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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動技術(shù)解析
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之...
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點是擊穿電壓低,工作電流小。
汽車功率電子組件(例如IGBT)的設(shè)計必須能負荷數(shù)千小時的工作時間和上百萬次的功率循環(huán),同時得承受高達 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵,而同時...
2016-01-08 標簽:汽車電子IGBT功率循環(huán)測試 5.3k 0
IGBT組成的H橋功率單元和級聯(lián)拓撲結(jié)構(gòu)有什么不同?
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導通壓降特點。
對新能源車來說,電池、VCU、BSM、電機效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當屬電機驅(qū)動部分,而電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
Interlock互鎖電路在不同驅(qū)動器下的實現(xiàn)
在電機驅(qū)動、逆變電源等應用中,橋式電路是最基本的拓撲,典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂,其上下管一般采用180°導通方式,即上下...
為什么要找替代的IGBT?因為面對世界的不穩(wěn)定因素,國內(nèi)如果有好的電子元器件替代的話,為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
電源管理芯片怎么測好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)
電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。
在新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。
2023-08-27 標簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 5.3k 0
SVG是典型的電力電子設(shè)備,由三個基本功能模塊構(gòu)成:檢測模塊、控制運算模塊及補償輸出模塊。其工作原理為由外部CT檢測系統(tǒng)的電流信息,然后經(jīng)由控制芯片分析...
igbt驅(qū)動電路工作原理 igbt驅(qū)動電路和場效管驅(qū)動區(qū)別
IGBT驅(qū)動電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點...
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
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