文章總結(jié)：光隔離探頭在新能源汽車電驅(qū)、光伏逆變器和工業(yè)變頻器測(cè)試中，用于抗干擾、精準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)，提升系統(tǒng)性能與故障診斷能力。
2026-01-05 09:27:39
19 關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17134 
深耕，一舉斬獲兩項(xiàng)大獎(jiǎng)——“2025年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)”，以及ST首款專為電機(jī)控制設(shè)計(jì)的600V半橋功率GaN及驅(qū)動(dòng)器GANSPIN611榮獲的“2025年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”！
2025-12-28 09:14:18274 
為推動(dòng)小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)（UCIe）IP 解決方案，在臺(tái)積電先進(jìn)的 N3P 工藝上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
2025-12-26 09:59:44167 
：Neway定位中高端市場(chǎng)，通過(guò)技術(shù)差異化（如高頻化、高可靠性）獲取溢價(jià)，部分抵消成本壓力。例如，其第三代模塊價(jià)格較同規(guī)格國(guó)際品牌低40%，但仍高于普通硅基方案。成本傳導(dǎo)機(jī)制：在原材料價(jià)格上漲時(shí)，Neway
2025-12-25 09:12:32
2025年12月6日，第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳圓滿落幕。在大會(huì)頒獎(jiǎng)環(huán)節(jié)中，麥科信科技憑借在光隔離探頭領(lǐng)域的硬核技術(shù)積累與卓越產(chǎn)品表現(xiàn)，榮獲“國(guó)產(chǎn)測(cè)試測(cè)量行業(yè)光隔離探頭卓越獎(jiǎng)”。
2025-12-22 13:48:21671 2025年12月4日，深圳高光時(shí)刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說(shuō)三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂，共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01900 
2025年行至尾聲，智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)?；旌显O(shè)計(jì)實(shí)力、卓越的消費(fèi)級(jí)電源管理方案，以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)的前瞻布局，一舉攬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)，成為國(guó)產(chǎn)數(shù)?；旌螴C與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)賽道的“雙料”先鋒！
2025-12-11 15:20:51377 與之匹配的被動(dòng)元件協(xié)同進(jìn)化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)伺服電源、AI服務(wù)器電源及數(shù)據(jù)中心供電等場(chǎng)景中加速普及時(shí)，供電系統(tǒng)中的電容正面臨前所未有的挑戰(zhàn)：高頻開(kāi)關(guān)噪聲加劇、高溫容值
2025-12-04 15:34:17217 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表，憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性，正在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12700 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表；而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過(guò)于學(xué)術(shù)，為方便閱讀，以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主，如果遺漏
2025-12-03 08:33:44351 
以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代功率半導(dǎo)體，正在以前所未有的速度，將電力電子技術(shù)推向更高頻率、更高效率、更高功率密度的新紀(jì)元。
2025-11-27 14:23:54876 
在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中，對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測(cè)試，是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測(cè)試方案可為技術(shù)開(kāi)發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐，加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05129 
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:471489 
11月11至14日，年度國(guó)際第三代半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2025）在廈門隆重召開(kāi)，中微
2025-11-18 14:02:44349 
