`哪位了解LCVD激光氣相沉積設(shè)備，想買一臺用來做補線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點！`
2014-01-17 10:36:02
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時序特征設(shè)計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)。
2021-04-28 07:10:38
模式也使得DRAM的集成度高于SRAM，一個DRAM的存儲單元僅需要一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四道六個晶體管和其它的零件，故DRAM在大容量以及價格上會有優(yōu)勢。 FlashFLASH
2019-09-18 09:05:09
。圖3 刮刀只有臺階的鋼網(wǎng)設(shè)計示意圖 ?。?）自動點錫膏 自動點錫膏（如圖4所示）成功地為通孔和異形組件沉積體積正確的錫膏，它提供了網(wǎng)板印刷可能無 法實現(xiàn)的大量錫膏沉積的靈活性和能力?，F(xiàn)今，自動點膠
2018-11-22 11:01:02
CMOS集成邏輯門的邏輯功能與參數(shù)測試一、實驗?zāi)康?．掌握CMOS集成門電路的邏輯功能和器件的使用規(guī)則;2．學(xué)會CMOS與非門主要參數(shù)的測試方法。二、預(yù)習(xí)要求1．復(fù)
2009-07-15 18:37:20
0 窗口寄存器作為SPARC 結(jié)構(gòu)中一個重要的概念在進行基于SPARC 結(jié)構(gòu)的嵌入式實時系統(tǒng)移植時，需要在任務(wù)切換函數(shù)中進行與其相關(guān)的處理。本文簡單介紹了SPARC 的棧結(jié)構(gòu)、寄存器窗
2009-08-05 16:19:4021 集成邏輯部件:本章主要分析和討論完成數(shù)字邏輯電路各種功能的基本邏輯部件——門電路的外特性及基本結(jié)構(gòu)。首先介紹目前廣泛應(yīng)用的TTL集成邏輯門電路，然后討論MOS集成邏輯電
2009-09-01 09:05:120 基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計與實現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:1045 沉積靜電效應(yīng)測試飛機整機沉積靜電效應(yīng)試驗驗證、機載設(shè)備（如通信設(shè)備等）抗沉積靜電試驗驗證、飛機靜電泄放器（靜電放電刷）放電性能試驗驗證、其它有要求的地面裝備（如帶通信天線的快速移動車輛等）抗沉積靜電
2024-11-18 09:52:13
集成邏輯門電路邏輯功能的測試
一、實驗?zāi)康?
2009-03-28 09:49:44
13390 
集成算術(shù)/邏輯單元舉例
集成算術(shù)／邏輯單元（ALU）能夠完成一系列的算術(shù)運算和邏輯運算。74LS381
2009-04-07 10:39:271554 
SPARC是一個開放的體系結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)，它基于80年代加州大學(xué)伯克利分校對RISC微處理器的研究成果，現(xiàn)在已成為國際上流行的RISC微處理器體系架構(gòu)之一。本文介紹了SPARC微處理器的發(fā)展歷
2010-06-23 11:33:183276 
Mouser Electronics宣布在Mouser.com上推出其最新的技術(shù)網(wǎng)站，專注于可編程邏輯技術(shù)。 該全新網(wǎng)站有助于工程師了解有關(guān)不同類型可編程邏輯技術(shù)的更多信息和識別適用于特定應(yīng)用的理想元器件。
2013-06-14 10:53:571232 實現(xiàn)在車內(nèi)
集成和管理多種
先進無線
技術(shù)。我們非常高興發(fā)布這一平臺，在未來的汽車設(shè)計中提供最佳的
先進連接解決方案和服務(wù)?！?/div>
2016-06-13 09:45:541081 基于SPARC的VxWorks異常處理研究_黃江泉
2017-03-17 08:00:001 邏輯門是數(shù)字電路的基礎(chǔ)。各種多姿多彩的邏輯門組合在一起，形成了數(shù)字電路的大千世界。實際上，邏輯門反映的是邏輯代數(shù)的幾種基本運算，只要你能夠實現(xiàn)這樣的邏輯代數(shù)規(guī)則，你就能夠用其他設(shè)備來實現(xiàn)邏輯門的功能。
2017-09-19 14:19:1823 的處理器具有指令系統(tǒng)簡單、采用硬布線控制邏輯、處理能力強、速度快、可靠性高等特點，基于這些特點，SPARC結(jié)構(gòu)處理器現(xiàn)在被廣泛地應(yīng)用于UNIX工作站、服務(wù)器等穩(wěn)定性要求很高的環(huán)境中。隨著SPARC V8
2017-10-31 15:40:421 SPARC（Scalable Processor ARChitecture）可擴展處理器架構(gòu)是SUN公司在1985年提出的體系結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)，它基于1980年到1982年間加州大學(xué)伯克利分校關(guān)于
2017-11-01 16:18:333 合肥睿力集成電路，此前曾名合肥長鑫，這是中國的一家DRAM初創(chuàng)企業(yè)，稱今年年底將完成前端設(shè)備組裝，并在2018年2月實現(xiàn)19nm DRAM量產(chǎn)。
2018-06-11 16:27:0031789 出愈來愈廣泛的應(yīng)用。 高k閘極介電質(zhì)及金屬閘極的ALD沉積對于先進邏輯晶片已成為標(biāo)準(zhǔn)，并且該技術(shù)正用于沉積間隔定義的雙倍暨四倍光刻圖樣（SDDP、SDQP），用以推廣傳統(tǒng)浸潤式微影的使用以界定高密度邏輯暨記憶體設(shè)計的最小特征尺寸。
