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      gan技術(shù)

      淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

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      新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

      2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵 1.4k 0

      【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四：寬禁帶材料測(cè)試

      【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四：寬禁帶材料測(cè)試

      隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

      2021-03-26 標(biāo)簽：萬(wàn)用表SiCGaN 1.4k 0

      提高太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)的效率

      提高太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)的效率

      太陽(yáng)能有助于降低發(fā)電相關(guān)成本。這個(gè)行業(yè)最熱門(mén)的話(huà)題之一就是電源轉(zhuǎn)換效率。為了提高0.1%的效率，太陽(yáng)能逆變器制造商往往需要投入大量的時(shí)間。考慮到更高的效...

      2023-03-30 標(biāo)簽：電源太陽(yáng)能GaN 1.4k 0

      殺入新能源汽車(chē)市場(chǎng)的GaN，勝算幾何

      SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...

      2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETSiCGaN 1.4k 0

      GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

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      2025-03-13 標(biāo)簽：GaNPCB布局Pcb layout 1.4k 0

      下一代射頻芯片工藝路徑是什么樣的

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      在建模實(shí)驗(yàn)中，imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實(shí)現(xiàn)的性能：全 CMOS 實(shí)現(xiàn)、帶有 SiGe 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HB...

      2023-08-14 標(biāo)簽：功率放大器移動(dòng)通信GaN 1.4k 0

      在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問(wèn)題

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      歡迎再次來(lái)到我們的技術(shù)專(zhuān)欄——模擬芯視界。在上一期中，我們介紹了 EMI（特別是輻射發(fā)射）的來(lái)源，以及一系列旨在減少模擬信號(hào)鏈的 EMI 的技術(shù)，包括詳...

      2024-07-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器德州儀器GaN 1.4k 0

      HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)

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      HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W （46 dBm） 的...

      2025-03-11 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵GaN 1.4k 0

      TMS320F280037C微控制器技術(shù)文檔總結(jié)

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      2025-10-10 標(biāo)簽：微控制器電力電子GaN 1.4k 0

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      眾所周知，因?yàn)?GaN PA 需要使用特定的偏置時(shí)序，所以在某些設(shè)計(jì)中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會(huì)具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng)，可能會(huì)導(dǎo)致組件損壞...

      2023-02-22 標(biāo)簽：功率放大器電源管理GaN 1.4k 0

      BiGaN開(kāi)關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用

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      保護(hù)USB端口、為來(lái)自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)免受浪涌影響，都依賴(lài)于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...

      2024-10-24 標(biāo)簽：MOSFET電源管理GaN 1.3k 0

      TMS320F28P559SJ-Q1 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)

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      TMS320F28P55x （F28P55x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包...

      2025-04-14 標(biāo)簽：微控制器電力電子器件SiC 1.3k 0

      采用GaN功率IC簡(jiǎn)化電力電子設(shè)計(jì)

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      早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復(fù)雜、昂貴且頻率受限的外部電路，以及復(fù)雜的封裝來(lái)保護(hù)和控制脆弱的柵極，這嚴(yán)重限制了市場(chǎng)的采用。單片集成的GaN功率IC...

      2024-07-30 標(biāo)簽：電子設(shè)計(jì)GaN功率IC 1.3k 0

      基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

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      氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

      2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 1.3k 0

      GaN單晶晶片的清洗與制造方法

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      作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過(guò)hvpe (氫化物氣相)生長(zhǎng)法等進(jìn)行生長(zhǎng)...

      2022-04-15 標(biāo)簽：晶片GaN清洗 1.3k 0

      安森美GaN功率器件的功能和優(yōu)點(diǎn)

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      GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美（onse...

      2024-11-15 標(biāo)簽：安森美功率器件GaN 1.3k 0

      生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN的七大開(kāi)放性問(wèn)題

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      生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)在過(guò)去一年仍是研究重點(diǎn)，我們不僅看到可以生成高分辨率（1024×1024）圖像的模型，還可以看到那些以假亂真的生成圖像。此外，我們還很興奮能...

      2023-03-17 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 1.3k 0

      為什么熱管理是5G設(shè)計(jì)中的熱門(mén)話(huà)題

      5G 技術(shù)有望提供延遲小于 1 毫秒的無(wú)線(xiàn)通信、100 倍的網(wǎng)絡(luò)能效提升以及高達(dá)每秒 20 吉比特 (Gbit/s) 的數(shù)據(jù)速率。

      2023-03-08 標(biāo)簽：功率放大器MIMOGaN 1.3k 0

      GaN實(shí)現(xiàn)下一代高頻電路

      GaN實(shí)現(xiàn)下一代高頻電路

      提高功率密度的關(guān)鍵是提高開(kāi)關(guān)頻率，以最大限度地減少無(wú)源元件，例如變壓器、EMI 濾波器、大容量電容器和輸出電容器，同時(shí)保持或提高效率。自 1996 年以...

      2022-08-04 標(biāo)簽：電容器GaN高頻電路 1.3k 0

      羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢(shì)及路線(xiàn)圖

      羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢(shì)及路線(xiàn)圖

      氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...

      2023-08-02 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵GaN 1.3k 0

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        藍(lán)牙5
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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
      • Qorvo
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        +關(guān)注
        5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線(xiàn)連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
      • 智慧家庭
        智慧家庭
        +關(guān)注
        智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿(mǎn)關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
      • 智能工業(yè)
        智能工業(yè)
        +關(guān)注
        　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
      • Keysight
        Keysight
        +關(guān)注
        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線(xiàn)、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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      • 無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊
        無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊
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        無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
      • 太赫茲
        太赫茲
        +關(guān)注
        太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
      • 三星公司
        三星公司
        +關(guān)注
        三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
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        藍(lán)牙5.0
        +關(guān)注
        藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
      • Elektron
        Elektron
        +關(guān)注
      • 樂(lè)鑫
        樂(lè)鑫
        +關(guān)注
        樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
      • WiGig
        WiGig
        +關(guān)注
        WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線(xiàn)千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線(xiàn)技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
      • lorawan
        lorawan
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        LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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        KeyStone
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      • 5G毫米波
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        +關(guān)注
        5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿(mǎn)足未來(lái)無(wú)線(xiàn)通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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      • 無(wú)線(xiàn)設(shè)備
        無(wú)線(xiàn)設(shè)備
        +關(guān)注
        無(wú)線(xiàn)設(shè)備一般指無(wú)線(xiàn)電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線(xiàn)電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線(xiàn)、饋線(xiàn)和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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        +關(guān)注
        LoRa是一種線(xiàn)性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱(chēng)為遠(yuǎn)距離無(wú)線(xiàn)電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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      • 超外差接收機(jī)
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        　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
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        藍(lán)牙m(xù)esh
        +關(guān)注
        藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
      • HBT
        HBT
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        　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱(chēng)。英文全稱(chēng)為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。
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