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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

借助虛擬工藝加速CMOS工藝優(yōu)化

我們不斷向先進的CMOS的微縮和新存儲技術(shù)的轉(zhuǎn)型，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化。例如，在3D NAND內(nèi)存中，容量的擴展通過垂直堆棧層數(shù)的增加來實現(xiàn)，...

2023-01-06 標簽：CMOS DRAM 虛擬工藝 1.9k 0

單片機解密為什么是撬開芯片國產(chǎn)化的第一步呢

芯片國產(chǎn)化是中國在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)得到國家政策的扶持。

2023-02-27 標簽：集成電路 DRAM 存儲器 1.9k 0

不同的存儲器技術(shù)介紹如何選擇正確的存儲器技術(shù)

存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) ...

2023-08-17 標簽：DRAM 存儲器 DDR 1.9k 0

ZNS SSD設(shè)計架構(gòu)及性能優(yōu)化

ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責任從FTL轉(zhuǎn)移到主機軟件，ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、...

2023-06-29 標簽：閃存 DRAM 存儲介質(zhì) 1.9k 0

升級版PCIe 5.0 SSD深度評測解析

為了提升SSD的性能，HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨立緩存設(shè)計。本次測試的2TB產(chǎn)品配備了多達4GB獨立緩存（編號為H...

2023-09-12 標簽：DRAM PWM 散熱器 1.9k 0

3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時，3D DRAM開發(fā)路線圖

目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機構(gòu)都在進行3D DRAM的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。

2024-04-17 標簽：處理器 DRAM 三星電子 1.9k 0

存儲器工藝概覽:常見類型介紹

? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計算機、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本...

2025-02-14 標簽：CMOS DRAM 存儲器 1.9k 0

內(nèi)存接口芯片技術(shù)有哪些

CXL 增加了芯片內(nèi)部的技術(shù)復(fù)雜性，這需要集成電路（IC）和復(fù)雜的片上系統(tǒng)（SoC）專業(yè)知識來設(shè)計、開發(fā)和執(zhí)行復(fù)雜的 SoC。在 CXL 存儲器解決方案...

2023-08-24 標簽：DRAM 內(nèi)存接口芯片 1.9k 0

以更低的系統(tǒng)成本實現(xiàn)更高的移動存儲性能

以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設(shè)備的設(shè)計中造成瓶頸。為了實現(xiàn)更高的性能，設(shè)備必須使用片上DRAM，這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴展（UM...

2023-05-26 標簽：DRAM NAND 存儲器 1.9k 0

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1.9k 0

動態(tài)時鐘停止重啟太快，可通過編程LPDDR2控制器解決

在沒有內(nèi)存事務(wù)處理執(zhí)行以及如果接收到內(nèi)存請求重啟時鐘時，用戶可通過編程 LPDDR2 控制器來停止 DRAM 時鐘。

2018-06-23 標簽：dram soc 1.9k 0

先進ic封裝常用術(shù)語有哪些

TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術(shù)中的關(guān)鍵實現(xiàn)技術(shù)。半導(dǎo)體行業(yè)一直在使用HBM技術(shù)將DRAM封裝在3DIC中。

2023-11-27 標簽：集成電路 CMOS DRAM 1.8k 0

談?wù)凬RAM的“用武之地”

NRAM是一個近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM芯片的可擴展性和對閃存的超強耐久性的潛力。

2024-01-09 標簽：DRAM 閃存芯片人工智能 1.8k 0

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；

2023-04-28 標簽：DRAM 晶圓晶體管 1.8k 0

面向圖形、網(wǎng)絡(luò)和HPC的下一代內(nèi)存技術(shù)

在過去的十年中，GDDR5已成為行業(yè)標準，并在所有面向圖形的技術(shù)中占據(jù)重要地位。GDDR5 專注于使用更多功率來實現(xiàn)更高的時鐘速度。GDDR5 芯片以單...

2023-05-26 標簽：芯片 DRAM 接口 1.8k 0

DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization

隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的...

2017-03-28 標簽：DRAM 1.8k 0

對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的...

2022-08-01 標簽：DRAM 3D 晶體管 1.7k 0

AMD可以把內(nèi)存堆在CPU上嗎？

先進制程工藝進度緩慢的情況下，多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢，各家不斷玩出新花樣。

2023-02-23 標簽：amd 半導(dǎo)體 DRAM 1.7k 0

如何處理SoC中的性能瓶頸呢？

SoC 中不斷添加處理核心，但它們不會都得到充分利用，因為真正的瓶頸沒有得到解決。

2024-05-01 標簽：處理器 DRAM SoC芯片 1.7k 0

全新沉積技術(shù)SPARC實現(xiàn)先進邏輯和DRAM集成設(shè)計

使用 SPARC 或單個前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...

2022-09-29 標簽：DRAM SPARC 碳化硅 1.7k 0

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東軟集團是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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