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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 數(shù)據(jù)手冊(cè)

gan技術(shù)

深度壓縮感知(DCS)框架通過(guò)聯(lián)合訓(xùn)練生成器和通過(guò)元學(xué)習(xí)優(yōu)化重建過(guò)程，顯著提高了信號(hào)恢復(fù)的性能和速度。作者探索了針對(duì)不同目標(biāo)的測(cè)量訓(xùn)練，并給予最小化測(cè)量...

2019-05-25 標(biāo)簽：GaN 深度學(xué)習(xí)DeepMind 4.5k 0

GaN基微波半導(dǎo)體器件分析和比較

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷...

2017-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體微波 gan 4.5k 0

基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案

氮化鎵（GaN）器件具有類(lèi)似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。

2022-07-12 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵 GaN 4.5k 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來(lái)，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 4.4k 0

GaN晶體管在AC/DC電路設(shè)計(jì)中的重要性和作用

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2020-09-30 標(biāo)簽：AD 晶體管 GaN 4.4k 0

RadialGAN讓我們可以利用多個(gè)不同來(lái)源的數(shù)據(jù)集

Lars等發(fā)表的這篇論文通過(guò)在GAN的訓(xùn)練過(guò)程中施加特定類(lèi)別的梯度懲罰，在較老的架構(gòu)上取得了當(dāng)前最先進(jìn)的表現(xiàn)（在該項(xiàng)基準(zhǔn)測(cè)試上超過(guò)了之前最佳的學(xué)術(shù)成果）...

2018-09-07 標(biāo)簽：GAN 機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 4.4k 0

氮化鎵外延片的工藝及分類(lèi)介紹

通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵 MOCVD 4.4k 0

集成柵極驅(qū)動(dòng)器的GaN ePower超快開(kāi)關(guān)

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注，但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN...

2024-03-05 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 激光驅(qū)動(dòng)器 4.4k 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...

2023-06-14 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 4.4k 0

東京大學(xué)團(tuán)隊(duì)開(kāi)源了一款名為「neural collage」的圖像編輯工具

sCBN 是一種特殊形式的條件批正則化方法 (CBN)，作為批正則化方法 (BN) 的變體，它能夠?qū)?BN 中的參數(shù)按類(lèi)語(yǔ)義信息進(jìn)行編碼。對(duì)于圖像的局部...

2019-04-23 標(biāo)簽：圖像 GaN python 4.4k 0

INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)

2023-08-07 標(biāo)簽：GaN 功率晶體管 4.4k 0

面對(duì)5G基站巨大的耗電挑戰(zhàn)，GaN是業(yè)界需要的英雄

消費(fèi)者目前已經(jīng)開(kāi)始體驗(yàn)5G技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網(wǎng)寬帶匹敵，而且將來(lái)還可能在蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)區(qū)域內(nèi)支持更高密度的移動(dòng)設(shè)備和互連的物聯(lián)網(wǎng)...

2020-01-09 標(biāo)簽：移動(dòng)通信 GaN 蜂窩網(wǎng)絡(luò) 4.4k 0

將GaN用于射頻應(yīng)用的所有優(yōu)勢(shì)

氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。

2021-07-05 標(biāo)簽：射頻 GaN MMIC 4.3k 0

消除GaN-on-GaN器件熱障的方法

GaN-HEMT以高效率提供高射頻輸出功率而聞名。由于這些特性，這類(lèi)晶體管可以顯著改善微波到毫米波無(wú)線電通信和雷達(dá)系統(tǒng)的性能。這些HEMTs可用于氣象雷...

2020-11-29 標(biāo)簽：GaN 器件 4.3k 0

納微GaN與SiC技術(shù)革新數(shù)據(jù)中心電力架構(gòu)

隨著云端大規(guī)模人工智能（AI）的迅速發(fā)展與部署，包括OpenAI開(kāi)發(fā)的ChatGPT在內(nèi)，越來(lái)越多高性能的、為特定目標(biāo)設(shè)計(jì)的AI處理器正被集成至數(shù)據(jù)中心...

2025-10-30 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 AI GaN 4.3k 0

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 4.3k 0

基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理

一些光柵結(jié)構(gòu)也實(shí)現(xiàn)了向二維方向的拓展，使TE、TM兩個(gè)極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。

2023-12-28 標(biāo)簽：mems 發(fā)射器氣體傳感器 4.3k 0

GaN將改進(jìn)軍事和商業(yè)移動(dòng)手機(jī)、無(wú)線技術(shù)和衛(wèi)星技術(shù)

雷聲公司則采取了不同的方針，在馬薩諸塞州安多弗市運(yùn)營(yíng)其自己的制造廠。在贏得了3DLRR合同后，雷聲公司還期望依賴GaN技術(shù)以升級(jí)其“愛(ài)國(guó)者”導(dǎo)彈防御系統(tǒng)...

2018-05-25 標(biāo)簽：功率放大器無(wú)線技術(shù)GaN 4.3k 0

碳化硅MMIC上的氮化鎵：高功率AESA雷達(dá)設(shè)計(jì)

除了導(dǎo)致更高的輸出頻率范圍外，對(duì)于地面雷達(dá)來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)考慮因素，地面雷達(dá)越來(lái)越多地使用有源電子掃描陣列（AESA）技術(shù)，以在更小的封裝中封裝...

2023-05-24 標(biāo)簽：雷達(dá)GaN aesa 4.3k 0

向從未有人到過(guò)的星球發(fā)送信號(hào)時(shí)，會(huì)發(fā)生什么呢？

目前在地球上的許多地方，我們已經(jīng)能夠流暢使用無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。但是當(dāng)我們向從未有人到過(guò)的星球發(fā)送信號(hào)時(shí)，又會(huì)發(fā)生什么呢？

2018-07-17 標(biāo)簽：無(wú)線網(wǎng)絡(luò)GaN 無(wú)線電信號(hào) 4.2k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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