據(jù)行業(yè)消息，蘋(píng)果首款2nm工藝芯片A20單顆成本預(yù)計(jì)高達(dá)280美元（約合1959元人民幣），較上一代A19增幅達(dá)80%，很可能成為智能手機(jī)史上“最貴芯片”。
2026-01-05 18:02:30
48 實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中
2026-01-03 05:58:003950
l 真實(shí)性：更貼近實(shí)際使用中的應(yīng)力狀態(tài)
l 敏感性：能發(fā)現(xiàn)微觀界面的結(jié)合缺陷
四、 焊球剪切測(cè)試的適用場(chǎng)景
工藝開(kāi)發(fā)與優(yōu)化階段
在新工藝開(kāi)發(fā)過(guò)程中，需要精確評(píng)估界面結(jié)合質(zhì)量時(shí)，剪切測(cè)試能夠提供更直
2025-12-31 09:09:40
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造的智能手機(jī)系統(tǒng)
2025-12-25 08:56:008274 
UltraScale+ 系列 FPGA 芯片 AU25P ： ? 采用? 16nm FinFET+ ?先進(jìn)工藝，相比老一代 28nm/20nm 產(chǎn)品在每瓦性能上實(shí)現(xiàn)了代際飛躍，功耗低，在緊閉、被動(dòng)散熱
2025-12-24 10:54:15286 
當(dāng)前新能源驅(qū)動(dòng)電機(jī)市場(chǎng)新品迭出，競(jìng)爭(zhēng)激烈，為了進(jìn)一步提升性能、降低成本，聯(lián)合電子通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新構(gòu)建差異化競(jìng)爭(zhēng)力，以扁線電機(jī)、油冷技術(shù)、新材料、新工藝以及集成化設(shè)計(jì)為代表的創(chuàng)新技術(shù)一直是聯(lián)合電子的核心能力。
2025-12-16 16:45:41775 探索AMD XILINX Versal Prime Series VMK180評(píng)估套件，開(kāi)啟硬件創(chuàng)新之旅 在電子設(shè)計(jì)的領(lǐng)域中，快速實(shí)現(xiàn)原型設(shè)計(jì)并確保高性能是每一位工程師的追求。AMD XILINX
2025-12-15 14:40:02228 探索AMD Kria K24 SOM：高性能嵌入式平臺(tái)的卓越之選 在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，不斷追求高性能、高集成度和靈活性是工程師們的目標(biāo)。AMD Kria K24 SOM
2025-12-15 14:35:02194 近日，廣州市總工會(huì)公布了2025年廣州市勞模和工匠人才創(chuàng)新工作室（含女職工創(chuàng)新工作室）支持建設(shè)對(duì)象及優(yōu)秀等次名單。廣電計(jì)量?jī)纱髣?chuàng)新工作室喜獲佳績(jī)。其中，“陸裕東工匠人才創(chuàng)新工作室”被確定為市級(jí)支持
2025-12-12 11:14:55572 BVceo ≥80V。薩科微半導(dǎo)體總部設(shè)在中國(guó)廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)公司的發(fā)展，薩科微技術(shù)團(tuán)隊(duì)主要來(lái)自韓國(guó)延世大學(xué)和清華大學(xué)，掌握國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝，及第五代超快恢復(fù)功率
2025-12-04 11:36:34
設(shè)備選型不是 “一錘子買(mǎi)賣(mài)”，而是關(guān)乎 20 年經(jīng)營(yíng)效益的長(zhǎng)期決策。與其靠經(jīng)驗(yàn)賭運(yùn)氣，不如用數(shù)據(jù)算清賬本 —— 智能選型系統(tǒng)的價(jià)值，正是讓每一分投入都花在刀刃上，既不盲目追求高價(jià)設(shè)備，也不被低價(jià)陷阱拖累。
2025-12-01 11:12:26478 
? 在電子工程師的設(shè)計(jì)領(lǐng)域中，A/D轉(zhuǎn)換器一直是至關(guān)重要的組件。今天，我們將深入探討TI公司的ADC14L020這款14位、20 MSPS的A/D轉(zhuǎn)換器，為大家詳細(xì)解析它的特性、參數(shù)、應(yīng)用以
2025-11-30 14:28:07528 
的控制芯片，甚至工業(yè)設(shè)備的傳感器，都能看到它的身影。
之前總擔(dān)心國(guó)產(chǎn)芯片 “產(chǎn)能跟不上、良率不夠高”，但查了下中芯國(guó)際的最新動(dòng)態(tài)：2025 年 Q3 的 14nm 產(chǎn)能已經(jīng)提升了 20%，良率穩(wěn)定
2025-11-25 21:03:40
在智能制造浪潮的推動(dòng)下，對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中瞬態(tài)現(xiàn)象的精確捕捉與解析已成為提升質(zhì)量、追溯故障與革新工藝的關(guān)鍵。