的保障，半導(dǎo)體器件的測(cè)試也愈發(fā)重要。 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過(guò)這些器件的測(cè)試有共性也有差異，因此在實(shí)際的測(cè)試時(shí)測(cè)試項(xiàng)目也有通用項(xiàng)目和特殊項(xiàng)目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372315 
2025年11月11-14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門盛大召開(kāi)。作為覆蓋90余個(gè)國(guó)家及地區(qū)、匯聚
2025-11-14 17:53:472418 至關(guān)重要。特別是在雙脈沖測(cè)試中，光隔離探頭不僅確保了測(cè)試的安全性，還提高了測(cè)試測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測(cè)試中不可或缺的原因。 雙脈沖測(cè)試的作用 雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種用于評(píng)估電力電子器件如IGBT（絕緣柵
2025-11-14 16:46:063489 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37875 
近日，在2025世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會(huì)（WICV）“中國(guó)芯”汽車芯片供需對(duì)接會(huì)上，歐冶半導(dǎo)體憑借在智能汽車第三代E/E架構(gòu)芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新突破與產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)，獲評(píng)為“2025中國(guó)汽車芯片優(yōu)秀供應(yīng)商”。
2025-11-03 10:22:28455 10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
2025-10-27 18:05:001276 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對(duì)封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號(hào)
2025-10-22 18:13:11243 
隨著第三代半導(dǎo)體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其動(dòng)態(tài)特性的精準(zhǔn)測(cè)量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業(yè)的分析功能，為SiC器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
2025-10-17 11:42:14231 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43402 10月11日，一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏將為用戶帶來(lái)更流暢絲滑的游戲體驗(yàn)，并在顯示素質(zhì)、暗光顯示及護(hù)眼方面實(shí)現(xiàn)突破。第三代東方
2025-10-11 15:56:32741 
高壓差分探頭與光隔離探頭在設(shè)計(jì)原理、隔離電壓、帶寬及精度等方面存在顯著差異，前者側(cè)重差分放大與高精度，后者采用光電隔離實(shí)現(xiàn)超高電壓安全測(cè)量。
2025-10-09 16:26:15454 搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
2025-10-09 15:57:3042391 基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22499 
型柵極驅(qū)動(dòng)器（BTD系列）和配套的電源管理芯片（BTP系列），明確圍繞第三代半導(dǎo)體——碳化硅（SiC）MOSFET驅(qū)動(dòng)的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進(jìn)行構(gòu)建 。這些產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開(kāi)關(guān)速度和高 ?dV/dt等特性帶來(lái)的挑戰(zhàn)。 該公司的策
2025-09-30 17:53:142834 
文章對(duì)比了光隔離探頭與高壓差分探頭，分析其工作原理、性能參數(shù)及適用場(chǎng)景，總結(jié)其技術(shù)差異與替代性。
2025-09-26 17:39:09364 光隔離探頭通過(guò)光電轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)高壓安全測(cè)量，具備高共模抑制、強(qiáng)隔離和低噪聲，革新高壓信號(hào)測(cè)量技術(shù)。
2025-09-24 09:46:39420 光隔離探頭主要依靠光電轉(zhuǎn)換原理工作。如圖1所示，當(dāng)探頭檢測(cè)到線路中的電流或電壓信號(hào)時(shí)，這些電信號(hào)會(huì)通過(guò)電光轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)化為光信號(hào)。
2025-09-23 18:24:01564 
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:351740 
界面可能影響用戶體驗(yàn)； ? 多功能一體設(shè)計(jì)雖全面，但測(cè)試流程和接線配置耗時(shí)，效率有待優(yōu)化。 國(guó)產(chǎn)設(shè)備： ? 模塊化組合設(shè)計(jì)導(dǎo)致體積較大，難以適配自動(dòng)化產(chǎn)線的高效需求； ? 電壓范圍有限，難以滿足第三代半導(dǎo)體器件的測(cè)試要求； ?
