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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
實現(xiàn)牽引逆變器中碳化硅的電動汽車續(xù)航里程擴展承諾
幸運的是,同時發(fā)生的半導體革命產生了新的 寬帶隙器件,例如碳化硅 (SiC) MOSFET 功率開關 有助于縮小消費者對電動汽車續(xù)航里程的期望與原始設備...
LED 照明的設計人員已經(jīng)很快熟悉了各類適用的安全標準,如針對美國通用 LED 燈的 IEC 62560、針對 LED 陣列和模塊的 IEC 62031...
3.3V 直流母線在寬帶網(wǎng)絡系統(tǒng)中廣受歡迎,用于各種較低電壓,為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V,通常需要高負...
2022-12-13 標簽:電源MOSFET開關穩(wěn)壓器 2.3k 0
單片式驅動器和MOSFET技術如何改進電源系統(tǒng)設計
本文介紹最新的驅動器加MOSFET(DrMOS)技術及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)在功率密度、效率和熱性能方面得到...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優(yōu)化和技術創(chuàng)新,包括鍵合...
在 PCT 期間,當 DUT 開啟時,由于電流從漏極流向源極,DUT 溫度會升高(圖 1a)。當 DUT 關閉時,通過從源極到漏極的感測電流測量體二極管...
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
如果電路的電源接反,例如將正極線接到地,負極線接到電路的Vcc??赡軙l(fā)生兩件壞事,要么我們設計的電路連同其中所有昂貴的組件一起被燒毀,要么電源本身被毀...
到20世紀中葉,電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅,提高了生產力、生活質量和安全性;通過高效電機實現(xiàn)的制冷,...
非隔離電源ic U6110是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關,適用于降壓型和升降壓型電路。
MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時,MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET...
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