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如何利用 GaN 功率器件實現(xiàn)出色的中等功率電機變頻器

作者：Bill Schweber 對更高效利用能源的推動、更嚴格的法規(guī)要求以及低溫運行的技術優(yōu)勢，所有這些都為近來降低電機功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標簽：變頻器電機驅動功率器件 1.6k 0

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第三代半導體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導體的...

2023-08-18 標簽：led 半導體氮化鎵 1.6k 0

氮化鎵快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...

2024-10-30 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 1.6k 0

利用封裝、IC和GaN技術提升電機驅動性能

2023-11-23 標簽：IC 封裝電機驅動 1.6k 0

氮化鎵（GaN）無刷直流電機驅動提升效率、減小尺寸和降低成本方面

本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無刷直流（BLDC）電機驅動應用中的優(yōu)勢展開研究，通過設計實例和實驗數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...

2025-04-24 標簽：氮化鎵 GaN 無刷直流電機驅動 1.5k 0

GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計

2023-01-30 標簽：GaN 寬帶功率放大器 1.5k 0

GaN的襯底類型及在5G通信中的應用

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導體研究的熱點，被稱為第三代半導體，它具有更...

2023-02-13 標簽：CMOS 半導體 GaN 1.5k 0

如何把GaN的特性完全發(fā)揮出來呢

LP88G24DCD內置650V級聯(lián)型結構的GaN功率器件，采用QFN8*8封裝，進一步減小芯片占板面積，底部采用一體化銅基板設計，具有極佳的散熱性能。

2022-11-30 標簽：串聯(lián)電阻驅動器 PMIC 1.5k 0

ChatGPT核心技術：transformer的核心算法結構

由于transformer是更高級的神經(jīng)網(wǎng)絡深度學習算法，對數(shù)據(jù)量有很高要求，這也催生了從小數(shù)據(jù)如何快速產生大數(shù)據(jù)的算法，比如GAN對抗網(wǎng)絡等。

2023-03-08 標簽：神經(jīng)網(wǎng)絡 GaN 深度學習 1.5k 0

針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.5k 1

GaN可靠性測試新突破：廣電計量推出高壓性能評估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，憑借卓越的功率轉換效率、超快的開關速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...

2024-11-28 標簽：SiC GaN 可靠性測試 1.5k 0

Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異

RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰(zhàn)性；

2023-11-21 標簽：功率放大器電源管理負電壓 1.5k 0

還在為用氮化鎵設計高壓電源犯難？試試這兩個器件

面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。

2023-04-28 標簽：晶體管 FET 氮化鎵 1.5k 0

GaN和SiC在工業(yè)電子領域的優(yōu)勢

提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關鍵趨勢，聚焦于優(yōu)化電力電子設備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn)，通...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC GaN 1.5k 0

TMS320F28003x系列微控制器技術文檔總結

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設計，包...

2025-10-10 標簽：微控制器電力電子 GaN 1.5k 0

用氮化鎵重新考慮功率密度

作為一種寬帶隙晶體管技術，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，...

2023-04-07 標簽：轉換器逆變器晶體管 1.5k 0

目前GaN正逐漸廣泛應用的四個主要中電壓領域

這篇技術文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應用領域的優(yōu)勢和應...

2025-02-14 標簽：氮化鎵 GaN 1.5k 0

具有SiC和GaN的高功率

電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...

2022-07-27 標簽：MOSFET SiC GaN 1.5k 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應用

對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用...

2022-08-04 標簽：控制器 FET GaN 1.5k 0

使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。

2023-02-19 標簽：SiC GaN 功率半導體器件 1.5k 0

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