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交流輸入功率因數(shù)的CrM PFC控制器芯片——MK2562系列
PFC是功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)的縮寫,是一種電源管理技術(shù),可以在交直流轉(zhuǎn)換(ACDC)時提高電源對市電的利用率。
相對于硅(Si)和碳化硅(SiC),GaN有哪些優(yōu)勢
最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。
近年來,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時代的到來,對射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...
產(chǎn)品拆解 | 綠聯(lián) 65W GaN 三口快充充電頭
從GaN快充到多協(xié)議功率管理,綠聯(lián)如何在小體積中實(shí)現(xiàn)65W輸出?從反激初級到同步整流,從協(xié)議主控到功率分配,其電路設(shè)計體現(xiàn)了怎樣的多口快充兼容性與動態(tài)功...
GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗,這種輕量級設(shè)計具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 標(biāo)簽:pcb電路板電源轉(zhuǎn)換器 4.2k 0
但是這就造成了一個問題,類別損失沒有了。所以,LoGAN在AC-GAN的基礎(chǔ)上額外增加了一個分類器Q,輔助判別器進(jìn)行分類。也就是說,和AC-GAN不同,...
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...
以CycleGAN和pix2pix為代表的風(fēng)格遷移網(wǎng)絡(luò)是將圖像從一個領(lǐng)域轉(zhuǎn)移到另一個領(lǐng)域的模型(例如將馬變成斑馬,將素描畫編程帶有顏色的圖像)。結(jié)果是,...
2018-10-31 標(biāo)簽:圖像GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 4.1k 0
應(yīng)用于高密度電源設(shè)計的GaN半導(dǎo)體材料
GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計...
基于解剖學(xué)上的肌肉運(yùn)動方式,提出了一種轉(zhuǎn)換表情的新方法
對于任意表情,模型把輸入的RGB圖像定義為Iyr∈RH×W×3。通過把復(fù)雜表情解構(gòu)成一個個動作單元(AU),我們可以用一組N個AU yr = (y1, ...
半橋GaN應(yīng)用中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)解決方案
為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制,在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補(bǔ)驅(qū)動信號。為避免交叉?zhèn)鲗?dǎo),有目的地將死區(qū)時間放置在驅(qū)動信號的高側(cè)和低側(cè)。...
對緊湊而強(qiáng)大的電動機(jī)的需求給設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了最大限度地提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們正在轉(zhuǎn)向高壓和高頻操作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)...
AI生成的圖像可能會取代現(xiàn)有的攝影技術(shù)
隨著科技的發(fā)展,具有超高分辨率視覺吸引力的圖像變得越來越普遍。人們不再需要學(xué)習(xí)如何使用Photoshop和CorelDRAW等工具來增強(qiáng)和修改圖像,因?yàn)?..
臺灣“中央研究院”開發(fā)出一款新型生成對抗網(wǎng)絡(luò)
“通過使用梯度估計器,我們能夠使用反向傳播算法訓(xùn)練BinaryGAN,”Dong說,“此外,模型中采用的二值化導(dǎo)致了深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)的中間表征存在著多種...
德州儀器新型單級轉(zhuǎn)換器助力微型逆變器和便攜式電源設(shè)計
微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長,部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器(該產(chǎn)品將微型逆變器與小...
2025-08-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器逆變器FET 4k 0
在單個器件上實(shí)現(xiàn)光電探測和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器兩種角色的轉(zhuǎn)換
光電探測器和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器作為兩種典型的光電子器件,在光信息的感知和處理方面具有重要作用。
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEMT競爭最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間,其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
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