igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術(shù)

深度解析IGBT功率半導(dǎo)體框架

IGBT行業(yè)需求增長： IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域，主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，我國能源需求大...

2022-08-08 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 2.5k 0

改善IGBT熱性能的PCB設(shè)計提示

氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感，需要為化石燃料動力汽車開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求設(shè)計具有較低體積、較高發(fā)動機(jī)轉(zhuǎn)速以及能夠在較不豐富的...

2022-08-08 標(biāo)簽：pcb IGBT 1.3k 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

我們都知道，IGBT發(fā)生短路時，需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但...

2022-08-07 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 4.8k 0

一款超高壓脈沖電源設(shè)計方案介紹

電路圖其實就是最經(jīng)典的Marx電路，通過并聯(lián)充電，串聯(lián)放電來實現(xiàn)電壓的逐級累加，理論上可以獲得無窮大的電壓。開關(guān)這里選的全是1100V的IGBT，并且用...

2022-08-06 標(biāo)簽：IGBT 脈沖電源 2.8k 0

淺談汽車應(yīng)用中的IGBT功率模塊

諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到...

2022-08-06 標(biāo)簽：IGBT 3.2k 0

1200V 300A SiC MOSFET開關(guān)性能評估

由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加，碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán)，該框架減小了尺寸并提高了...

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 2.5k 0

IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析

在設(shè)計電力電子設(shè)備時，我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求，以優(yōu)化設(shè)計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...

2022-08-04 標(biāo)簽：IGBT 功率 SiC 6.1k 1

嵌入式設(shè)計用于解決智??能電源要求的MCU功能

使能引腳可以在錯誤條件下輕松覆蓋 PWM 控制輸入，從而提高安全性和可靠性。此外，框圖中間的 UVLO 模塊有助于控制驅(qū)動器的斜升（它使驅(qū)動器保持關(guān)閉，...

2022-08-03 標(biāo)簽：mcu IGBT 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1.6k 0

IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha解析

如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參...

2022-08-01 標(biāo)簽：英飛凌仿真散熱器 3.9k 0

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效熱路模型

功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)...

2022-08-01 標(biāo)簽：IGBT 功率器件散熱系統(tǒng) 5k 0

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而...

2022-07-30 標(biāo)簽：ESD MOSFET IGBT 1.9k 0

混合IGBT支持電子應(yīng)用中的更高效率

傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開關(guān)損耗的影響。為了高效運行，IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管（FRD），如圖 1 所示。隨著 Rohm...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 肖特基二極管 2.7k 0

pcb設(shè)計如何用下小電流控制大電流

使用繼電器或者IGBT y以上電路就是使用PWM控制IGBT快速開關(guān)實現(xiàn)控制大電流的例子。 IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件，MOSFET為驅(qū)動元件的達(dá)林頓...

2022-07-27 標(biāo)簽：繼電器 pcb 電路設(shè)計 9.6k 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速...

2022-07-26 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC-MOSFET 3.4k 0

SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動效率

工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通常基于強(qiáng)大的電動機(jī)，用于連續(xù)運行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動機(jī)，由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..

2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1.5k 0

IGBT的三種安全工作區(qū)(FBSOA/RBSOA/SCSOA)

失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深...

2022-07-25 標(biāo)簽：英飛凌 IGBT SOA 2.4萬 0

納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器NSi66x1A和NSi6601M發(fā)布

納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(guī)(滿足AEC...

2022-07-22 標(biāo)簽：IGBT 柵極驅(qū)動器納芯微 3.8k 0

全面解讀DIPIPMTM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧

通常大家所提到的IGBT，一般指分立IGBT器件或IGBT模塊，這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ)，一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT...

2022-07-21 標(biāo)簽：pcb IGBT 晶體管 1.5k 0

基于IGBT模塊和驅(qū)動器IC的電機(jī)驅(qū)動和逆變器設(shè)計方案

電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應(yīng)用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長，對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)...

2022-07-21 標(biāo)簽：逆變器電機(jī)驅(qū)動 IGBT 2.7k 0

IGBT晶圓的應(yīng)用說明

晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片...

2022-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 IGBT 3.4k 0

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IOT

IOT

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

海思

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STM32F103C8T6

STM32F103C8T6

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
數(shù)字隔離

數(shù)字隔離

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數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護(hù)器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
硬件工程師

硬件工程師

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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機(jī)市場行情；制定計算機(jī)組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計算機(jī)和外圍設(shè)備；安裝和配置計算機(jī)軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計算機(jī)軟硬件故障。
wifi模塊

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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
MPU6050

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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
UHD

UHD

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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
Protues

Protues

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Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
74ls74

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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
STC12C5A60S2

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在眾多的51系列單片機(jī)中，要算國內(nèi)STC 公司的1T增強(qiáng)系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60K FLASHROM，這種工藝的存儲器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
循跡小車

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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
LM2596

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LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
光立方

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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
STM32單片機(jī)

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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
K60

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步進(jìn)驅(qū)動器

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步進(jìn)驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的。可以通過控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
COMSOL

COMSOL

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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
CD4046

CD4046

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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
服務(wù)機(jī)器人

服務(wù)機(jī)器人

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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
聯(lián)網(wǎng)技術(shù)

聯(lián)網(wǎng)技術(shù)

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四軸飛行器

四軸飛行器

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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運動原理”中講述。
SDK

SDK

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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
基站測試

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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
ESP8266

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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
靜電防護(hù)

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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