2025-11-24 10:45:42632 電子加工行業(yè)新工藝落地難？線材顏色識(shí)別不準(zhǔn)、平行度檢測(cè)效率低，還受安裝空間限制？ TY（維視客戶代號(hào)，下文同）的選擇給出了最優(yōu)解 —— 維視智造線材顏色與平行度檢測(cè)解決方案，用精準(zhǔn)技術(shù) + 高性?xún)r(jià)比
2025-11-20 11:43:47108 大家好！疊層固態(tài)電容工藝相比傳統(tǒng)的電容工藝，在響應(yīng)速度上具體快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾十年的發(fā)展歷程中，對(duì)更高性能、更低功耗與更緊湊設(shè)計(jì)的追求始終是驅(qū)動(dòng)技術(shù)迭代的核心動(dòng)力。如今，這些追求推動(dòng)著制程工藝節(jié)點(diǎn)突破物理極限，正式邁入以2nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)為標(biāo)志的埃米級(jí)時(shí)代。
2025-11-07 10:24:23433 
近日，第六屆中國(guó) MEMS 制造大會(huì)在萬(wàn)眾期待中拉開(kāi)帷幕，這場(chǎng)匯聚全球 350 + 行業(yè)先鋒的頂級(jí)盛會(huì)，以 “新工藝?強(qiáng)封裝?智感知” 為核心，全方位解碼 MEMS 產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新突破與未來(lái)航向。
2025-10-30 15:29:12917 工藝技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，深刻塑造了當(dāng)今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。從早期的平面晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），再到最新的全環(huán)繞柵極（GAA）架構(gòu)，每一代新工藝節(jié)點(diǎn)都為顯著改善功耗、性能和芯片面積（PPA）創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。
2025-10-24 16:28:391177 
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無(wú)論是智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車(chē)，還是衛(wèi)星通信系統(tǒng)，SOI技術(shù)都在幕后扮演著關(guān)鍵角色。
2025-10-21 17:34:181329 
優(yōu)化工藝、提升良率的關(guān)鍵。一、核心功能：從“從無(wú)到有”到“從有到精”1. 引腳成型：引腳的“精準(zhǔn)塑造”
引腳成型設(shè)備的核心使命，是完成引腳的初次定型。在芯片制造的后段或封裝環(huán)節(jié)，它負(fù)責(zé)將原始的、平直
2025-10-21 09:40:14
預(yù)見(jiàn)未來(lái)技術(shù)趨勢(shì)！除基礎(chǔ)充放電外，新一代芯片需集成無(wú)線充電/AI能耗管理/多協(xié)議兼容等功能。解讀華芯邦正在研發(fā)的下一代方案，如何通過(guò)新材料+新工藝實(shí)現(xiàn)更高集成度。
2025-10-16 16:05:14390 Microchip Technology AVR64DD14/20微控制器是avr? DD系列微控制器的一部分，使用avr? CPU和硬件乘法器。 Microchip Technology此款器件
2025-10-13 11:38:28539 
Microchip Technology AVR32/16DD14/20微控制器 (MCU) 采用帶硬件乘法器的AVR^?^ CPU，運(yùn)行時(shí)鐘速度高達(dá)24MHz，具有高達(dá)32KB閃存、高達(dá)4KB
2025-10-10 14:46:18574 
在汽車(chē)電子領(lǐng)域，電容器的可靠性直接關(guān)系到整車(chē)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。近年來(lái)，隨著新能源汽車(chē)和智能駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)車(chē)規(guī)級(jí)電容器的要求愈發(fā)嚴(yán)苛。合粵電子最新推出的激光焊接密封車(chē)規(guī)電容，通過(guò)創(chuàng)新工藝將防潮性能提升40%，為行業(yè)樹(shù)立了新的技術(shù)標(biāo)桿。
2025-09-29 18:00:20544 AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(luò)（NoC, Network on Chip），這是一個(gè)硬化的、高帶寬、低延遲互連結(jié)構(gòu)，旨在實(shí)現(xiàn)可編程邏輯（PL）、處理系統(tǒng)（PS）、AI引擎（AIE）、DDR控制器（DDRMC）、CPM（PCIe/CXL）等模塊之間的高效數(shù)據(jù)交換。