2018-02-13 03:16:0027388 本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來進行詳細(xì)介紹。
2018-04-21 08:19:0014107 
E 系列能夠幫助存儲器芯片制造商應(yīng)對當(dāng)前所面臨的諸多關(guān)鍵挑戰(zhàn)，從而推動3D NAND 及 DRAM 器件尺寸持續(xù)縮小。這一基于泛林業(yè)界領(lǐng)先的存儲器制造產(chǎn)品組合的全新系統(tǒng)正逐步吸引全球市場的關(guān)注，在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生產(chǎn)商投入使用，并且被用于許多新技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。
2018-05-24 17:19:003486 DRAM在過去的幾十年里發(fā)展方向單一，以追求高密度存儲器為目標(biāo)，但臺灣的鈺創(chuàng)科技沒有走傳統(tǒng)路線，而是開發(fā)全新的DRAM架構(gòu)，稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。
2019-02-11 09:16:114896 
繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM，SK海力士及美光預(yù)期會在1α納米或1β納米評估導(dǎo)入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:313118 作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832 sparc體系架構(gòu)的窗口寄存器的深入理解 1.概述 2.窗口寄存器的特性 3.程序的設(shè)計 4.sparc設(shè)計對于嵌入式編程的優(yōu)劣 1.概述 sparc這種架構(gòu)有著特殊的窗口寄存器，使用sparc芯片
2021-01-07 10:39:594770 說明：若有考慮不周，歡迎留言指正。 原子層沉積在半導(dǎo)體先進制程的應(yīng)用 隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷提高，晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小，溝槽及其側(cè)壁的鍍膜技術(shù)面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，物理氣相沉積（PVD
2021-04-17 09:43:2123544 
MICRON最近宣布，我們正在發(fā)貨使用全球最先進的DRAM工藝制造的存儲芯片。這個過程被神秘地稱為“1α”（1-alpha）。這是什么意思，有多神奇？
2021-09-15 17:00:522714 Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一項新研發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，用于在晶圓級上從多種材料中創(chuàng)建三維微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)基于通過原子層沉積（ALD）工藝在空腔中將微米級粉末顆粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:233303 評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū)
2022-08-01 10:22:261684 
在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，
2022-10-14 17:12:591447 
有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096 
2022 年?11 月?2 日；內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的 1
2022-11-02 11:50:511703 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1
2022-11-02 17:27:481537 以往，具備低漏電、高性能特性的先進制程工藝多用于邏輯芯片，特別是PC、服務(wù)器和智能手機用CPU，如今，這些工藝開始在以DRAM為代表的存儲器中應(yīng)用，再加上EUV等先進設(shè)備和工藝的“互通”，邏輯芯片和存儲器的制程節(jié)點和制造工藝越來越相近。
2022-11-17 11:10:083685 電子發(fā) 燒友網(wǎng)報道（文/ 周凱揚 ）軍事和特種工業(yè)裝備對于設(shè)備的要求往往較為獨特，尤其是在航空航天領(lǐng)域。在過去的航天設(shè)備電子系統(tǒng)中，SPARC架構(gòu)的處理器因為其高可靠性獲得了青睞，以至于目前大部分
2022-12-21 07:30:052015 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1βDRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。
2023-02-01 16:13:053032 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712478 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢。
