OBC功率密度最終將從現(xiàn)在的低于2kW/L增加到高于4kW/L

增加開(kāi)關(guān)速度（器件端子之間電壓和電流的變化速度）將從根本上減少開(kāi)關(guān)能量損耗。這一過(guò)程必不可少，否則實(shí)際的最大頻率將受到限制。在端子之間具有較低寄生電容（...

2021-01-13 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器高頻開(kāi)關(guān)GaN 6.6k 0

預(yù)測(cè)2025年GaN RF3器件市場(chǎng)整體規(guī)模將超過(guò)20億美元

日前，市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Yole Développement 發(fā)布了2020年第四季度復(fù)合半導(dǎo)體季度市場(chǎng)監(jiān)測(cè)報(bào)告。據(jù)報(bào)告預(yù)測(cè)，截至 2025 年，GaN RF...

2021-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN毫米波 2.7k 0

為什么要在智能手機(jī)電源中使用氮化鎵？

該款新器件具有極高的象征意義，因?yàn)榧啥雀?，設(shè)計(jì)應(yīng)用更為簡(jiǎn)便。目前業(yè)界使用此類電源器件時(shí)，主要將其用于電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心的電源中。如今，借助MASTE...

2021-01-06 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶體管GaN 3.4k 0

阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)

近年來(lái)，隨著材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)，并正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。

2021-01-06 標(biāo)簽：阿里巴巴GaN量子計(jì)算 1.8k 0

傳蘋(píng)果將采用GaN充電器

對(duì)于蘋(píng)果來(lái)說(shuō)，想要在iPhone或者iPad上使用更大容量的電池也不太現(xiàn)實(shí)，不過(guò)讓電池充電速度更快，就是很好的這種辦法，而他們也即將加入GaN技術(shù)的充電...

2021-01-05 標(biāo)簽：充電器蘋(píng)果GaN 2.3k 0

消息稱蘋(píng)果將采用GaN技術(shù)的充電器、電池充電速度更快

對(duì)于蘋(píng)果來(lái)說(shuō)，想要在iPhone或者iPad上使用更大容量的電池也不太現(xiàn)實(shí)，不過(guò)讓電池充電速度更快，就是很好的這種辦法，而他們也即將加入GaN技術(shù)的充電...

2021-01-05 標(biāo)簽：充電器蘋(píng)果GaN 2.9k 0

繼續(xù)深入藍(lán)海市場(chǎng)：布局Micro LED和GaN

雖然中國(guó)是屏幕生產(chǎn)、出口大國(guó)，但屏幕驅(qū)動(dòng)芯片，卻主要靠進(jìn)口。市場(chǎng)日益擴(kuò)大的電源管理芯片同樣如此，被ST、TI、ADI等國(guó)外廠商占據(jù)絕大部分市場(chǎng)。隨著第三...

2020-12-30 標(biāo)簽：電源管理GaNMicro LED 1.9k 0

阿里達(dá)摩院將GaN列為科技趨勢(shì)之首 我們來(lái)介紹一下晶能光電

12月28日，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)，為后疫情時(shí)代基礎(chǔ)技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預(yù)測(cè)。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎...

2020-12-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN碳化硅 3.9k 0

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng),因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2020-12-26 標(biāo)簽：GaN氮化鎵晶體管 1.2k 0

AI畫(huà)的簡(jiǎn)筆畫(huà)能到什么水平

AI畫(huà)的簡(jiǎn)筆畫(huà)能到什么水平？ 給一張美國(guó)演員Rami Malek的照片，效果是這樣的。 是不是和原圖很逼近了？ 再來(lái)看下輸入《老友記》合影的效果。 雖然...

2020-12-25 標(biāo)簽：AIGaN 3.1k 0

GaN產(chǎn)業(yè)格局初成,國(guó)內(nèi)廠商加速布局

我國(guó)GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；⑸虡I(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6...

2020-12-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻SiC 3.2k 0

GaN芯片出貨量達(dá)1500萬(wàn)顆！iPhone12帶火的氮化鎵充電器，你get到了嗎？

氮化鎵為何能成為快速充電器的最佳材料選擇？氮化鎵芯片廠商如何助力終端廠商的快充產(chǎn)品上線？國(guó)內(nèi)電源管理芯片廠商在20W、45W等主流快充產(chǎn)品上有哪些經(jīng)典方...

2020-12-21 標(biāo)簽：芯片充電器GaN 1.2萬(wàn) 1

氮化鎵充電器是什么？有什么用？

不管是外出游玩還是出差商旅，大多數(shù)人的背包里肯定少不了手機(jī)、電腦、充電器。為了減輕人們的出行負(fù)擔(dān)，筆記本電腦的設(shè)計(jì)也逐漸輕薄便攜，不過(guò)，不管電腦怎么革新...

2020-12-18 標(biāo)簽：充電器連接器GaN 4.7萬(wàn) 0

GaN解決方案全面覆蓋電動(dòng)汽車

當(dāng)我們?yōu)殡妱?dòng)汽車（EV）電源管理技術(shù)發(fā)明更高效的集成電路，我們的客戶就可以設(shè)計(jì)出更高效、更經(jīng)濟(jì)實(shí)用的汽車，進(jìn)而減少?gòu)U氣排放，保護(hù)環(huán)境。 許多駕駛員因里程...

2020-12-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車集成電路GaN 2.1k 0

SiC功率器件市場(chǎng)正處在爆發(fā)式增長(zhǎng)的前期

我國(guó)第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來(lái)已久，但受制于技術(shù)等因素，市場(chǎng)始終不慍不火。然而今年市場(chǎng)出現(xiàn)明顯改觀，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，諸如天和通訊、吳越...

2020-12-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.9k 0

英偉達(dá)宣布了其用于培訓(xùn)人工智能系統(tǒng)的新方法

過(guò)去，人工智能研究人員使用一種稱為數(shù)據(jù)增強(qiáng)的方法來(lái)規(guī)避此問(wèn)題。在這種方法中，以圖像算法為例，如果材料不足，則復(fù)制現(xiàn)有材料。在復(fù)制期間，會(huì)對(duì)原始圖像進(jìn)行更...

2020-12-16 標(biāo)簽：人工智能GaN英偉達(dá) 1.8k 0

InGaAs被發(fā)現(xiàn)可用于制造更小更節(jié)能的非硅基晶體管

麻省理工新聞報(bào)道稱：科學(xué)家們已經(jīng)找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料...

2020-12-10 標(biāo)簽：晶體管GaN硅基 1.8k 0