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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術(shù)

SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標簽：MOSFET IGBT PN結(jié) 4.7k 0

功率芯片的原理和應用

功率芯片是一種集成電路芯片，其核心功能在于控制和管理電能，廣泛應用于各種電子設備中。以下將從功率芯片的原理和應用兩個方面進行詳細闡述。

2024-07-16 標簽：集成電路 IGBT 功率芯片 4.7k 0

IGBT并聯(lián)應用均流控制技術(shù)綜述

Zhang Gang

2024-03-15 標簽：電流 IGBT 晶體管 4.7k 0

詳細介紹變頻器假負載的原理、應用和注意事項

在變頻器的應用中，假負載是一種重要的輔助設備，主要用于測試和保護變頻器模塊。本文將詳細介紹變頻器假負載的原理、應用和注意事項。

2024-01-25 標簽：變頻器 IGBT 限流電阻 4.7k 0

PWM型逆變電路原理

單極性PWM控制方式 1.調(diào)制法：在調(diào)制信號ur和載波信號uc的交點時刻控制IGBT通斷 ①ur正半周，V1保持通，V2保持斷。

2023-03-31 標簽：PWM IGBT 逆變電路 4.7k 0

說說IGBT的開通過程

一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關器件，開通和關斷的過程

2023-05-25 標簽：MOSFET IGBT NPN管 4.7k 0

隔離驅(qū)動IGBT有何意義？IGBT失控數(shù)據(jù)變化準則

嚴格來說，器件靜電損傷也屬于過電壓應力損傷，靜電型過電應力的特點是：電壓較高，能力較小，瞬間電流較大，但持續(xù)的時間極短，與一般的過電應力相比，靜電型損傷...

2017-05-23 標簽：芯片二極管 igbt 4.7k 0

IGBT關鍵特性參數(shù)的應用實踐指南 v3.0

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關于IGBT關鍵特性參數(shù)應用指南，第三次更新-「SysPro|動力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容，全文155...

2026-01-05 標簽：IGBT 晶體管功率器件 4.7k 0

SiC器件的優(yōu)缺點！

在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-02-21 標簽：逆變器 IGBT SiC 4.7k 0

MOSFET和IGBT在電焊機上的應用

電焊機是指為焊接提供一定特性的電源的電器，使用電能源，將電能瞬間轉(zhuǎn)換為熱能。電焊機適合在干燥的環(huán)境下工作，不需要太多要求，因體積小巧、操作簡單、使用方便...

2024-08-07 標簽：電源 MOSFET 場效應管 4.7k 0

基于MOSFET和IGBT器件在電機控制應用中的選擇

長期以來，發(fā)動機控制一直處于研究和開發(fā)活動的前沿，其目標是在兩個層面上找到有效和高效的微電子解決方案，一個是計算軟件，另一個是可以在微電子層次集成的電力...

2020-01-30 標簽：mosfet 電動機 igbt 4.7k 0

IGBT的并聯(lián)使用方法介紹

驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響：驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步，則先驅(qū)動的IGBT要承擔大得多的動態(tài)電流。

2023-10-20 標簽：驅(qū)動器 IGBT 驅(qū)動電路 4.7k 0

如何計算IGBT模塊的死區(qū)時間

計算IGBT模塊死區(qū)時間 1 引言在現(xiàn)代工業(yè)中，IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了確保可靠地使用IGBT，必須避免出現(xiàn)橋臂直通現(xiàn)象。橋...

2024-11-08 標簽：IGBT 4.6k 0

如何解讀IGBT和模塊的標準體系？

正確理解IGBT和模塊的標準體系，對了解產(chǎn)品特性，指導系統(tǒng)設計用足產(chǎn)品特性，符合規(guī)范很有幫助，熟悉標準的工程師會在系統(tǒng)設計中更游刃有余。

2023-02-07 標簽：IGBT 系統(tǒng)設計 4.6k 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應用的優(yōu)勢

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標簽：逆變器 IGBT 功率器件 4.6k 0

IGBT 的結(jié)構(gòu)及主要參數(shù)

　　IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，翻譯為絕緣柵雙極晶體管，是一種高性能功率半導體器件。它結(jié)合了MO...

2023-02-28 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 4.6k 0

IGBT是否能用于ZVS以及IGBT？

今天我就來嘮一嘮IGBT在軟開關拓撲中的應用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。

2023-02-07 標簽：IGBT ZVS ZCS 4.6k 0

igbt工作原理和結(jié)構(gòu)是什么

絕緣門極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種絕緣門極晶體管（Insulated Gate B...

2024-01-17 標簽：半導體 IGBT 晶體管 4.6k 0

UPS選型基本技術(shù)指導

摘要：現(xiàn)在市面上常見的UPS類型有后備式UPS、在線互動式UPS以及在線式UPS，眾多的品牌和廠商對其產(chǎn)品賣點的吹捧，使用戶在UPS產(chǎn)品選擇上失去了方...

2012-08-21 標簽：電源濾波器 IGBT 4.6k 0

瑞能650V 75A IGBT產(chǎn)品解析

自“雙碳”目標確定以來，我國能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進，光伏、風電、儲能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖，其中逆變器作為光伏發(fā)電系...

2025-06-20 標簽：逆變器 IGBT 功率器件 4.6k 0

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