

2022-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電化學(xué)蝕刻 3.4k 0

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項...

2022-01-12 標(biāo)簽：InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 2.8k 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89...

2022-01-12 標(biāo)簽：晶圓單晶蝕刻 1.6k 0

混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化...

2022-01-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體印刷電路蝕刻 2k 0

多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1.7k 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積...

2022-01-05 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體晶圓 1.6k 0

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析

引言 化學(xué)蝕刻是通過與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的...

2021-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 3.6k 0

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個世紀(jì)初，人們已經(jīng)了 ...

2021-12-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體蝕刻 3.3k 0

半導(dǎo)體工藝之介電蝕刻工藝中等離子體的蝕刻處理

摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁...

2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子蝕刻 4.1k 0

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體超聲波蝕刻 1.6k 0