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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過(guò)它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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高性能超高鎳層狀正極的多尺度晶體場(chǎng)效應(yīng)

通常認(rèn)為，超高鎳正極的性能劣化與源自次級(jí)顆粒內(nèi)隨機(jī)取向的初級(jí)晶粒的晶間裂紋密切相關(guān)，這主要是由于c軸從H2到H3相變的急劇晶格收縮引起的各向異性機(jī)械應(yīng)變...

2023-07-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)電解質(zhì)DFT 3k 0

一種快速DFT DRC檢查的功能介紹

在芯片做功能ECO時(shí)，DFT部分的邏輯常常被破壞，這是由于正常工作模式下修改設(shè)計(jì)的原因。

2023-03-06 標(biāo)簽：DFT DRC ECO 2.9k 0

通過(guò)構(gòu)建界面梯度異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高倍率和長(zhǎng)壽命鋅金屬陽(yáng)極

鋅離子水電池(AZIBs)因其豐富的鋅儲(chǔ)量、內(nèi)在安全性、高理論能量密度(820 mAh g-1)和低還原電位(與標(biāo)準(zhǔn)氫電極相比為-0.76 V)而備受關(guān)注。

2024-02-28 標(biāo)簽：離子電池鋅電池 DFT 2.9k 0

一種用于水系鋅離子電池的新型碳基聚合物PODA/MnO2雜化正極材料

盡管如此，Zn//MnO2電池的使用壽命和倍率性能仍有較大提升空間，尤其是在高負(fù)載量和深度放電條件下。

2022-11-09 標(biāo)簽：離子電池 DFT 電池充放電 2.9k 0

富含缺陷的2D介孔Mo-Co-O納米片助力析氧電催化

尺寸較小的2D納米材料還可以提供更多的邊緣活性位點(diǎn)，因此通過(guò)2D納米材料的尺寸調(diào)控也能夠提高催化性能。在2D氧化物納米材料中引入缺陷

2022-11-03 標(biāo)簽：DFT TOF 2.9k 0

通過(guò)電化學(xué)和化學(xué)方法進(jìn)行LiFePO4的預(yù)鋰化

磷酸鐵鋰(LiFePO4)因其低成本和高循環(huán)穩(wěn)定性而被廣泛用作儲(chǔ)能鋰離子電池的正極材料。

2022-12-30 標(biāo)簽：鋰離子電池加速器 DFT 2.9k 0

超薄羥基化二氧化硅離子篩實(shí)現(xiàn)均勻的鋅離子分布和沉積

水系鋅離子電池(AZIB)由于其低成本、與水性電解質(zhì)兼容以及高理論容量，已被視為鋰離子電池(LIB)的有前途的替代品，尤其是在大規(guī)模電網(wǎng)儲(chǔ)能領(lǐng)域具有巨大的優(yōu)勢(shì)。

2022-12-06 標(biāo)簽：鋰離子電池電解液 DFT 2.9k 0

聚苯并咪唑助力高性能富鹽體系聚合物電解質(zhì)鋰離子電池

近年來(lái)，“鹽中聚合物”的概念備受關(guān)注。在傳統(tǒng)的聚合物固態(tài)電解質(zhì)中，鋰鹽所占比例低于主要的聚合物基體，可統(tǒng)稱(chēng)為“聚合物中鹽”體系。

2023-04-11 標(biāo)簽：鋰離子電池 DFT DSC 2.9k 0

缺陷誘導(dǎo)致密非晶/晶相異質(zhì)結(jié)實(shí)現(xiàn)快速穩(wěn)定儲(chǔ)鈉

該工作結(jié)合先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)研究與密度泛函理論（DFT）計(jì)算，探索了V2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)形成強(qiáng)協(xié)同效應(yīng)的致密A/C界面的機(jī)理和Na+擴(kuò)散的動(dòng)力學(xué)機(jī)制，并將A/C-...

2022-11-07 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 鈉離子電池 2.9k 0

關(guān)于SpyGlass安裝步驟

SpyGalss是目前業(yè)界唯一可靠的RTL Sign off解決方案，可以幫助客戶(hù)在設(shè)計(jì)早期發(fā)現(xiàn)潛在問(wèn)題，保證產(chǎn)品質(zhì)量，極大的減少設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)，降低設(shè)計(jì)成本。

2023-11-09 標(biāo)簽：DFT 2.8k 0

用晶面工程方法設(shè)計(jì)具有高容量和快速電化學(xué)動(dòng)力學(xué)的MOF基電極

金屬有機(jī)骨架(MOFs)作為一種有前途的電極材料，越來(lái)越受到科研界的關(guān)注。但是，大多數(shù)研究中都是直接使用MOF電極作為電極材料而不進(jìn)行任何修飾。

2022-10-24 標(biāo)簽：電容器堿性電池 PFC 2.8k 0

高效太陽(yáng)能電池的配體錨定誘導(dǎo)定向晶體生長(zhǎng)

窄帶隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金鈣鈦礦太陽(yáng)能電池是一種有前途的全鈣鈦礦串聯(lián)器件底部組件電池，有望提供比單結(jié)太陽(yáng)能電池的理論Shockley-...