2025-09-19 15:15:212366 
現(xiàn)代AI智能眼鏡的技術(shù)發(fā)展，得益于先進(jìn)芯片工藝的推動(dòng)。以聯(lián)發(fā)科12nm制程工藝為例，相較于傳統(tǒng)的14nm制程，其在功耗控制上表現(xiàn)卓越，最高可節(jié)省15%的電量。這一改進(jìn)對(duì)于AI智能眼鏡這種高續(xù)航需求的設(shè)備來(lái)說(shuō)尤為重要，能夠顯著提升設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性與可靠性。
2025-09-18 20:03:50677 
MI300，是AMD首款數(shù)據(jù)中心HPC級(jí)的APU
③英特爾數(shù)據(jù)中心GPU Max系列
3）新粒技術(shù)的主要使用場(chǎng)景
4）IP即芯粒
IP即芯粒旨在以芯粒實(shí)現(xiàn)特殊功能IP的即插即用，解決5nm、3nm以及以下工藝
2025-09-15 14:50:58
BCM56771A0KFSBG性能密度：?jiǎn)涡酒?12.8Tbps + 32×400G 端口，降低設(shè)備數(shù)量與 TCO。技術(shù)前瞻：PAM4 調(diào)制 + 7nm 工藝，平滑演進(jìn)至 800G 時(shí)代。能效比
2025-09-09 10:41:47
。
FinFET是在22nm之后的工藝中使用，而GAA納米片將會(huì)在3nm及下一代工藝中使用。
在叉形片中，先前獨(dú)立的兩個(gè)晶體管NFET和PFET被連接和集成在兩邊，從而進(jìn)一步提升了集成度。同時(shí)，在它們之間
2025-09-06 10:37:21
難以從先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)中獲得顯著收益。而遷移到新工藝節(jié)點(diǎn)，實(shí)則是讓這些功能運(yùn)行在成本陡增的晶圓上，卻僅換來(lái)微乎其微的回報(bào)，可謂得不償失。同時(shí)，技術(shù)創(chuàng)新節(jié)奏日益加快，使得新一代片上系統(tǒng)（SoC）的迭代周期從傳統(tǒng)的3-4年縮短至1-2年。
2025-09-05 10:40:56565 
的擁有830nm單模系列產(chǎn)品全流程設(shè)計(jì)與制造能力的企業(yè)！基于度亙核芯在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域深厚的技術(shù)積淀與高端IDM制造工藝，實(shí)現(xiàn)了功率≥300mW、線寬≤0.5nm、高
2025-08-26 13:08:361308 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實(shí)現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲(chǔ)IP核已在國(guó)內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過(guò)
2025-08-14 17:20:531311 以下兩種常見(jiàn)縮寫(xiě)之一：(1)NewProcessPath（新工藝路徑）應(yīng)用場(chǎng)景：在生產(chǎn)線升級(jí)時(shí)，為測(cè)試新型清洗配方或反應(yīng)條件而設(shè)立的專(zhuān)用化學(xué)槽。例如：“本次試驗(yàn)將
2025-08-13 10:59:37866 
芯片）、紫光展銳（物聯(lián)網(wǎng)芯片）、寒武紀(jì)（AI芯片）等企業(yè)進(jìn)入全球TOP10設(shè)計(jì)公司榜單 國(guó)產(chǎn)EDA工具取得突破：華大九天實(shí)現(xiàn)28nm工藝全流程支持 短板：CPU/GPU等高端芯片設(shè)計(jì)仍依賴(lài)ARM/X86架構(gòu)授權(quán) 制造環(huán)節(jié) 中芯國(guó)際14nm工藝量產(chǎn)，N+1（等效7nm）
2025-08-12 11:50:0936895 
絕對(duì)值編碼器作為精準(zhǔn)定位與運(yùn)動(dòng)控制的核心部件，其選型直接影響設(shè)備的精度、穩(wěn)定性和壽命。但在實(shí)際選型中，由于對(duì)技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景和產(chǎn)品特性的理解偏差，很容易陷入誤區(qū)。本文針對(duì)絕對(duì)值編碼器選型的常見(jiàn)誤區(qū)之一：混淆“分辨率”與“精度”,盲目追求高分辨率，并提供對(duì)應(yīng)的避坑思路，幫助精準(zhǔn)選型。
2025-08-04 11:24:30925 
9月23日-25日，2025中國(guó)電力企業(yè)數(shù)智化大會(huì)暨數(shù)智賦能電力行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇將在杭州舉辦。聯(lián)盛德微電子將亮相本屆盛會(huì)，集中展示最新技術(shù)、新產(chǎn)品、新工藝、新成果，誠(chéng)邀業(yè)界同仁蒞臨交流，共襄盛舉。
