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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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愛美雅科技引領(lǐng)快充市場:TP44100內(nèi)置GaN MOS芯片的240W快充解決方案
在現(xiàn)代社會(huì)中,移動(dòng)設(shè)備和電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們生活中不可或缺的一部分。然而,隨著電子產(chǎn)品的功能不斷增加,用戶對于快速充電的需求也越來越迫切。作為一家領(lǐng)先的...
在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中,自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破...
電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場效應(yīng)管甚至是雙二極管。
傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動(dòng)化趨勢帶來了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長,但同時(shí)大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。
國產(chǎn)化顯示器接口芯片:Type-C接口臺(tái)式顯示器方案
LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道(不需要另外像其他家方案需通過外圍去切換CC通道) 及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...
從熱失控到效率飛躍——仁懋三款MOS器件重塑儲(chǔ)能電源設(shè)計(jì)
在戶外電源、移動(dòng)儲(chǔ)能箱等便攜式設(shè)備爆發(fā)式增長的背后,工程師們正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn):“高功率密度、低溫升、長壽命”的“不可能三角”。傳統(tǒng)封裝MOS器件受限于結(jié)構(gòu)...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
中低壓MOS管:功率電子領(lǐng)域的“高效開關(guān)”核心
在電力電子系統(tǒng)中,從手機(jī)充電器到工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),從智能家居設(shè)備到新能源汽車低壓輔助系統(tǒng),都離不開一款關(guān)鍵器件——中低壓MOS管。作為電壓等級(jí)在100V及以...
2025-10-20 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 1.7k 0
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊:VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MO...
因?yàn)槟M信號(hào)經(jīng)過施密特觸發(fā)器后只有0/1兩種狀態(tài),因此信號(hào)源輸入在施密特觸發(fā)器前。類似地,當(dāng)GPIO 引腳用于DAC 作為模擬電壓輸出通道時(shí),DAC 的...
主驅(qū)逆變器是電動(dòng)汽車動(dòng)力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件,它從VCU獲取扭矩指令,從高壓電池包獲取電能
2023-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器MOS 1.7k 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
無刷驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)——淺談MOS驅(qū)動(dòng)電路
前言上周末,在調(diào)試無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的時(shí)候總是莫名其妙的炸管,心態(tài)都搞沒了,實(shí)在沒辦法了只好在CSDN和B站大學(xué)重新學(xué)習(xí)了相關(guān)理論知識(shí),以下是筆者學(xué)習(xí)筆記,僅...
2025-05-19 標(biāo)簽:MOS驅(qū)動(dòng)電路無刷電機(jī) 1.6k 0
俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”,對于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測2
開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運(yùn)動(dòng)相互影響,這個(gè)影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。
MOS管的話題雖說是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過,這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到...
選型手冊:VSO011N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO011N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一...
2025-12-31 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 1.6k 0
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