2025-09-03 17:49:11618 
光隔離探頭通過(guò)光學(xué)傳輸實(shí)現(xiàn)高隔離、低噪聲，適用于高壓、高頻、強(qiáng)干擾環(huán)境，提升測(cè)量精度與安全性能。
2025-08-22 11:52:33452 光隔離探頭通過(guò)光電隔離實(shí)現(xiàn)電氣隔離，具有高共模抑制、高隔離電壓和抗干擾優(yōu)勢(shì)，性能優(yōu)于傳統(tǒng)探頭。
2025-08-13 11:01:29655 光隔離探頭通過(guò)光電轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)電氣隔離，具備高共模抑制、強(qiáng)安全隔離和良好信號(hào)完整性，適用于高壓高頻環(huán)境下的精準(zhǔn)測(cè)量。
2025-08-11 13:48:02553 光隔離探頭通過(guò)電氣隔離解決高電壓、電磁干擾和接地環(huán)路問(wèn)題，提升測(cè)量安全與精度。
2025-08-05 13:44:31578 在電子測(cè)量與信號(hào)傳輸領(lǐng)域，光隔離探頭作為保障系統(tǒng)安全、穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵組件，其重要性日益凸顯。當(dāng)面對(duì)復(fù)雜的電磁環(huán)境、高電壓或接地環(huán)路干擾時(shí)，光隔離探頭能有效切斷電氣連接，避免信號(hào)失真與設(shè)備損壞。接下來(lái)
2025-08-01 14:01:46622 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
近日，在第五屆全國(guó)新型儲(chǔ)能技術(shù)及工程應(yīng)用大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，廣州智光儲(chǔ)能科技有限公司（簡(jiǎn)稱 “智光儲(chǔ)能”）與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級(jí)聯(lián)型高壓大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個(gè)大容量?jī)?chǔ)能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地，為儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-07-30 16:56:141231 BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14954 
且蜂鳴器提示，工作溫度范圍0℃~40℃，非工作狀態(tài)-30℃~70℃，適應(yīng)多種環(huán)境。
三、實(shí)際應(yīng)用
廣泛應(yīng)用于新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)、光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、第三代半導(dǎo)體測(cè)試、工業(yè)自動(dòng)化（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器
2025-07-07 20:45:43
MOSFET/IGBT 及第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）設(shè)計(jì)。其核心價(jià)值在于解決三大矛盾：
功率密度 vs 驅(qū)動(dòng)能力：在僅 5x5mm LGA 封裝 下實(shí)現(xiàn) 4A 源極/6A 灌電流峰值，支持高達(dá) 33V
2025-07-04 08:45:16
穩(wěn)定、準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果；在第三代半導(dǎo)體器件（如氮化鎵、碳化硅）研發(fā)測(cè)試中，憑借其出色的頻響特性，可精準(zhǔn)捕捉納秒級(jí)快速上升沿與下降沿信號(hào)，有效抑制高頻共模噪聲引發(fā)的震蕩，呈現(xiàn)純凈、無(wú)雜波的信號(hào)波形，為
2025-06-27 18:39:18
此前，6.20~22日，為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會(huì)圓滿落幕，本次大會(huì)集聚優(yōu)勢(shì)資源，聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等熱點(diǎn)領(lǐng)域，聯(lián)合權(quán)威產(chǎn)業(yè)專家、行業(yè)優(yōu)秀公司及政府相關(guān)部門，共繪產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展藍(lán)圖。
2025-06-24 17:59:231317 此前，6月20日至22日，為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會(huì)圓滿落幕。本屆大會(huì)匯聚優(yōu)質(zhì)資源，聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等前沿?zé)狳c(diǎn)領(lǐng)域，攜手權(quán)威產(chǎn)業(yè)專家、行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)及政府相關(guān)部門，共同擘畫產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展新藍(lán)圖。
2025-06-23 17:57:461190 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，消息人士稱，英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片，試圖重新奪回市場(chǎng)份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003667 共同參與。這是繼B2輪后，歐冶半導(dǎo)體本年內(nèi)公布完成的新一輪融資，將進(jìn)一步鞏固公司在智能汽車第三代E/E架構(gòu)SoC芯片及解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2025-06-19 16:09:251080 第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57974 尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53497 
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:592501 
繼X60和X100之后，進(jìn)迭時(shí)空正在基于開(kāi)源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二代高性能核X100相比，X200的單位性能提升75%以上，達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230 
，能夠輕松穿過(guò)TO-220等插片式半導(dǎo)體器件的管腳。典型精度高達(dá)2%，精確測(cè)量高頻大電流信號(hào)。非常適用于第三代半導(dǎo)體雙脈沖動(dòng)態(tài)測(cè)試，監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電流波形等。
2025-06-05 16:18:351194 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書(shū)的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571159 