2025-08-01 16:38:341410 熱原子層沉積（ALD）精確調(diào)控AlO?膜厚（7/14nm）結(jié)合低溫退火，實(shí)現(xiàn)高效邊緣鈍化。該技術(shù)結(jié)合美能在線薄膜厚度測(cè)試儀在線實(shí)時(shí)監(jiān)控膜厚，確保鈍化層厚度一致性以
2025-08-01 09:03:291165 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）2025年，全球AI芯片市場(chǎng)正迎來(lái)一場(chǎng)結(jié)構(gòu)性變革。在英偉達(dá)GPU占據(jù)主導(dǎo)地位的大格局下，ASIC（專(zhuān)用集成電路）憑借針對(duì)AI任務(wù)的定制化設(shè)計(jì)，成為推動(dòng)算力革命的新動(dòng)力引擎。數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)AI芯片市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2024年的1425億元迅猛增長(zhǎng)至2029年的1.34萬(wàn)億元，其中，ASIC架構(gòu)產(chǎn)品將在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。 ? AI ASIC是專(zhuān)為人工智能算法打造的專(zhuān)用集成電路。其核心特征在于，通過(guò)硬件層面的深度定制，在特定場(chǎng)景下實(shí)現(xiàn)極
2025-07-26 07:22:006150 變壓器、電感器的技術(shù)方向簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是實(shí)現(xiàn)低損耗和高轉(zhuǎn)化效率。在滿足電性能的前提下，降低損耗成為變壓器、電感器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。為此，需要對(duì)變壓器、電感器的損耗進(jìn)行詳細(xì)分解，并從材料技術(shù)和結(jié)構(gòu)工藝技術(shù)兩大
2025-07-25 13:44:04676 
2025年以來(lái)，鋰電行業(yè)呈復(fù)蘇跡象，3C電子、半導(dǎo)體行業(yè)穩(wěn)定增長(zhǎng)，疊加終端制造廠商在新工藝、新應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)迭代，國(guó)內(nèi)SCARA機(jī)器人迎來(lái)了快速增長(zhǎng)期。
2025-07-17 18:05:061873 隨著越來(lái)越多的FPC柔性線路板應(yīng)用到電子終端設(shè)備上，如前端智能設(shè)備：手機(jī)、筆記本電腦、汽車(chē)部件、醫(yī)療設(shè)備等。在電子產(chǎn)品進(jìn)入高密度組裝的如今，加上新型電子設(shè)備、新CHIP部品，新型陶瓷壓電變壓器、新電子材料和新工藝的導(dǎo)入使激光自動(dòng)焊錫機(jī)在FPC、電子元器件等領(lǐng)域被大量應(yīng)用。
2025-07-16 14:57:18707 AMD Power Design Manager 2025.1 版（PDM）現(xiàn)已推出——增加了對(duì)第二代 AMD Versal AI Edge 和 第二代 Versal Prime 系列的支持，并支持已量產(chǎn)的 AMD Spartan UltraScale+ 系列。
2025-07-09 14:33:00983 面對(duì)近來(lái)全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來(lái)的巨大供應(yīng)短缺，芯動(dòng)科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開(kāi)發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點(diǎn)，率先在全球多個(gè)主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 系列機(jī)型。博主數(shù)碼閑聊站爆料，明年的A20、A20 Pro都將升級(jí)臺(tái)積電2nm工藝，這意味著蘋(píng)果將邁入2nm時(shí)代。據(jù)悉，明年下半年登場(chǎng)的是iPhone 18系列新品，該系列首發(fā)搭載蘋(píng)果A20、A20
2025-07-03 11:02:351297 PTR54H20是一款基于Nordic nRF54H20芯片的超低功耗藍(lán)牙6.0模塊，采用22nm制程工藝，集成五核異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)：雙Arm Cortex-M33處理器（主頻320MHz）、雙
2025-06-25 09:57:37
*附件：門(mén)型展架 創(chuàng)新工坊553閃光系統(tǒng) 商業(yè)計(jì)劃書(shū).rar
*附件：12.rar
2025-06-21 08:28:20
這篇文章在開(kāi)發(fā)者分享｜AMD Vitis HLS 系列 1 - AMD Vivado IP 流程（Vitis 傳統(tǒng) IDE） 的基礎(chǔ)上撰寫(xiě)，但使用的是 AMD Vitis Unified IDE，而不是之前傳統(tǒng)版本的 Vitis HLS。
