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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電子產(chǎn)品設(shè)計日益輕薄,使得電源模塊亦須提升切換頻率以縮小體積。藉由傅里葉級數(shù)頻域分析,研發(fā)人員將可掌握切換式降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊輸出端漣波變化量,從而搭配...
散熱器的選擇與設(shè)備應(yīng)用的規(guī)格分析
散熱片很重要!電路設(shè)計的一個重要方面是,它們提供了一種有效的熱量輸送路徑,可以將電子設(shè)備(例如BJT,MOSFET和線性穩(wěn)壓器)轉(zhuǎn)移到環(huán)境空氣中。
柵極驅(qū)動器和功率 MOSFET 的放置對于前置驅(qū)動器電機(jī)驅(qū)動解決方案的正確運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。對于具有集成 MOSFET 的電機(jī)驅(qū)動器,例如 DRV...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動布線 5.9k 0
隨著汽車電子系統(tǒng)中電流水平的持續(xù)增加,由于存在高功耗和散熱問題,設(shè)計師因而不再能使用傳統(tǒng)的隔離肖特基二極管。LT8672 是一款具反向電流保護(hù)功能的有源...
丙類放大器通過在不同的輸入信號振幅下在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,從而實現(xiàn)信號的高效放大。
使用功率MOSFET的強(qiáng)大30A直流電機(jī)驅(qū)動器
在本文中,我們將討論如何構(gòu)建功能強(qiáng)大的直流電機(jī)驅(qū)動器,該驅(qū)動器可以使用 Arduino 或 Raspberry Pi 等微控制器,甚至是獨(dú)立的 PWM ...
IGBT的結(jié)構(gòu)簡述 IGBT驅(qū)動電路的作用及基本特點
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和重點參數(shù)介紹及應(yīng)用前景如何?
最近,國內(nèi)對MOSFET的需求大漲,導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨,很多廠商有錢買不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端...
2018-09-15 標(biāo)簽:CMOSMOSFET物聯(lián)網(wǎng) 5.9k 0
電流模式PWM控制驅(qū)動U6201電源開關(guān)芯片介紹
隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快,人們越來越重視身心健康。工作一天之后,而用按摩椅進(jìn)行保健,令你血液循環(huán)通暢,改善腰酸背痛及預(yù)防病癥,還能提...
2020-08-19 標(biāo)簽:開關(guān)MOSFET開關(guān)電源 5.9k 0
對于H6橋拓?fù)涞膯蜗嗄孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET功率開關(guān)管呢?
對于這個問題其實市場上在應(yīng)用中已經(jīng)有比較好的答案,目前在H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤髦薪?jīng)常會用到FGH60N60SMD的IGBT單管。
2023-04-11 標(biāo)簽:MOSFET逆變器快恢復(fù)二極管 5.9k 0
開關(guān)電源的基礎(chǔ)知識 單端反激式開關(guān)電源原理解析
最近在某寶買了一個AC-DC 開關(guān)電源,向他要一個原理圖,想著哪里壞了可以自己修一修,結(jié)果說沒有。這我怎么能忍??于是自己就結(jié)合網(wǎng)上資料和板子的絲印畫出...
2023-07-26 標(biāo)簽:原理圖MOSFET開關(guān)電源 5.9k 0
MOSFET箝位電路的工作原理及應(yīng)用設(shè)計
輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個控制器就能提供多路輸出跟蹤,因此受到設(shè)計師們的青睞,且已成為元件...
MOSFET,全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是...
在H橋電路中,高邊和低邊的概念描述了開關(guān)器件相對于負(fù)載或地的連接方式。這兩個術(shù)語通常用于描述開關(guān)器件(如晶體管、MOSFET等)在電路中的位置以及它們?nèi)?..
高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片,表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)...
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...
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