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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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雪崩耐量是功率器件性能評估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...
按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時(shí)代,隨著電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動(dòng)汽車充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
2021-03-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET整流器 5.8k 0
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說,MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.8k 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與電路布線設(shè)計(jì)
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件,且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器逆變器 5.8k 0
上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn),在這種情形下,常會(huì)因經(jīng)過多次...
引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時(shí)專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的...
2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管TTL電平 5.8k 0
5G射頻PA的Load-line與Load-pull背后的知識
說到射頻PA(Power Amplifier,功率放大器)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用,有兩個(gè)名詞經(jīng)常被大家提及:Load-line與Load-pull。
使用Arduino和N溝道MOSFET制作一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器電路
在這個(gè)項(xiàng)目中,我們將使用Arduino和N溝道MOSFET制作一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器電路,最大電流容量為6安培。我們將把 12v DC 降壓到 0 到 10v ...
2022-12-29 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器Arduino 5.8k 0
20世紀(jì)70年代出現(xiàn)了世界性的能源危機(jī),電力電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)對電能的高效能變換和控制,其發(fā)展為節(jié)約能源做出了巨大貢獻(xiàn)。在電能傳輸與轉(zhuǎn)換(包括綠色電源產(chǎn)品)中...
2020-08-14 標(biāo)簽:集成電路mosfet開關(guān)電源 5.8k 0
什么是同步整流器?開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何?
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電...
主要是關(guān)于MOSFET的基礎(chǔ)知識,但是發(fā)現(xiàn)看datasheet的時(shí)候還是一臉懵,有些參數(shù)好像是未曾相識,所以就有了現(xiàn)在的這個(gè)補(bǔ)充內(nèi)容,話不多說正式開始。
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)...
2022-11-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源濾波電路 5.8k 0
智能配電盒一般會(huì)將E-fuse和繼電器組合的電氣盒與車身控制器(BCM)集成在一個(gè)總的控制單元上,這樣能夠大大減少傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中BCM和配電盒之間大量的導(dǎo)線...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET控制器車身控制系統(tǒng) 5.8k 0
探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路,評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
ZETA升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個(gè)反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個(gè)ZETA轉(zhuǎn)換器具有一個(gè)單個(gè)MOSFET (S1) 和一個(gè)單個(gè)二極管D1 (S2),ZETA轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-08 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 5.7k 0
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