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今天,永磁電機(jī),也稱為直流無刷電機(jī),應(yīng)用廣泛,與其他電機(jī)相比,可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動態(tài)性能。迄今為止,硅基功率器件一直在逆變器電子產(chǎn)品...
2022-08-03 標(biāo)簽:逆變器GaN直流無刷電機(jī) 3.1k 0
如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點,第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
氮化鎵是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaN,它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號,這些信號通常是微伏數(shù)量級的信號或者低于-100 dBm,然后將該信號放大至一個更有用的水平,通常約為0....
這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月,NEDO發(fā)布了該決定,并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實施高功率解決方案,并提供應(yīng)...
用于1kW以上電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的集成電路GaN逆變器
自問世以來,氮化鎵技術(shù)開啟了電力電子領(lǐng)域的新紀(jì)元。GaN 技術(shù)的三個最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場和電子遷移率。當(dāng)這些參數(shù)結(jié)合起來時,由于 GaN 晶...
2022-07-29 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動GaN 3.1k 0
近日,由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊,研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...
安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
氮化鎵(GaN),作為時下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù),提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比,GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實現(xiàn)了性能的飛躍,廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...
實現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對當(dāng)前增長的人口和能源需求的一個關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動這一目標(biāo)達(dá)成的重要創(chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 (GaN)。
GaN HEMT開關(guān)過程中振蕩機(jī)制與驅(qū)動設(shè)計考量
增強(qiáng)型GaN HEMT具有開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點,正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小,柵極閾值電壓低(...
隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展,相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC和G...
使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度
High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...
如何通過PaddleHub快速實現(xiàn)計算機(jī)視覺任務(wù)
具體的說,就是讓機(jī)器去識別攝像機(jī)拍攝的圖片或視頻中的物體,檢測出物體所在的位置,并對目標(biāo)物體進(jìn)行跟蹤,從而理解并描述出圖片或視頻里的場景和故事,以此來模...
尋找硅替代物的研究始于上個世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗,這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...
電機(jī)驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動功率器件氮化鎵 2.9k 0
大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解
近年來氮化鎵(GaN)系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學(xué)儲存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...
氮化鎵(GaN)是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體,其開關(guān)速度比硅元件快20倍,并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動器的PFC和轉(zhuǎn)換器級中使用GaN開關(guān)...
2023-04-04 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動器 2.9k 0
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