2025-06-20 10:06:152067 
Versal是AMD 7nm的SoC高端器件，不僅擁有比16nm性能更強(qiáng)的邏輯性能，并且其PS系統(tǒng)中的CPM PCIe也較上一代MPSoC PS硬核PCIe單元強(qiáng)大得多。本節(jié)將基于AMD官方開(kāi)發(fā)板展示如何快速部署PCIe5x8及DMA功能。
2025-06-19 09:44:291617 
三防漆的防護(hù)容易出現(xiàn)各種問(wèn)題，比如噴涂死角多、環(huán)保性差、返修耗時(shí)及成功率低等等。 針對(duì)這些痛點(diǎn)，世強(qiáng)帶來(lái)PECVD納米涂層技術(shù)防護(hù)解決方案，以媲美三防漆的成本，大幅提升防護(hù)效果與可靠性。 比起傳統(tǒng)的防護(hù)工藝，納米涂層工藝可以實(shí)
2025-06-06 18:26:481592 
以下是基于最新行業(yè)爆料對(duì)蘋(píng)果A20芯片的深度解讀，綜合技術(shù)革新、性能提升及行業(yè)影響三大維度分析： 一、核心技術(shù)創(chuàng)新 ? ? 制程工藝突破 ? ? 全球首款2nm芯片 ?：采用臺(tái)積電N2（第一代2納米
2025-06-06 09:32:012982 制程工藝升級(jí) 蘋(píng)果 A20 芯片將采用臺(tái)積電的第二代 2nm 工藝（N2），這一制程技術(shù)相較于當(dāng)下 iPhone 16 系列
2025-06-05 16:03:391294 。在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)加劇的浪潮中，芯矽科技使命在肩。一方面持續(xù)加大研發(fā)投入，探索新技術(shù)、新工藝，提升設(shè)備性能，向國(guó)際先進(jìn)水平看齊；另一方面，積極攜手上下游企業(yè)，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)，共破技術(shù)瓶頸，推動(dòng)
2025-06-05 15:31:42
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門(mén)檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%，實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
2025-06-04 15:20:211051 ，保障繞組結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。其繞組采用環(huán)氧樹(shù)脂澆注工藝，進(jìn)一步提升結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。CSD船用隔離變壓器外殼由2.0冷軋鋼板制成，框架和活動(dòng)面板間采用耐高溫硅橡膠條密封，滿足返
2025-05-17 16:00:12502 
優(yōu)勢(shì)】1.精密結(jié)構(gòu)防護(hù)采用專(zhuān)利筑壩填充工藝：高粘度膠體精準(zhǔn)構(gòu)筑防護(hù)壩體，低粘度材料無(wú)縫填充芯片間隙，形成無(wú)死角封裝結(jié)構(gòu)。這種創(chuàng)新工藝可有效控制膠體流動(dòng)路徑，精準(zhǔn)覆蓋觸點(diǎn)及
2025-05-16 10:42:02563 
在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化浪潮與智能制造的共振下，蘭寶傳感PDE系列激光位移傳感器不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端工業(yè)傳感器的技術(shù)空白，更以卓越性能重新定義行業(yè)標(biāo)桿。無(wú)論是提升良率、降低成本，還是加速新工藝研發(fā)，PDE系列都將成為您征戰(zhàn)半導(dǎo)體精密制造的“終極武器”。
2025-05-12 10:29:25875 
激光錫焊作為現(xiàn)代精密焊接領(lǐng)域的革新工藝，憑借其非接觸式能量輸出的技術(shù)特性，在3C電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。
2025-05-09 16:19:311481 
驗(yàn)證的通用方法。WLR技術(shù)的核心目標(biāo)與應(yīng)用場(chǎng)景
本質(zhì)目標(biāo)：評(píng)估工藝穩(wěn)健性，削弱本征磨損機(jī)理（如電遷移、氧化層擊穿），降低量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)，并為工藝優(yōu)化提供早期預(yù)警。
應(yīng)用場(chǎng)景：新工藝或新技術(shù)開(kāi)發(fā)階段，快速識(shí)別
2025-05-07 20:34:21
晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn)，每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影，每一次工藝革新都在突破物理極限。
2025-05-07 15:12:302191 
