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高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory,HBM)是超微半導體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲...
HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介...
2023-11-09 標簽:DRAM數(shù)據(jù)傳輸HBM 2.1萬 0
一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)
最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談用以太網(wǎng)替代NVLink。
HBM3:用于解決高密度和復雜計算問題的下一代內(nèi)存標準
在這個技術(shù)革命的時代,人工智能應用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù),其中高帶寬內(nèi)存 (HBM) 提供了最...
高性能計算、人工智能和 5G 移動通信等高性能需求的出現(xiàn)驅(qū)使封裝技術(shù)向更高密度集成、更高速、低延時和更低能耗方向發(fā)展。
在高性能圖形處理領(lǐng)域,內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù):高帶寬內(nèi)存(HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們在架構(gòu)、性能特...
近年來隨著人工智能浪潮的興起,數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器市場對于內(nèi)存性能的要求達到了前所未有的高度。HBM(高帶寬內(nèi)存)憑借其卓越的性能優(yōu)勢,如高帶寬、低功耗、高...
2025-03-25 標簽:服務(wù)器內(nèi)存數(shù)據(jù)中心 6.7k 0
在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件,尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...
什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
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