2023-02-16 14:36:541256 ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠實現(xiàn)納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:056836 
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:516033 中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》研討課。在授課過程中，除教師系統(tǒng)地講授
2023-06-12 11:15:171606 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:215604 
隨著摩爾定律的放緩以及前沿節(jié)點復(fù)雜性和成本的增加，先進封裝正在成為將多個裸片集成到單個封裝中的關(guān)鍵解決方案，并有可能結(jié)合成熟和先進的節(jié)點。
2023-06-16 17:50:091597 
芯片已經(jīng)無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。
2023-07-12 11:19:311398 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547 共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團公司第四十五研究所） 摘要： 電化學(xué)沉積技術(shù)，作為集成電路制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)之一，它是實現(xiàn)電氣互連的基石，主要應(yīng)用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-20 16:58:231139 
共讀好書 魏紅軍 謝振民 （中國電子科技集團公司第四十五研究所） 摘要： 電化學(xué)沉積技術(shù)，作為集成電路制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)之一，它是實現(xiàn)電氣互連的基石，主要應(yīng)用于集成電路制造的大馬士革銅互連電鍍工藝
2023-12-11 17:31:181486 
先進的封裝技術(shù)可以將多個半導(dǎo)體芯片和組件集成到高性能的系統(tǒng)中。隨著摩爾定律的縮小趨勢面臨極限，先進封裝為持續(xù)改善計算性能、節(jié)能和功能提供了一條途徑。但是，與亞洲相比，美國目前在先進封裝技術(shù)方面落后
2023-12-14 10:27:142276 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:155751 
日前，Vishay光電子產(chǎn)品部宣布推出全新全集成接近傳感器，旨在提高消費類電子應(yīng)用的效率和性能。這款新傳感器采用了先進的技術(shù)，實現(xiàn)了多項性能提升，使其成為空間受限、電池供電應(yīng)用的理想選擇。
2024-02-01 14:00:371115 近日，美國知名數(shù)字標(biāo)牌解決方案供應(yīng)商Stratacache與半導(dǎo)體技術(shù)公司Lumiode達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同推動Micro LED技術(shù)的進一步發(fā)展。Stratacache計劃將Lumiode的背板沉積技術(shù)集成到其即將完成的Micro LED生產(chǎn)線E4當(dāng)中。
2024-02-05 17:07:041648 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《氣動邏輯元件模塊全新原裝.pdf》資料免費下載
2024-08-06 14:26:510 先進的CEFT晶體管，為了進一步優(yōu)化，一種名為選擇性沉積的技術(shù)應(yīng)運而生。這項技術(shù)通過精確控制材料在特定區(qū)域內(nèi)的沉積過程來實現(xiàn)這一目標(biāo)，并主要分為按需沉積（DoD， Deposition on Demand）與按需材料工藝（MoD， Material on Demand）兩種形式。 按需沉積（DoD）
2024-12-07 09:45:011576 
混合鍵合技術(shù)（下） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 3 Chiplet 異構(gòu)集成（上） 先進封裝技術(shù)（Semiconductor
2024-12-24 10:59:433078 
在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺上，每一項技術(shù)都是推動行業(yè)躍進的關(guān)鍵舞者。其中，原子層沉積（ALD）技術(shù)，作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星，正逐步成為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的核心要素。本文旨在深度剖析為何半導(dǎo)體制造對ALD技術(shù)情有獨鐘，并揭示其獨特魅力及廣泛應(yīng)用。
2025-01-24 11:17:211922 多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121953 
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠實現(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
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