基于臺(tái)積電先進(jìn)2nm（N2）制程技術(shù)的高性能計(jì)算產(chǎn)品。這彰顯了AMD與臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的合作優(yōu)勢(shì)，即利用領(lǐng)先的制程技術(shù)共同優(yōu)化新的設(shè)計(jì)架構(gòu)。這也標(biāo)志著AMD在執(zhí)行數(shù)據(jù)中心CPU路線圖上邁出了重要
2025-05-06 14:46:20635 
國(guó)情,提出了我國(guó)實(shí)施電機(jī)系統(tǒng)節(jié)能工程的建議,為推動(dòng)我國(guó)整體節(jié)能工作的開(kāi)展提供參考。純分享帖，需要者可點(diǎn)擊附件獲取完整資料~~~*附件：電機(jī)系統(tǒng)節(jié)能關(guān)鍵技術(shù)及展望.pdf
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2025-04-30 00:43:11
其A14工藝將于2028年量產(chǎn)的消息，無(wú)疑再次將行業(yè)推向了新的高潮。我將結(jié)合最新的論文和國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究，為大家深入剖析TSMCA14工藝的技術(shù)亮點(diǎn)及其對(duì)行業(yè)的深遠(yuǎn)
2025-04-25 13:09:101569 
在鋰電池的多元格局中，圓柱電池、方形電池和軟包電池各具優(yōu)勢(shì)。其中，圓柱電池作為最早實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)的鋰電池類(lèi)型，憑借持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)適應(yīng)性，在行業(yè)中始終占據(jù)重要地位。圓柱電池求新求變重塑格局圓柱
2025-04-24 15:22:55821 
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
2025-04-24 14:27:32715 Ultrascale是賽靈思開(kāi)發(fā)的支持包含步進(jìn)功能的增強(qiáng)型FPGA架構(gòu)，相比7系列的28nm工藝，Ultrascale采用20nm的工藝，主要有2個(gè)系列：Kintex和Virtex
2025-04-24 11:29:012261 
日前，作為唯一光伏企業(yè)，晶科能源受邀擔(dān)任B20南非“工業(yè)轉(zhuǎn)型與創(chuàng)新工作組”的聯(lián)席主席。B20是G20的官方工商論壇，匯集了全球工商界在塑造國(guó)際經(jīng)濟(jì)政策方面的建言獻(xiàn)策，以推動(dòng)可持續(xù)和包容性增長(zhǎng)。
2025-04-21 17:44:28746 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢(shì)、工程化應(yīng)用以及未來(lái)展望。
2025-04-17 10:09:322323 
隨著集成電路的發(fā)展, 先進(jìn)封裝技術(shù)不斷發(fā)展變化以適應(yīng)各種半導(dǎo)體新工藝和新材料的要求和挑戰(zhàn)。
2025-04-16 15:43:19673 我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車(chē)工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車(chē)規(guī)級(jí) IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽車(chē)電子和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
2025-04-16 10:17:15843 
第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻：對(duì)準(zhǔn)和曝光 第15章 光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù) 第16章
2025-04-15 13:52:11
在 TNC 插座生產(chǎn)車(chē)間，每一個(gè)工藝環(huán)節(jié)都凝聚著工程師們的智慧與心血，每一道質(zhì)量檢測(cè)工序都為產(chǎn)品的高品質(zhì)筑牢根基。正是憑借對(duì)工藝的執(zhí)著追求與對(duì)質(zhì)量的嚴(yán)格把控，TNC 插座方能在市場(chǎng)中嶄露頭角，贏得用戶信賴(lài)，為人們的生活與工作提供安全、可靠的電氣連接保障。
2025-03-28 08:55:21653 
