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適用于65W  GaN  PD快充電源驅(qū)動(dòng)器具有極高開(kāi)關(guān)頻率及穩(wěn)定性能

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概述: PC5200 是一種增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN-on-Silicon)晶體管。氮化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體,具有高功率密度。氮化鎵晶體管的特點(diǎn)是沒(méi)有體二...

2026-03-16 標(biāo)簽:GaNPD快充電源驅(qū)動(dòng)器 67 0

意法半導(dǎo)體700V GaN轉(zhuǎn)換器打造卓越的用戶(hù)體驗(yàn)

意法半導(dǎo)體700V GaN轉(zhuǎn)換器打造卓越的用戶(hù)體驗(yàn)

意法半導(dǎo)體推出全新的VIPerGaN反激式轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品。該器件采用專(zhuān)有技術(shù)打造,可在所有負(fù)載水平下實(shí)現(xiàn)安靜的運(yùn)行。這些轉(zhuǎn)換器采用先進(jìn)的GaN技術(shù)打造,...

2026-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 310 0

鍵合率達(dá)95%!三菱電機(jī)推進(jìn) GaN-on-Diamond 新技術(shù)

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憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場(chǎng)及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度,已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料。基于GaN的高電子遷移率晶體管...

2026-03-12 標(biāo)簽:三菱電機(jī)氮化鎵GaN 434 0

中國(guó)&全球唯一氮化鎵傳感器公司美鎵傳感獲融資

2026年2月,美鎵傳感在新一輪股權(quán)融資中獲得國(guó)新國(guó)證投資的領(lǐng)投,這是公司自合肥市產(chǎn)投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國(guó)新國(guó)證投資是中國(guó)國(guó)新、國(guó)新...

2026-03-01 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵GaN 1.6k 0

瑞薩與EPC達(dá)成技術(shù)授權(quán):補(bǔ)全低壓GaN,強(qiáng)化供應(yīng)鏈

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年春節(jié)期間,EPC宣布與瑞薩達(dá)成一項(xiàng)全面的技術(shù)授權(quán)協(xié)議。 ? 根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子將取得 EPC 成熟的低壓 eGaN 技...

2026-03-02 標(biāo)簽:瑞薩GaN 1.0萬(wàn) 0

2026年GaN行業(yè)八大預(yù)測(cè):市場(chǎng)規(guī)模暴增50%;襯底和封裝是投資熱點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 英飛凌近期發(fā)布白皮書(shū)《2026年GaN技術(shù)展望》,從市場(chǎng)走勢(shì)、產(chǎn)品創(chuàng)新到應(yīng)用場(chǎng)景,全面剖析氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)潛力...

2026-03-01 標(biāo)簽:GaN 7.9k 0

喜報(bào) | 東科半導(dǎo)體入選安徽省2025年度表現(xiàn)突出的創(chuàng)新型企業(yè)名單

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2月24日,在安徽省委、省政府高規(guī)格召開(kāi)的“新春第一會(huì)”——全省科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展大會(huì)暨省管干部學(xué)習(xí)貫徹黨的二十屆四中全會(huì)精神研討班開(kāi)班式上,備...

2026-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 616 0

白皮書(shū)下載|使用PSOC? Control C3和CoolGaN?解決方案,打造可靠、節(jié)能、安全的家電設(shè)計(jì)

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在家電應(yīng)用中,可靠性、安全性和使用壽命至關(guān)重要。隨著開(kāi)關(guān)頻率和功率密度不斷提升,短路、過(guò)電流以及電壓尖峰帶來(lái)的災(zāi)難性故障的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加。為了避免MOS...

2026-01-28 標(biāo)簽:PSoCGaN家電設(shè)計(jì) 1k 0

芯導(dǎo)科技榮獲傳音控股2025年度鼎立支持獎(jiǎng)

近日,“傳音千里 聲聲不息”傳音控股2025年度供應(yīng)商頒獎(jiǎng)典禮在深圳隆重舉行。作為長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴,芯導(dǎo)科技(股票代碼:688230.SH)憑借卓越的產(chǎn)...

2026-01-27 標(biāo)簽:GaN傳音控股芯導(dǎo)科技 1.1k 0

聯(lián)想moto X70 Air Pro應(yīng)用芯導(dǎo)科技40V雙向GaN產(chǎn)品

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近日,聯(lián)想正式發(fā)布了旗下當(dāng)前周期內(nèi)規(guī)格最高的直板機(jī)型聯(lián)想 moto X70 Air Pro,堪稱(chēng)一款“輕薄機(jī)身下的六邊形戰(zhàn)士”。這款產(chǎn)品選用芯導(dǎo)科技40...

2026-01-26 標(biāo)簽:聯(lián)想功率器件GaN 1k 0

為什么說(shuō)氮化鎵是快充領(lǐng)域顛覆者

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自從氮化鎵(GaN)器件問(wèn)世以來(lái),憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2026-01-24 標(biāo)簽:氮化鎵GaN快充 1.6k 0

高頻交直流探頭與光隔離探頭在SiC/GaN測(cè)試中的性能對(duì)比與應(yīng)用選擇

本文對(duì)比分析了高頻交直流探頭與光隔離探頭在技術(shù)原理、性能參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景上的差異,為SiC/GaN器件測(cè)試提供選型參考。

2026-01-16 標(biāo)簽:探頭GaN光隔離 204 0

新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

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德州儀器解讀未來(lái)能源中的半導(dǎo)體創(chuàng)新

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高頻單通道低側(cè)增強(qiáng)型GaN FET驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用與使用參數(shù)

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??????2025年12月3-4日,由“行家說(shuō)三代半”主辦的“碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”在深圳圓滿(mǎn)落幕。意法半導(dǎo)體(ST)受...

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人工智能 (AI) 正在迅速發(fā)展,并滲透到我們?nèi)粘I畹姆椒矫婷?,從?nèi)容生成到客服聊天機(jī)器人皆是如此。與此同時(shí),數(shù)據(jù)處理量大幅激增,而數(shù)據(jù)處理很大程度上...

2025-12-26 標(biāo)簽:安森美gpuSiC 670 0

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近日,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日,中國(guó)智能電動(dòng)汽車(chē)部件及解決方案提供商蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)股份有限公司與英諾賽科,共同宣布采用65...

2025-12-24 標(biāo)簽:GaN英諾賽科車(chē)載OBC 8.8k 0

2025香港科技大學(xué)與是德科技微電子和集成電路會(huì)議圓滿(mǎn)落幕

11 月 7 日,由香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程學(xué)系與是德科技聯(lián)合主辦的 2025 HKUST–Keysight Microelectronics an...

2025-12-23 標(biāo)簽:微電子GaN是德科技 539 0

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