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CVD與PVD的區(qū)別及比較

CVD與PVD的區(qū)別及比較 (一)選材：化學(xué)蒸鍍－裝飾品、超硬合金、陶瓷物理蒸鍍－高溫回火之工、模

2009-03-06 標(biāo)簽：PVD CVD 2.6萬 0

如何通過CVD實現(xiàn)單晶石墨烯的批量合成

說起石墨烯，幾乎家喻戶曉，其優(yōu)異的機械和電學(xué)性能引起全世界科學(xué)家們瘋狂的追捧。盡管目前在實驗室中小尺寸的石墨烯單晶制備及其應(yīng)用研究已經(jīng)獲得了長足的進(jìn)步，...

2018-03-16 標(biāo)簽：石墨烯 cvd 1.2萬 0

接觸孔工藝（Contact Process）

接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝，也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一，是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。

2022-11-22 標(biāo)簽：集成電路 SiO2 CVD 1.1萬 0

半導(dǎo)體用大尺寸單晶金剛石襯底制備及加工

金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點群為 oh7-Fd3m。每個碳原子以 sp3雜化的方式與其周...

2023-08-08 標(biāo)簽：激光器 SiC AFM 9.4k 0

旋涂絕緣介質(zhì)（SOD）是什么?

如果是用淀積溫度較低的PECVD，其生成介質(zhì)層的溫度普遍在300-450攝氏度之間，對于一些溫度敏感的器件，這么高的溫度無疑是致命的。但是SOD則只需要...

2023-10-22 標(biāo)簽：薄膜 CVD 電介質(zhì) 7.1k 0

碳化硅材料技術(shù)對器件可靠性有哪些影響

前言碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化...

2021-08-16 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 CVD 6.7k 0

金屬薄膜的制備條件如何

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簡述基于金剛石量子技術(shù)的醫(yī)療成像應(yīng)用

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2021-06-28 標(biāo)簽：激光晶體管 CVD 4.6k 0

Novellus正在悄悄地開發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k，以防萬一

應(yīng)用，Novellus正在悄悄地開發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k，以防萬一慕尼黑 - 您認(rèn)為IBM公司周一宣布在0.13微米銅IC中使用旋涂低k電介質(zhì)材料將是Ap...

2020-02-12 標(biāo)簽：CVD 電介質(zhì)華強pcb線路板打樣 4.4k 0

二氧化釩材料相變的太赫茲光譜與陣列成像

二氧化釩（VO?）材料是一種具有絕緣態(tài)到金屬態(tài)可逆相變特性的材料，在光器件及信息技術(shù)中有非常廣泛的應(yīng)用。

2023-02-23 標(biāo)簽：soc 調(diào)制器傅里葉變換 4.3k 0

基于MEMS微橋結(jié)構(gòu)技術(shù)制造的微測輻射熱計器件

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2023-02-21 標(biāo)簽：asic mems 單芯片 3.9k 0

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2022-11-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅外延片 3.9k 0

半導(dǎo)體金剛石有什么不同每種金剛石都能造芯嗎？

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CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除

本文介紹了CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質(zhì)量影響因素以下將以PECVD技術(shù)沉積薄膜作為案例，闡述影響薄膜品質(zhì)的幾個核心要素。 PEC...

2025-01-20 標(biāo)簽：薄膜 CVD 3.7k 0

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金剛石大尺寸晶圓屢創(chuàng)紀(jì)錄加速我國半導(dǎo)體行業(yè)“彎道超車”

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金剛石薄膜熱導(dǎo)率測量的難點和TDTR解決方案

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半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場-概況半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場上有各種類型...

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芯和半導(dǎo)體

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