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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

IGBT是電壓驅動還是電流驅動

IGBT的驅動方式可以電壓驅動和電流驅動兩種，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種功率半導體器件，具有高電壓、大電流、快速開關等特點，廣泛應用于電力電子領...

2024-07-25 標簽：IGBT 晶體管電流驅動 4.9k 0

IGBT芯片發(fā)展史

自 20 世紀 80 年代發(fā)展至今，IGBT 芯片經歷了 7 代技術及工藝的升級，從平面穿通型（PT）到微溝槽場截止型，IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...

2023-04-12 標簽：芯片工藝電壓 4.9k 0

瑞能半導體650V 75A IGBT助力綠色能源轉型

自“雙碳”目標確定以來，我國能源綠色低碳轉型穩(wěn)步推進，光伏、風電、儲能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。

2025-11-21 標簽：綠色能源 IGBT 光伏系統(tǒng) 4.9k 0

IGBT在大功率斬波中問題的應用

斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關...

2022-11-29 標簽：晶閘管 IGBT 斬波 4.9k 0

基于AT89C51單片機的變頻調速控制系統(tǒng)設計

在電氣傳動領域中，隨著自關斷器件技術水平的不斷提高，脈寬調制技術（簡稱PWM技術）也日趨成熟。

2023-05-11 標簽：PWM 逆變器 IGBT 4.8k 0

對大功率IGBT開關特性、驅動要求的分析和討論

絕緣門極雙極型晶體管是復合了功率場效應管和電力晶體管的優(yōu)點而產生的一種新型復合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅動電路簡單、飽和壓降低、耐...

2018-06-29 標簽：驅動 igbt 功率 4.8k 0

FS-IGBT短路耐受能力提升方法

隨著能源效率成為全球關注的焦點，半導體行業(yè)迎來了技術革新的浪潮。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)便是這一背景下的產物，其通過電場效應調控導電...

2025-11-30 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 4.8k 0

IGBT輸出是交流還是直流

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種電力電子設備，廣泛用于各種電力轉換和控制應用中。IGBT本身是一種半導體器件，它可以在電路中起到開關的作用，控制電流的...

2024-09-19 標簽：電路電子設備 IGBT 4.8k 0

IGBT芯片的結構特點和性能優(yōu)勢

當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發(fā)了很多，但是有一個模塊需...

2023-10-19 標簽：芯片 MOS管 IGBT 4.8k 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

我們都知道，IGBT發(fā)生短路時，需要在10us或者更短的時間內關閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進行調節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但...

2022-08-07 標簽：MOSFET IGBT SiC 4.8k 0

光伏逆變器的基本原理

逆變器是將直流電（DC）轉換為交流電（AC）的電力設備，由于光伏組件或電化學儲能電池組輸出的是直流電，而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸

2023-06-01 標簽：MOSFET 鎖相環(huán)逆變器 4.8k 0

IGBT工作時序及門極驅動計算方法

本篇文章簡單介紹IGBT工作時序及門極驅動計算方法，引入大電流驅動IC以及門極保護TVS，同時羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅動電壓，借此介紹非...

2023-12-21 標簽：MOSFET TVS IGBT 4.8k 0

變頻器驅動電路簡述

　　變頻器是一種電離器件，用于將輸入的電源頻率調整到不同的輸出頻率。變頻器驅動電路是用于控制變頻器的電路，它使變頻器按照預定的頻率和電壓輸出所需的功率。

2023-03-13 標簽：變頻器 PWM 控制電路 4.8k 0

IGBT有哪幾個工作區(qū)

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運行區(qū)域，這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制，以確保其穩(wěn)定運...

2024-07-24 標簽：IGBT 晶體管柵極電壓 4.8k 0

IGBT中的MOS結構—閾值電壓（下）

上一節(jié)我們討論了柵極與半導體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。

2023-11-29 標簽：多晶硅半導體 IGBT 4.8k 0

IGBT一些主要的分類方法

IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導通，也可以觸發(fā)關斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關鍵作用。

2024-03-14 標簽：MOSFET 散熱器 IGBT 4.7k 0

雙脈沖試驗及注意事項

雙脈沖試驗及注意事項對于電力電子工程師來說，功率元件是我們的設計對象，而IGBT由于其優(yōu)良的特性被廣泛應用于功率元件。功率元件的效率、保護功能、EMC等...

2023-10-13 標簽：測試電容 IGBT 4.7k 0

RC-IGBT 技術帶來更多動力

多年來，市場對功率半導體的需求一直在增加，需要功率轉換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過增加給定封裝尺寸的輸出功率來實現(xiàn)的，這與系...

2022-02-22 標簽：電機 IGBT 功率半導體 4.7k 0

大功率電力電子器件散熱研究綜述

針對現(xiàn)階段制約電力電子技術發(fā)展的散熱問題，以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設備熱設計特點、常見散熱技術、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...

2023-11-07 標簽：大功率電力電子器件 IGBT 4.7k 0

探索高壓輸電：電壓源換流器

VSC目前已成為首選實施對象，原因如下：VSC具有較低的系統(tǒng)成本，因為它們的配站比較簡單。VSC實現(xiàn)了電流的雙向流動，更易于反轉功率流方向。VSC可以控...

2023-04-06 標簽：運算放大器 IGBT VSC 4.7k 0

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