TB2000已正式通過(guò)廠內(nèi)驗(yàn)證，將于SEMICON 2025展會(huì)天準(zhǔn)展臺(tái)（T0-117）現(xiàn)場(chǎng)正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測(cè)裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)模化量產(chǎn)檢測(cè)能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點(diǎn)后，天準(zhǔn)在高端檢測(cè)裝備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的又一里程碑。 核心技術(shù)自主研發(fā) TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33682 在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候，系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V，此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片，所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換（主要考慮信噪比和帶寬）一般我們用哪種工藝的芯片，
CMOS,Bipolar，F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么？
2025-03-25 06:23:13
，較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升（此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋(píng)果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴，或?qū)⒙氏炔捎眠@一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測(cè)iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝，但其最
2025-03-24 18:25:091240 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:401827 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋(píng)果A19 或A20 芯片采用臺(tái)
2025-03-14 00:14:002486 據(jù)外媒曝料稱(chēng)三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱(chēng)三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 深圳2025年2月20日?/美通社/ -- 1月，江波龍推出了7.2mm×7.2mm的超小尺寸eMMC*，為AI智能穿戴設(shè)備的物理空間優(yōu)化提供了全新的存儲(chǔ)解決方案。繼這款創(chuàng)新封裝存儲(chǔ)產(chǎn)品問(wèn)世后，江波
2025-02-21 09:29:05673 本文介紹了集成電路制造工藝中的偽柵去除技術(shù)，分別討論了高介電常數(shù)柵極工藝、先柵極工藝和后柵極工藝對(duì)比，并詳解了偽柵去除工藝。 高介電常數(shù)金屬柵極工藝 隨著CMOS集成電路特征尺寸的持續(xù)縮小，等效柵氧
2025-02-20 10:16:361303 
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少，480mW/cm2能否使用，有沒(méi)有在355nm下的客戶應(yīng)用案例？
這個(gè)是激光器的參數(shù)：355nm，脈寬5ns，單脈沖能量60uJ，照射面積0.37cm^2，
2025-02-20 08:42:33
TechInsights與SemiWiki近日聯(lián)合發(fā)布了對(duì)英特爾Intel 18A(1.8nm級(jí)別)和臺(tái)積電N2(2nm級(jí)別)工藝的深度分析。結(jié)果顯示，兩者在關(guān)鍵性能指標(biāo)上各有優(yōu)勢(shì)。 據(jù)
2025-02-17 13:52:021086 本文主要簡(jiǎn)單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點(diǎn)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 ? 在集成電路制造領(lǐng)域，工藝流程主要涵蓋前段工藝（Front End of Line，F(xiàn)EOL）與后段工藝
2025-02-17 09:43:282173 
據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
2025-02-12 17:04:04995 ，占地面積達(dá)20萬(wàn)平方米，規(guī)模宏大。據(jù)悉，該工廠將專(zhuān)注于生產(chǎn)筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)及服務(wù)器等電子產(chǎn)品，預(yù)計(jì)年產(chǎn)量將達(dá)到數(shù)百萬(wàn)臺(tái)，并全部打上“沙特制造”的標(biāo)簽。 聯(lián)想集團(tuán)對(duì)此次投資寄予厚望，計(jì)劃于2026年正式投產(chǎn)。新工廠的建立不僅將進(jìn)
