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gan技術(shù)

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思? 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常...

2023-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.5k 0

GaN外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經(jīng)過(guò)幾十年的不...

2023-06-10 標(biāo)簽:薄膜晶體單晶 2.5k 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

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無(wú)論是在太空還是在地面,這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。

2023-09-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管GaN 2.5k 0

GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)

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高可靠性,高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)(Bel Group)聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...

2021-01-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2.5k 0

氮化鎵半導(dǎo)體的興起!

氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?;贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...

2022-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2.5k 0

晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析

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化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...

2024-04-24 標(biāo)簽:集成電路二極管晶體管 2.5k 0

嵌入PCB術(shù)語(yǔ)拓展

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一、術(shù)語(yǔ) 1、SiP:System-in-Package SiP是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),它將多個(gè)半導(dǎo)體器件、集成電路(IC)或其他電子組件,以及必要的輔助...

2025-01-08 標(biāo)簽:pcbSiPqfn 2.5k 0

功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng) 基于GaN的RF器件獨(dú)特優(yōu)勢(shì)眾多

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Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專(zhuān)為“商業(yè)和軍事雷達(dá),以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計(jì)。

2021-01-19 標(biāo)簽:SiCGaN射頻技術(shù) 2.5k 0

氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量

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介紹了氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用,對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件:Driving-Elec...

2025-03-12 標(biāo)簽:逆變器氮化鎵GaN 2.5k 0

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TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率,包括但不...

2025-04-14 標(biāo)簽:微控制器mcuPWM 2.5k 0

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本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對(duì)基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響:器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗(Ploss)下的結(jié)溫度(*T*~j~)動(dòng)力學(xué)、殼...

2023-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 2.5k 0

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

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NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”)功率開(kāi)關(guān)。之前...

2023-03-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNPCB 2.5k 0

基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

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當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/p>

2025-05-19 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)封裝GaN 2.4k 0

如何提高系統(tǒng)功率密度

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在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如,在談?wù)摴β拭芏葧r(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...

2023-05-18 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.4k 0

誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料?這種材料的特性是什么?

氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

2023-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 2.4k 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

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2023-09-27 標(biāo)簽:PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 2.4k 0

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器介紹

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數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng),而SiLM824...

2023-08-15 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件GaN 2.4k 0

GaN和SiC晶體管的區(qū)別

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幾十年來(lái),硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如,化合物半...

2022-08-03 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 2.4k 0

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁...

2023-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 2.4k 0

GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

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從科幻走入現(xiàn)實(shí),人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默而深刻的技術(shù)革命:更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動(dòng)算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...

2025-02-19 標(biāo)簽:伺服電機(jī)FETGaN 2.4k 0

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    藍(lán)牙5
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    藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?,更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng),新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps,是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是,它的有效距離是上一版本的4倍,理論上,藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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