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標(biāo)簽 > 14nm
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緊咬臺(tái)積電不放 格羅方德后年量產(chǎn)14nm
為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī),格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3D FinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中,預(yù)計(jì)明年客戶(hù)即可開(kāi)始投片,后年...
臺(tái)積電重金投入R&D 專(zhuān)注20與14nm工藝研發(fā)
據(jù)報(bào)道,2012年臺(tái)積電準(zhǔn)備為其R&D投入13億美元,作為本年度資本支出預(yù)算中的一部分。去年,臺(tái)積電的R&D預(yù)算首次突破10億美元。而今年多出的30%將...
摩爾定律是推動(dòng)集成電路性能前進(jìn)的影響力參數(shù)。在過(guò)去數(shù)十年里集成電路數(shù)量每?jī)赡昃头槐丁,F(xiàn)在這個(gè)步伐已經(jīng)被超越?
IMEC發(fā)布首款14nm工藝開(kāi)發(fā)套件
歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時(shí)魯汶)日前宣布,已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開(kāi)發(fā)套件(PDK),這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開(kāi)發(fā)工具...
2012-03-09 標(biāo)簽:IMEC開(kāi)發(fā)套件14nm 1.4k 0
AMD考慮改變傳統(tǒng)的工藝策略,不再一味盲目追新?,F(xiàn)在我們談?wù)?0nm和14nm。我認(rèn)為我們?cè)趤喸邮澜缰行凶叩么_實(shí)很艱難。轉(zhuǎn)換到新工藝所帶來(lái)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)已...
Intel 14nm測(cè)試芯片已成功試驗(yàn)運(yùn)行
Intel公司于日前在接受采訪(fǎng)時(shí),再次確認(rèn)將會(huì)繼續(xù)實(shí)行其知名的鐘擺(Tick-Tock)戰(zhàn)略,并且該公司將會(huì)根據(jù)原計(jì)劃在2014年推出14nm工藝。
光刻14nm、5nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)
在SEMICON West上另一個(gè)熱點(diǎn)是光刻技術(shù)能否達(dá)到15nm的經(jīng)濟(jì)制造?半導(dǎo)體業(yè)是有希望未來(lái)采用EUV技術(shù)。
2011-03-08 標(biāo)簽:節(jié)點(diǎn)光刻14nm 3.2k 0
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