2025-02-11 09:32:10909 全年奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 展望第二季度，英飛凌假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.05，預(yù)計(jì)營(yíng)收將達(dá)到約36億歐元。在此背景下，利潤(rùn)率預(yù)計(jì)將在14%~16%之間。這一預(yù)測(cè)顯示出公司對(duì)市場(chǎng)需求的持續(xù)看好以及成本控制能力的提升。 對(duì)于整個(gè)2025財(cái)年，英飛凌也上調(diào)了業(yè)績(jī)展望。在匯
2025-02-08 10:15:431035 近日，荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示，通過(guò)精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級(jí)缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學(xué)效率，進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54686 
在 AMD Vivado Design Suite 2024.2 版本中，Advanced Flow 自動(dòng)為所有 AMD Versal 自適應(yīng) SoC 器件啟用。請(qǐng)注意，Advanced Flow
2025-01-23 09:33:321440 
近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071408 高達(dá)14億美元，不僅將超越當(dāng)前正在研發(fā)的2nm工藝技術(shù)，更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領(lǐng)域。NanoIC試驗(yàn)線的啟動(dòng)，標(biāo)志著歐洲在半導(dǎo)
2025-01-21 13:50:441023 一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國(guó)內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國(guó)內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647 10 Apk（7 ARMS）的穩(wěn)態(tài)輸出電流，以及高達(dá)20 Apk（14 ARMS）的脈沖輸出電流（tpulse= 300 ms，周期為總周期的 5%、10% 和 20%）。*附件：14 ARMS 三相
2025-01-18 10:30:201610 
MCU在車(chē)載系統(tǒng)中的展望
以下是MCU在車(chē)載系統(tǒng)中的展望：
技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
高性能與低功耗并重 ：智能座艙等車(chē)載系統(tǒng)對(duì)MCU的計(jì)算能力和內(nèi)存資源要求不斷提高，以支持復(fù)雜的控制算法和高速數(shù)據(jù)處理。同時(shí)
2025-01-17 12:11:04
Adobe近日宣布了一系列面向內(nèi)容創(chuàng)作者的新工具和服務(wù)，旨在利用生成式人工智能技術(shù)簡(jiǎn)化繁瑣的勞動(dòng)密集型任務(wù)。其中，備受矚目的新工具——“FireflyBulkCreate”應(yīng)用程序，更是為內(nèi)容創(chuàng)作者
2025-01-15 10:39:29883 2024年3D打印技術(shù)領(lǐng)域在新材料、新工藝和新應(yīng)用方面繼續(xù)取得突破，并呈現(xiàn)出多樣的發(fā)展態(tài)勢(shì)。工藝方面，行業(yè)更加關(guān)注極限制造能力，從2023年的無(wú)支撐3D打印到2024年的點(diǎn)熔化、鍛打印、光束整形、多
2025-01-13 18:11:181783 
近日，據(jù)外媒最新報(bào)道，聯(lián)發(fā)科正在積極籌備下一代旗艦級(jí)芯片——天璣9500，并計(jì)劃在今年末至明年初正式推出這款備受期待的芯片。 原本，聯(lián)發(fā)科有意采用臺(tái)積電最先進(jìn)的2nm工藝來(lái)制造天璣9500，以期在
2025-01-06 13:48:231130 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料、新工藝、新器件的不斷發(fā)展，人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種替代方法已經(jīng)被引入器件建模領(lǐng)域。本文介紹了ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模的起源、優(yōu)勢(shì)、實(shí)現(xiàn)方式和應(yīng)用場(chǎng)景。 ? 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的新材料
2025-01-06 13:41:211792 
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