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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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碳化硅成本何時(shí)下降?超充與換電方案孰優(yōu)孰劣?
續(xù)航以及補(bǔ)能問(wèn)題一直是困擾電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展的因素,當(dāng)前主流電動(dòng)汽車(chē)的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動(dòng)...
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源發(fā)電、變頻器和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。IGBT在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的...
一、前言 對(duì)新能源汽車(chē)而言,電池技術(shù)、電機(jī)技術(shù)、電機(jī)控制器技術(shù)被稱(chēng)為新能源汽車(chē)關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電池技術(shù)未能取得突破的前提下,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、...
今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1.5k 0
UCC57148 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCC5714x 通過(guò) OCP 引腳提供過(guò)流保護(hù)。當(dāng)在 OCP 引腳上檢測(cè)到過(guò)流信號(hào)時(shí),內(nèi)部電路將下拉 EN/FLT 引腳以報(bào)告故障并強(qiáng)制 OUT 到低...
2025-09-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器過(guò)流保護(hù)IGBT 1.5k 0
求一種電動(dòng)車(chē)的800v高壓快充架構(gòu)技術(shù)方案
縮短充電時(shí)間是目前提升電動(dòng)車(chē)使用體驗(yàn)的關(guān)鍵。當(dāng)補(bǔ)貼力度越來(lái)越弱,推力漸小,加速電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)化的解決方案要回歸到本質(zhì)上
2023-08-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)連接器電池充電 1.5k 0
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.5k 0
驅(qū)動(dòng)電路要求 o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?,使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)時(shí)間 oIGBT開(kāi)通后,提供足夠的電壓...
2024-03-27 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器 1.5k 0
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正
如前所述,修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來(lái)建立圖片與圖片的關(guān)系。
當(dāng)前,在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車(chē)、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展,加上我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速騰飛,能源需求量大幅上升,在這樣...
?UCC2773x 高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個(gè)接...
全面解讀DIPIPMTM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧
通常大家所提到的IGBT,一般指分立IGBT器件或IGBT模塊,這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ),一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT...
SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?;趶?qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見(jiàn)的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
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