光刻膠剝離工藝的基本原理

雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本文章描述了...

2022-05-12 標(biāo)簽：工藝光刻蝕刻 3.6k 0

濕法蝕刻過程中影響光致抗蝕劑對GaAs粘附的因素

本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(D...

2022-05-10 標(biāo)簽：工藝蝕刻GaAs 1.1k 0

不同掩模材料對400nm瀝青光柵蝕刻特性的影響

本文主要介紹了我們?nèi)A林科納研究了用聚合物、Cr、二氧化硅和Cr-單聚聚合物等各種蝕刻掩模材料對400nm瀝青硅光柵的低溫深蝕刻。研究發(fā)現(xiàn)，下切口是限制C...

2022-05-10 標(biāo)簽：光柵材料蝕刻 787 0

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺...

2022-05-09 標(biāo)簽：薄膜蝕刻ZnO 1.4k 0

HARSE工藝在先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用

在本文中講述了HARSE的工藝條件，其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓，還將成為展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。

2022-05-09 標(biāo)簽：封裝技術(shù)蝕刻硅襯底 1.1k 0

一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型

在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗(yàn)和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項(xiàng)研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)...

2022-05-09 標(biāo)簽：工藝蝕刻模型 843 0

多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的過程

ZnO是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可摻雜為透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，用于無機(jī)和有機(jī)光伏器件，為了更好地理解ZnO薄膜的腐蝕過程，我們?nèi)A林科納發(fā)現(xiàn)了一種原子力顯微...

2022-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻ZnO 1k 0

BOE濕蝕對三維集成中銅模式直接鍵界面特性的影響

在本文中，使用緩沖氧化物蝕刻(BOE)溶液進(jìn)行濕法蝕刻以直接鍵合Cu-Cu圖案之后，根據(jù)Cu圖案密度變量在400℃的結(jié)溫下進(jìn)行Cu-Cu鍵合，具有良好的...

2022-05-05 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 1.4k 0

TMAH溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻后晶體平面的表征研究

本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此，詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發(fā)現(xiàn)m-G...

2022-05-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2.6k 0

硅晶片的化學(xué)蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的...

2022-04-28 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 1.4k 0

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.5k 0

方差分析在等離子蝕刻工序中的應(yīng)用

在集成電路的許多生產(chǎn)步驟中，晶片被一層材料(如二氧化硅或某種金屬)完全覆蓋。通過對掩模的蝕刻有選擇性地除去不需要的材料，從而創(chuàng)建電路模板、電互連以及必須...

2022-04-25 標(biāo)簽：集成電路蝕刻 617 0

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕...

2022-04-12 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 776 0

半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后的感光膜去除方法

通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用...

2022-04-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 1.7k 0

基于噴射條件的蝕刻特性和霧化特性研究

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-07 標(biāo)簽：工藝特性蝕刻 965 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 ...

2022-04-07 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅片 1.4k 0

含有機(jī)HF清洗液中銅薄膜的腐蝕行為

隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，多層處理變得越來越復(fù)雜，清洗溶液和蝕刻化學(xué)物質(zhì)在提高收率和減少缺陷方面的作用變得越來越重要。本文證明了具有銅和鎢相容性的成功配方，...

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 1.8k 0

一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因...

2022-04-06 標(biāo)簽：超聲波蝕刻 909 0

蝕刻技術(shù)基礎(chǔ)知識介紹

關(guān)于在進(jìn)行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應(yīng)機(jī)制，以Si為例，以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進(jìn)行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細(xì)加工、厚膜材料的三維加...

2022-04-06 標(biāo)簽：工藝蝕刻加工 6.1k 0