臺(tái)積電2nm工廠將于2022年第三季度開(kāi)建

據(jù)媒體報(bào)道稱，日前臺(tái)積電的新竹N2工廠目前正在為取得土地而作業(yè)中，據(jù)了解，該工廠將會(huì)用到2nm制程工藝，是臺(tái)積電第一座2nm工廠。 臺(tái)積電表示，該廠的建...

2022-06-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 1.7k 0

臺(tái)積電為發(fā)展2nm制程竟計(jì)劃投入2300億！為的就是保全領(lǐng)先地位

臺(tái)積電和三星同為全球先進(jìn)的晶圓代工廠，之前臺(tái)積電一直都是壓了三星一頭的，不過(guò)后來(lái)三星宣布將比臺(tái)積電更早完成3nm制程量產(chǎn)工作并采用GAAFET技術(shù)后，臺(tái)...

2022-06-06 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 1.8k 0

“美日芯片同盟”劍指2nm，美半導(dǎo)體朋友圈再縮小

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）對(duì)于美國(guó)半導(dǎo)體的“圈子文化”，電子發(fā)燒友網(wǎng)曾經(jīng)有過(guò)專門報(bào)道，在題為《美國(guó)大搞IC圈子文化，多個(gè)聯(lián)盟先后成立，中國(guó)芯要警惕這...

2022-05-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體2nm 2.9k 0

美日聯(lián)手對(duì)抗臺(tái)積電，欲攻克2nm工藝技術(shù)

據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道稱，美國(guó)與日本就2nm工藝研發(fā)一事展開(kāi)了技術(shù)合作，將有美日雙方數(shù)家高科技公司參與該協(xié)議。 目前的芯片代工領(lǐng)域，中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電毫無(wú)疑問(wèn)...

2022-05-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片代工2nm 1.7k 0

日美半導(dǎo)體聯(lián)手想盡快突破2nm工藝 臺(tái)積電將跌落神壇？

無(wú)論是在制作工藝還是經(jīng)驗(yàn)之談上，臺(tái)積電都是美日在2nm芯片研發(fā)上不可或缺的伙伴，可是為何這兩個(gè)家伙卻在這次將臺(tái)積電拒之門外了呢？

2022-05-05 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 2.4k 0

上海首批復(fù)工企業(yè)“白名單” 俄羅斯發(fā)布28nm芯片戰(zhàn)略

臺(tái)積電的工藝進(jìn)展越來(lái)越快，7nm突破之后，5nm，4nm推進(jìn)非常迅速。其中4nm將可能在今年下半年量產(chǎn)、3nm將在明年首先用于蘋(píng)果下一代處理器。而2nm...

2022-04-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電28nm芯片2nm 1.9k 0

2nm芯片將于2025年量產(chǎn)，將啟用全新技術(shù)

臺(tái)積電報(bào)告稱正全力以赴地開(kāi)發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。

2022-04-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nm2nm 2.9k 0

臺(tái)積電預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)2nm ，3nm工藝計(jì)劃8月份開(kāi)始試產(chǎn)

臺(tái)積電還談到了未來(lái)的新工藝的進(jìn)度，3nm工藝將在今年下半年量產(chǎn)，而2025年則會(huì)量產(chǎn)2nm工藝。

2022-04-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電2nm 2.4k 0

2nm量產(chǎn)面臨哪些問(wèn)題

近日，臺(tái)積電2nm工藝fab20工廠獲批，最快到2024年下半年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的消息令半導(dǎo)體業(yè)界炸開(kāi)了鍋。那么2nm意味著什么？它到底能給業(yè)界帶來(lái)怎樣的改變？

2022-01-05 標(biāo)簽：芯片晶體管2nm 4.9k 0

臺(tái)積電將在2021年底建立2nm測(cè)試產(chǎn)線

近日，據(jù)日媒報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電宣布，將計(jì)劃在2021年底建立一條測(cè)試產(chǎn)線，用來(lái)生產(chǎn)2nm工藝的半導(dǎo)體。同時(shí)臺(tái)積電還制定了一個(gè)計(jì)劃，將建立...

2021-06-04 標(biāo)簽：臺(tái)積電工藝制程3nm 5.4k 0

IBM重磅發(fā)布了全球首個(gè)2nm芯片制造技術(shù)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四，IBM發(fā)布了全球首個(gè)2nm芯片制造技術(shù)。 在當(dāng)前的半導(dǎo)體環(huán)境下，這件事意義確實(shí)重大，因?yàn)樽罱鼛啄觐I(lǐng)導(dǎo)先進(jìn)工藝的是臺(tái)積電，I...

2021-05-10 標(biāo)簽：芯片IBM2nm 3.1k 0

IBM再度捷足先登，全球首發(fā)2nm芯片

IBM于5月6日宣布，在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制程上實(shí)現(xiàn)重大突破，并首發(fā)全球首個(gè)2nm芯片，預(yù)計(jì)這一芯片未來(lái)將在通信裝置、交通運(yùn)輸系統(tǒng)和關(guān)鍵基建上起到關(guān)鍵作用。 ...

2021-05-07 標(biāo)簽：芯片IBM2nm 7.6k 0

2nm異質(zhì)互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（hCFET）已開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)高性能和低功耗

2020年12月，由日本工業(yè)技術(shù)研究院（AIST）和中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si（硅）/ Ge（硅）/...

2020-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管低功耗 3.9k 0

美國(guó)打壓,臺(tái)積電不能為國(guó)內(nèi)的芯片提供有效的幫助

國(guó)內(nèi)雖然掌握了先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，但是卻無(wú)法制造出來(lái)，這便是目前國(guó)產(chǎn)芯片的主要問(wèn)題所在。而在芯片制造領(lǐng)域，來(lái)自于中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電處于絕對(duì)領(lǐng)先的地位，無(wú)論...

2020-11-20 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電2nm 4.7k 0

追趕臺(tái)積電！ 三星計(jì)劃2022年3nm量產(chǎn)

據(jù)彭博社報(bào)道，三星電子正向下一代芯片業(yè)務(wù)投入1160億美元，其中包括晶圓代工，押注其最終可以在兩年后縮小與臺(tái)積電的差距。該韓國(guó)巨頭將在2022年大規(guī)模生...

2020-11-18 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 4k 0