2023-04-01 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池 ADI芯片 UPS 2.8k 0

材料科學(xué)邁向AI4Materials的關(guān)鍵因素（上）

材料的結(jié)構(gòu)直接決定了其物理和化學(xué)性質(zhì)，這種關(guān)系也常稱(chēng)之為“構(gòu)效關(guān)系”。如何快速有效地建立起這種“構(gòu)效關(guān)系”是探索和設(shè)計(jì)新型功能材料的關(guān)鍵。

2023-12-29 標(biāo)簽：人工智能石墨烯 DFT 2.8k 0

相結(jié)工程觸發(fā)內(nèi)置電場(chǎng)助力-30℃快充電池

快速充電鋰離子電池在低溫（<30℃）下的高運(yùn)行能力對(duì)于寒冷地區(qū)電網(wǎng)的頻率調(diào)節(jié)和峰值負(fù)荷轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。

2023-05-04 標(biāo)簽：鋰離子電池充電電池 DFT 2.8k 0

DFT的簡(jiǎn)單介紹（上）

DFT全稱(chēng)為Design for Test，可測(cè)性設(shè)計(jì)。就是說(shuō)我們?cè)O(shè)計(jì)好一個(gè)芯片后，在仿真時(shí)可能99%的用例都通過(guò)了，怎么保證流片出來(lái)的實(shí)際芯片也能正常工作呢？

2023-12-06 標(biāo)簽：DFT ATE GDS 2.8k 0

Lightelligence使用Cadence Xcelium多核加速DFT仿真

當(dāng)今片上系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性日益增加，可能導(dǎo)致長(zhǎng)達(dá)數(shù)小時(shí)、數(shù)天甚至數(shù)周的可測(cè)試性（DFT）仿真設(shè)計(jì)。由于這些往往發(fā)生在專(zhuān)用集成電路（ASIC）項(xiàng)目結(jié)束時(shí)...

2023-04-20 標(biāo)簽：集成電路仿真 DFT 2.8k 0

如何使用DFT App進(jìn)行硬件加速仿真設(shè)計(jì)

DFT 可以降低通過(guò)問(wèn)題器件的風(fēng)險(xiǎn)，如果最終在實(shí)際應(yīng)用中才發(fā)現(xiàn)器件有缺陷，所產(chǎn)生的成本將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于在制造階段發(fā)現(xiàn)的成本。它還能避免剔除無(wú)缺陷器件，從而提高...

2019-09-16 標(biāo)簽：eda DFT 2.7k 0

Ti3C2 MXenes上的氧化物納米團(tuán)簇鈍化缺陷以增強(qiáng)鋰離子存儲(chǔ)性能

MXenes作為鋰離子電池負(fù)極的商業(yè)化在很大程度上受到低初始庫(kù)侖效率（ICE）和不利的循環(huán)穩(wěn)定性的阻礙，這與Ti3C2 MXene 上的Ti空位(VTi...

2023-01-03 標(biāo)簽：鋰離子電池電解質(zhì)DFT 2.7k 0

原位磁性測(cè)試揭示過(guò)渡金屬化合物儲(chǔ)鋰/儲(chǔ)鈉性能差異根源

鋰離子（Li+）、鈉離子（Na+）等單價(jià)堿金屬離子是可充電二次電池中具有重要現(xiàn)實(shí)意義的基本電荷載體，為全球現(xiàn)代化建設(shè)奠定了基礎(chǔ)。

2023-04-19 標(biāo)簽：鋰離子電池 DFT 鈉離子電池 2.7k 0

手機(jī)芯片為啥這么燒錢(qián)？

芯片就像手機(jī)的大腦，我們將輸入信號(hào)作為原材料輸入手機(jī)，通過(guò)改變芯片內(nèi)部的走線(xiàn)、邏輯，就能對(duì)輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn)不同的處理方式。

2023-06-01 標(biāo)簽：晶圓晶體管 DFT 2.7k 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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東芝公司

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Arasan

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SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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3DXPoint

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
V-NAND

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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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