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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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TrendForce集邦咨詢調(diào)查,2021~2024年全球晶圓代工產(chǎn)能年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)11%,其中28nm產(chǎn)能在2024年將達(dá)到2022年的1.3倍,是成...
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū),相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極(Emitter)。背面 P+ 區(qū)域定義...
聚焦IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上的封裝環(huán)節(jié) 為IGBT國(guó)產(chǎn)化保駕護(hù)航
與普通IC芯片相比,IGBT減薄工藝更難解決,對(duì)封裝設(shè)備要求更高。更柔性、更穩(wěn)定、更精準(zhǔn)、更快速的高精度芯片貼裝設(shè)備是IGBT國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵之一。
在知道大功率器件之前,我們要先知道功率器件是什么意思,功率器件是電子元件和電子器件的總稱,是電子裝置中,電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷?..
功率半導(dǎo)體:電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心
功率半導(dǎo)體具有能夠支持高電壓、大電流的特性,主要用途包括變 頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。除保障電路正常運(yùn)行外,因其 能夠減少電能浪費(fèi),功率半導(dǎo)...
2022-06-06 標(biāo)簽:IGBT功率控制功率半導(dǎo)體 4.8k 0
東芝全新TLP5702H輕薄型光耦的特性及應(yīng)用場(chǎng)景
一般在電路設(shè)計(jì)中需要在相互隔離的兩個(gè)電路系統(tǒng)間傳輸電信號(hào)時(shí),很多人第一想到的方案就是使用光耦元件。光耦的工作原理是以光作為媒介來傳輸電信號(hào),將發(fā)光器與受...
英飛凌推出超可靠的壓接式IGBT ,進(jìn)一步壯大Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容
【2022年5月30日,德國(guó)慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管(FWD)...
IGBT國(guó)產(chǎn)化率加速攀升 IGBT國(guó)產(chǎn)化率有望達(dá)38%
? ? ? (報(bào)告出品方/作者:國(guó)金證券,樊志遠(yuǎn)、劉妍雪、鄧小路)
2022-05-27 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng)IGBT模塊 9.1k 0
IGBT車用芯片不接單!蔚小理集體裁員!造車新勢(shì)力還能重回增長(zhǎng)之路?
電子發(fā)燒友原創(chuàng) ?莫婷婷 章鷹 ? 受到國(guó)內(nèi)疫情多點(diǎn)爆發(fā)的影響,汽車供應(yīng)鏈、生產(chǎn)和物流多個(gè)環(huán)節(jié)遭受承壓,4月份車市慘淡,一改第一季度國(guó)內(nèi)汽車行業(yè)蓬勃向上...
提高逆變器的轉(zhuǎn)換效率有很大的重要性,比如我們提高1%的轉(zhuǎn)換效率,500KW的逆變器,平均每天算4小時(shí),逆變器每天可以多發(fā)出將近20度電,那么一年可以多發(fā)...
2022-05-21 標(biāo)簽:逆變器IGBT轉(zhuǎn)換效率 8.2k 0
汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
就在德國(guó)紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天,Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會(huì),PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Y...
2022-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器PIIGBT 5.1k 0
為了獲取不同的輸出功率以控制加熱負(fù)載的溫度,被控制的參數(shù)實(shí)際上是負(fù)載兩端的中頻電壓有效值。該電壓有效值近似于斬波器輸出的直流電壓U。因此控制斬波器電壓值...
淺談IGBT國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)情況
安森美半導(dǎo)體2019全年收入的近1/3來自汽車市場(chǎng),約1/4來自工業(yè)市場(chǎng),約1/5來自通信市場(chǎng);按照地區(qū)分類,全年收入有約65%來自亞洲市場(chǎng)。
光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用
日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的...
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于...
WD0412柵極半橋驅(qū)動(dòng)器概述及功能說明
WD0412具有耐壓600V,高低邊懸浮隔離,輸入輸出同框,電源輸入范圍10V-20V,信號(hào)輸入電平3.3V、5V、15V兼容,交叉?zhèn)鲗?dǎo)預(yù)防邏輯,輸出傳...
2022-05-11 標(biāo)簽:IGBT半橋驅(qū)動(dòng)器 2.3k 0
PI推出汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列SCALE EV
Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅(qū)動(dòng)板。新款驅(qū)動(dòng)器同樣適...
柵極驅(qū)動(dòng)脈沖觸發(fā),柵極電壓上升至高電平,VGE=+5V,IGBT導(dǎo)通后,電源電壓將對(duì)線圈一次側(cè)漏感充電,一次側(cè)電流開始線性上升。由于在火花塞產(chǎn)生電弧之前...
相較于現(xiàn)有的400V系統(tǒng),800V系統(tǒng)的推出是一大進(jìn)步,并且其推出速度比許多人預(yù)期的要快。800V系統(tǒng)有何優(yōu)勢(shì)?它們?nèi)绾螏椭鉀Q一些對(duì)消費(fèi)者構(gòu)成障礙并減...
2022-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT繞組 3.2k 0
比亞迪半導(dǎo)體新研發(fā)的IGBT適用于各類光伏逆變器
該兩款I(lǐng)GBT模塊采用光伏逆變市場(chǎng)的典型應(yīng)用拓?fù)洌K結(jié)構(gòu)緊湊、性能高效,適用于各類光伏逆變器,如光伏逆變和儲(chǔ)能等。與行業(yè)同類產(chǎn)品相比,溫升更低、可靠性更高。
2022-05-06 標(biāo)簽:IGBT光伏逆變器比亞迪半導(dǎo)體 3.1k 0
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