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標簽 > hbm
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? 一、HBM 是什么? 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機存取存儲器 DRAM 針對不同的應(yīng)用領(lǐng)域定義了不同的產(chǎn) 品,幾...
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護電路設(shè)計,無需外加額外ESD保護電路情況下,都通過 IEC E...
2024-04-24 標簽:寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護電路 4.3k 0
BEV+Transformer對智能駕駛硬件系統(tǒng)有著什么樣的影響?
BEV+Transformer是目前智能駕駛領(lǐng)域最火熱的話題,沒有之一,這也是無人駕駛低迷期唯一的亮點,BEV+Transformer徹底終結(jié)了2D直視...
HBM(Human Body Model) 驗證測試已經(jīng)成為IC 防靜電等級的必測項目,一般是直接委外第三方實驗室進行驗證,但卻不知道自己的IC用的靜電...
2.5D封裝是傳統(tǒng)2D IC封裝技術(shù)的進展,可實現(xiàn)更精細的線路與空間利用。在2.5D封裝中,裸晶堆?;虿⑴欧胖迷诰哂泄柰?TSV)的中介層(inter...
AI算力需求的暴增,HBM和GDDR SDRAM成為AI芯片新的內(nèi)存方案
然而在此過程中,我們除了看到AI對算力的要求以外,內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個優(yōu)先選擇,這也是英偉達在Tes...
2020-11-09 標簽:摩爾定律人工智能機器學(xué)習(xí) 3.6k 0
HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲新紀元
HBM制造集成前道工藝與先進封裝,TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM,以及每層TSV DRAM之間的連接方式。
眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級增長,芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...
2024-09-23 標簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 3k 0
介紹一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器MLX90217
MLX90217 是一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器,可應(yīng)用于汽車凸輪軸傳感器以及其它速度傳感器。
2022-10-19 標簽:ESDAD轉(zhuǎn)換器速度傳感器 2.7k 0
大模型時代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識,存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標,甚至某些場合超越算力,是最關(guān)鍵的性能指標,而汽車行業(yè)也開始...
ESD HBM測試結(jié)果差異較大的原因,通常包括設(shè)備/儀器差異、?校準和維護水平不同、?環(huán)境條件差異、?測試樣本差異、?測試操作員技能和經(jīng)驗差異以及測試方...
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也...
2023-11-22 標簽:DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 2k 0
不同的存儲器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲器技術(shù)
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) ...
Power Design Manager (PDM) 2023.1的新增功能
PDM 已經(jīng)與其它 AMD FPGA 和自適應(yīng) SoC 工具一起集成到統(tǒng)一的安裝程序中。這是一款獨立的工具,無需任何額外的 AMD 軟件,即可運行或完成安裝。
2023-09-06 標簽:SoC設(shè)計PDMDDR4 1.8k 0
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