的困難。特別對(duì)于第三代半導(dǎo)體的測(cè)試,LET-2000D有著較高的系統(tǒng)帶寬和測(cè)試精度,可以有效準(zhǔn)確的測(cè)量出實(shí)際的器件參數(shù)。 硬件優(yōu)勢(shì)>>>■ 采用LECROY
2025-06-05 10:02:46
Silicon Labs（芯科科技）第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì)，該系列產(chǎn)品升級(jí)了三大功能特性：可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能，因而得以全面滿足未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39927 ）和碳化硅（SiC），它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
2025-05-22 15:04:051951 瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴(yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試，確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30490 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:421346 
引言 隨著第三代半導(dǎo)體SiC器件在工業(yè)激光電源中的廣泛應(yīng)用，500kHz以上高頻LLC諧振拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試面臨新的挑戰(zhàn)。本文針對(duì)某80A輸出工業(yè)激光電源系統(tǒng)，詳細(xì)闡述采用高頻電流探頭測(cè)試開(kāi)關(guān)波形、諧振腔
2025-05-20 16:44:35489 
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
，這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲(chǔ)存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽(yáng)極電池的推出，
2025-05-19 03:02:002928 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達(dá)處理器，進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器，性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍，同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:4353633 制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題，匯集了來(lái)自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，麥科
2025-05-09 16:10:01
第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性也帶來(lái)了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn)：開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42683 
作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師，我的日常總繞不開(kāi)碳化硅（SiC）器件的雙脈沖測(cè)試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢(mèng)”每當(dāng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形，讓我誤以為
2025-04-15 14:14:16
關(guān)鍵詞：雙脈沖測(cè)試，上管測(cè)試，下管測(cè)試，電源完整性測(cè)試套件寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件的代表，正在電源處理領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。這類材料憑借其高能量密度、高工作頻率以及耐高溫等天然優(yōu)勢(shì)
2025-04-11 15:00:14797 
在電子測(cè)量領(lǐng)域，差分探頭與光隔離差分探頭作為兩類核心檢測(cè)工具，其技術(shù)原理和適用場(chǎng)景存在本質(zhì)區(qū)別。本文將從技術(shù)原理、性能參數(shù)和典型應(yīng)用三個(gè)維度進(jìn)行對(duì)比分析，為工程技術(shù)人員提供選型參考。
2025-04-10 14:57:131119 新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報(bào)道。 ? ? 日前， 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場(chǎng)及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413665 隨著新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求，金升陽(yáng)推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985 
的數(shù)字電源產(chǎn)品，并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解，加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁和電動(dòng)汽車商業(yè)化布局。 作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分，兆易創(chuàng)新還將與納微半導(dǎo)體攜手共建聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
2025-04-08 18:12:443886 
光隔離探頭在SiC MOSFET測(cè)試中的應(yīng)用不僅解決了單點(diǎn)測(cè)量難題，更通過(guò)高精度數(shù)據(jù)鏈打通了“芯片設(shè)計(jì)-封裝-系統(tǒng)應(yīng)用”全環(huán)節(jié)，成為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵使能技術(shù)。其價(jià)值已超越傳統(tǒng)測(cè)試工具范疇，向
2025-04-08 16:00:57
近日，國(guó)內(nèi)首家智能汽車第三代E/E架構(gòu)AI SoC芯片及解決方案商歐冶半導(dǎo)體宣布，已成功完成數(shù)億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國(guó)投招商、招商致遠(yuǎn)資本及聚合資本共同投資。
2025-03-25 09:48:28854 目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應(yīng)用場(chǎng)景 寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)前景 光隔離探頭的典型測(cè)試案例——上管測(cè)試（high-side
2025-03-19 09:09:161614 
? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡(jiǎn)稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開(kāi)。納微達(dá)斯（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”）憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043895 SO1400是專為?第三代光耦器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，集成1400V高壓測(cè)試與1A大電流驅(qū)動(dòng)能力。本設(shè)備采用軍工級(jí)測(cè)試架構(gòu)，滿足?工業(yè)4.0?標(biāo)準(zhǔn)下對(duì)光耦器件的?在線質(zhì)量檢測(cè)?與?可靠性驗(yàn)證?需求，適用于新能源、智能電網(wǎng)等高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-03-13 12:05:29838 
是德科技（NYSE: KEYS ）開(kāi)發(fā)了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導(dǎo)體等快速開(kāi)關(guān)器件的效率和性能測(cè)試。新的電壓探頭將在 2025 年應(yīng)用電力電子會(huì)議（APEC）上展示，是德科技的展位號(hào)為 829，同時(shí)展示的還有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:531045 在電子測(cè)量領(lǐng)域，光隔離探頭作為一種高性能的測(cè)試工具，因其獨(dú)特的電氣隔離特性和抗干擾能力而備受關(guān)注。品致和麥科信作為知名的電子測(cè)試測(cè)量品牌，各自推出了具有競(jìng)爭(zhēng)力的光隔離探頭產(chǎn)品。 技術(shù)特性對(duì)比 品致
2025-03-07 14:23:21699 
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢(shì)必會(huì)說(shuō)起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開(kāi)馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
2025-03-05 17:34:166275 
近日，威睿電動(dòng)汽車技術(shù)（寧波）有限公司（簡(jiǎn)稱“威睿公司”）2024年度供應(yīng)商伙伴大會(huì)于浙江寧波順利召開(kāi)。納微達(dá)斯（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”）憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果，喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”。
2025-03-04 09:38:23969 SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開(kāi)關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484 
差分探頭與光隔離差分探頭在電子測(cè)量領(lǐng)域都是重要的工具，但它們在工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景以及性能特點(diǎn)上存在顯著的差異。 差分探頭主要用于測(cè)量?jī)蓚€(gè)輸入端之間的電壓差。它通過(guò)內(nèi)部電路將兩個(gè)輸入端的信號(hào)進(jìn)行
2025-02-18 15:17:05733 
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301611 
近日，在深圳舉辦的行家說(shuō)第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可，更是對(duì)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020 光隔離探頭，擁有極高的共模抑制比和隔離電壓，極小的負(fù)載效應(yīng)和寄生振蕩，在其帶寬范圍內(nèi)挖掘信號(hào)真相，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的終極裁判。本探頭使用光纖傳輸信號(hào)，能實(shí)現(xiàn)測(cè)量的光電隔離，允許探頭在
2025-02-13 15:05:53964 2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
近日，中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代，為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061343 在全球科技蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，功率半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心支撐，正以前所未有的速度推動(dòng)著光伏、新能源汽車等領(lǐng)域的變革。隨著中國(guó)在這些優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)力，功率半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了黃金
2025-02-08 09:11:49872 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501642 
隨著半導(dǎo)體、新能源系統(tǒng)、材料特性研究等領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試設(shè)備的需求日益增長(zhǎng)，鼎陽(yáng)科技推出了ODP6000B系列光隔離電壓探頭，以及SAP1000H、DPB6150系列和SDP6150系列高壓差分探頭。
2025-01-17 09:29:371477 
本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中，車用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
光隔離探頭，擁有極高的共模抑制比和隔離電壓，極小的負(fù)載效應(yīng)和寄生振蕩，在其帶寬范圍內(nèi)挖掘信號(hào)真相，是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的終極裁判。本探頭使用光纖傳輸信號(hào)，能實(shí)現(xiàn)測(cè)量的光電隔離，允許探頭在
2025-01-11 15:19:14974 問(wèn)題
測(cè)試現(xiàn)場(chǎng) 下面現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試圖中，展示的是麥科信高分辨率示波器MHO3系列MHO3-5004、光隔離探頭MOIP系列MOIP1000P、高壓差分探頭DP1502以及被測(cè)模塊。
在雙脈沖
2025-01-09 16:58:30
全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。在新能源汽車等應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展的推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)，發(fā)展前景究竟如何？ 隨著全球科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51802 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論