新型內(nèi)存技術(shù)3D XPoint 改寫服務(wù)器存儲格局

英特爾與美光科日前發(fā)表新型非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)──3D XPoint，該種內(nèi)存號稱是自1988年NAND閃存芯片推出以來的首個新內(nèi)存類別，能徹底改造任何設(shè)備...

2015-07-31 標(biāo)簽：閃存固態(tài)硬盤3D XPoint 2.1k 0

全方位詳解——玩轉(zhuǎn)德州儀器（TI）全新MSP432 MCU

德州儀器（TI）的MSP430產(chǎn)品系列可謂是低功耗MCU的經(jīng)典之作，然而TI近期推出的MSP432 MCU更是引起了業(yè)界的諸多關(guān)注。這款全新的產(chǎn)品將TI...

2015-06-11 標(biāo)簽：MCU閃存TI 6.2k 0

美光科技推出專為消費(fèi)類應(yīng)用設(shè)計的新型閃存

新型高容量TLC NAND提供高效、高性能存儲

2015-06-04 標(biāo)簽：閃存TLC 1.1k 0

旺宏與Spansion的全球?qū)＠V訟與爭議已達(dá)成和解

全球非揮發(fā)性閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏電子（TSE： 2337） 與Spansion公司 （NYSE：CODE） 近日宣布，雙方就全球的專利訴訟及爭議已達(dá)成和解。

2015-01-28 標(biāo)簽：閃存Spansion旺宏 1.5k 0

Silicon Motion SSD控制器促進(jìn)TLC閃存芯片增長

隨著三級單元（簡稱TLC）NAND普及程度的穩(wěn)步提高，Silicon Motion公司正積極圖謀利用其于本周閃存存儲峰會上發(fā)布的最新SSD控制器進(jìn)一步加...

2014-08-13 標(biāo)簽：閃存TLCSSD控制器 1.7k 0

閃迪與艾睿電子在全球聯(lián)合推廣商用閃存存儲解決方案

閃迪與艾睿電子簽署擴(kuò)展分銷協(xié)議，增加業(yè)務(wù)覆蓋地區(qū)并將更廣泛的，同時也將閃迪存儲解決方案產(chǎn)品組合推向移動和工業(yè)領(lǐng)域。雙方通過拓展合作關(guān)系滿足全球不斷增長的...

2014-05-09 標(biāo)簽：閃存SanDisk艾睿電子 1.5k 0

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式...

2014-05-04 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 1.7k 0

Spansion擴(kuò)展汽車閃存產(chǎn)品線

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商 Spansion 公司（NYSE：CODE）今日宣布推出六款新的汽車級閃存設(shè)備，從而進(jìn)一步拓展了公司的汽車...

2014-04-25 標(biāo)簽：閃存汽車電子Spansion 1.3k 0

Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣布推出一個新的串行外設(shè)接口（SPI）閃存產(chǎn)品家族。

2013-12-31 標(biāo)簽：閃存Spansion 1.1k 0

智能手機(jī)增速見頂 閃存工藝演進(jìn)步伐趨緩

從全球范圍來看，PC銷量下滑使得PC用存儲芯片在整個存儲市場中的占比下降;與此同時，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備存儲、云存儲、移動智能終端存儲等新興市場卻不斷成長。有人對此...

2013-12-19 標(biāo)簽：智能手機(jī)東芝閃存 890 0

JEDEC 發(fā)布通用閃存標(biāo)準(zhǔn) （UFS）2.0版

9月18日訊 – 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天發(fā)布通用閃存（UFS）標(biāo)準(zhǔn)2.0版。該標(biāo)準(zhǔn)專為需要高性能低功耗的移動應(yīng)用和計算...

2013-09-23 標(biāo)簽：閃存JEDEC主機(jī)控制器 4.7k 2

SanDisk：3D NAND閃存開始出擊

7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。

2013-07-25 標(biāo)簽：閃存3D NANDSandDisk 1.6k 0

從存儲廠商的收購看閃存市場的未來

雖然關(guān)于SSD在未來幾年會不會完全取代傳統(tǒng)硬盤的市場地位的爭論現(xiàn)在還是存在，但是已經(jīng)很少有人會懷疑閃存是當(dāng)下最為明顯的一個存儲發(fā)展趨勢。所有的存儲廠商都...

2013-07-18 標(biāo)簽：閃存SSDPMC 1.3k 0

移動裝置浪潮，為NAND Flash開辟新市場

在移動裝置的帶動之下，閃存市場成長快速，根據(jù)IHS iSuppli研究指出，由于手機(jī)、游戲控制面板和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品市場擴(kuò)大，NAND Flash在...

2013-07-12 標(biāo)簽：閃存SanDiskNAND Flash 1.1k 0

MRAM技術(shù)再突破 工研院啟動全新內(nèi)存戰(zhàn)局（上）

在工研院即將進(jìn)入歡慶40周年院慶之際，工研院電光所的研究團(tuán)隊所開發(fā)出來的“垂直式自旋磁性內(nèi)存技術(shù)”榮獲杰出研究金牌獎，此技術(shù)乍看之下并不顯眼，但該內(nèi)存技...

2013-07-03 標(biāo)簽：閃存DRAMSRAM 1.4k 0

整合富士通資源　飛索加速嵌入式閃存（eFlash）MCU研發(fā)

Spansion預(yù)計2013年7～9月，完成Fujitsu Semiconductor微控制器、模擬及混合信號部門的購并，未來將全力加速嵌入式閃存（eF...

2013-07-03 標(biāo)簽：MCU閃存嵌入式 2.7k 0

大數(shù)據(jù)時代，英特爾摩爾定律促進(jìn)存儲進(jìn)行演變

對于存儲行業(yè)來說，每10-15年就會發(fā)生比較重大的變化。存儲領(lǐng)域的每一次變革都帶來了存儲行業(yè)新的繁榮。然而自從上世紀(jì)90年代引進(jìn)存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（SAN）以...

2013-06-25 標(biāo)簽：英特爾閃存摩爾定律 1.2萬 0

科學(xué)研發(fā)新型存儲設(shè)備：比閃存快1萬倍 讀寫僅用10納秒

在現(xiàn)在計算機(jī)內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲時間不長，硬盤與閃存則相反。而今，一種原型存儲設(shè)備打破了這種限制，實(shí)現(xiàn)了速度...

2013-06-14 標(biāo)簽：閃存 853 0