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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Vishay新款I(lǐng)GBT模塊為太陽(yáng)能逆變器和UPS提供集成方案
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):...
2014-10-16 標(biāo)簽:IGBT太陽(yáng)能逆變器 2.5k 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕...
IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品,是未來功率器件的主流發(fā)展方向。
2014-08-05 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)電機(jī)控制IGBT 2.5k 0
IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V節(jié)能溝道IGBT系列
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管...
專有的 Optoplanar 封裝技術(shù)助力高級(jí) 2.5 A 輸出光電耦合器
該光電耦合器可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)驅(qū)動(dòng)功率 IGBT 和 MOSFET ,同時(shí)提高系統(tǒng)效率,絕緣工作電壓額定值 (VIORM) 為 1,414 V,比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高...
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器 可用于高壓應(yīng)用領(lǐng)域
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及...
國(guó)產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段
在中國(guó),為了適應(yīng)大環(huán)境的需求,扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展,國(guó)家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺(tái)了一系列支持性的政策措施,在政府和市場(chǎng)的雙重推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體行業(yè)正...
IR推超高速IGBT 為感應(yīng)加熱和軟開關(guān)應(yīng)用作出優(yōu)化
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝...
英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT
英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件,再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-...
國(guó)家政策支持,中國(guó)功率半導(dǎo)體將迎來黃金發(fā)展期
據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露,有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉,政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...
2014-01-21 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0
2013年度大事記:藍(lán)牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)
4G商用帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈大發(fā)展 網(wǎng)絡(luò)建設(shè)成關(guān)鍵,新能源應(yīng)用加持IGBT市場(chǎng)商機(jī)無限,藍(lán)牙4.0超越過往 三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展,
飛兆半導(dǎo)體的1200V溝槽型場(chǎng)截止IGBT提供更快速的開關(guān)性能和改進(jìn)的可靠性
飛兆半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的高性能電源和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的提供商,其推出一系列1200 V溝槽型場(chǎng)截止IGBT。以硬開關(guān)工業(yè)應(yīng)用為目標(biāo),如太陽(yáng)能逆變器、不間...
2013-12-05 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT 1.5k 0
利用安森美半導(dǎo)體IGBT實(shí)現(xiàn)高能效的高性能開關(guān)應(yīng)用
今天,不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案,以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場(chǎng)上...
2013-11-20 標(biāo)簽:IGBT安森美半導(dǎo)體 1.4k 0
揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來源
IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后,今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美元。
2013-11-11 標(biāo)簽:IGBT馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器 1.7k 2
Amantys加快在中國(guó)的發(fā)展并宣布實(shí)力強(qiáng)勁的分銷網(wǎng)絡(luò)伙伴
2013年10月22日 – 繼今年6月在上海設(shè)立銷售辦事處之后,Amantys又宣布了三家主要分銷和代理合作伙伴,以推廣和銷售其IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品。
Amantys針對(duì)高功率模塊的4500V Amantys Power DriveTM 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)
2013年10月22日 – Amantys今日宣布推出一款針對(duì)高功率模塊的全新絕緣柵雙極晶體管(IGBT)柵極驅(qū)動(dòng)器,其工作電壓為4500V,額定電流從...
2013-10-23 標(biāo)簽:IGBT功率模塊柵極驅(qū)動(dòng)器 2.2k 0
明星企業(yè)齊聚PEC電力電子,共討行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)
由愛戴愛集團(tuán)主辦,《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國(guó)國(guó)際電力電子峰會(huì)暨產(chǎn)品展示會(huì)—蘇州站將于10月25日在蘇州會(huì)議中心隆重開幕。截止日前,英飛凌科...
國(guó)產(chǎn)IGBT前景看好,但突破之路頗曲折
隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展,IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用,成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國(guó)市場(chǎng),軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)...
飛兆半導(dǎo)體的陽(yáng)極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎(jiǎng)
飛兆半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC...
2013-09-18 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT 1.1k 0
中國(guó)首件自主設(shè)計(jì)大功率IGBT芯片通過鑒定
今天上午,在上海制造的大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過專家鑒定,這一中國(guó)首件自主設(shè)計(jì)制造的“中國(guó)芯”不僅邁開了替代進(jìn)口的步伐,還將在軌道交通...
2013-09-13 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT變頻技術(shù) 2.3k 3
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