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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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東芝推出了兩款面向車載電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型MOSFET
新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu),安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行...
2019-12-26 標(biāo)簽:MOSFET東芝車載系統(tǒng) 3.7k 0
該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計(jì)劃于今天開始。
2019-12-25 標(biāo)簽:MOSFET東芝DC-DC轉(zhuǎn)換器 1.6k 0
Vishay推業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)60V共漏極器件,適于24V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān)
Vishay推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
智能IC產(chǎn)品在體育行業(yè)發(fā)展前景及發(fā)展機(jī)遇分析
體育行業(yè)發(fā)展前景及發(fā)展機(jī)遇分析 體育行業(yè) 體育行業(yè)發(fā)展前景,體育產(chǎn)業(yè)是指為社會(huì)提供體育產(chǎn)品的同一類經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的集合以及同類經(jīng)濟(jì)部門的綜合。 體育產(chǎn)業(yè)作為國...
2020-03-17 標(biāo)簽:MOSFET移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)網(wǎng)+ 1.5k 0
茂捷M6362A替換昂寶OB2362A,茂捷M5579A/B替換昂寶OB2269
M6362A 是一款高度集成的電流模式PWM 控制芯片,主要用于高性能、低待機(jī)功耗和低成本的離線反激式電源適配器中。 在滿載時(shí),IC 在固定頻率(65K...
首家國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司量產(chǎn)12英寸MOSFET
深圳市銳駿半導(dǎo)體(www.ruichips.com)在深圳市南山區(qū)科興科學(xué)園會(huì)議中心召開了他們12英寸MOSFET成功投產(chǎn)的發(fā)布會(huì),2019年12英寸新...
2019-10-10 標(biāo)簽:MOSFET銳駿半導(dǎo)體 2.3k 0
ROHM開發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200...
NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的特性與應(yīng)用分析
安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻...
2019-10-03 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器安森美半導(dǎo)體 4k 0
Wolfspeed推出適用于電動(dòng)車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊
日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產(chǎn)品可最大限度地提高功率密度,同時(shí)最大限度地降低環(huán)路電感...
羅姆汽車級(jí)超緊湊MOSFET,采用“可濕性面板成型技術(shù)”
肖特基勢壘二極管(SBD)常用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)相機(jī)模塊的反向連接保護(hù)電路中。
Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路
器件專門用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)電路,柵極電荷低至22.5 nC,QOSS為34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-08-12 標(biāo)簽:MOSFETVishay柵極驅(qū)動(dòng)電路 3.1k 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路優(yōu)化關(guān)鍵要點(diǎn)
本文將對電源IC BD7682FJ的外置MOSFET的開關(guān)調(diào)整部件和調(diào)整方法進(jìn)行介紹。
行業(yè) | 用于工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)
CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)板,其額定溫度為125°C(Ta),它還針對采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
三駕馬車驅(qū)動(dòng),功率半導(dǎo)體前景如何?英飛凌陳清源這么說
7月23日,2019英飛凌電源管理研討會(huì)在深圳盛大開幕,英飛凌電源管理與多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)市場經(jīng)理陳清源就全球半導(dǎo)市場和功率半導(dǎo)體的市場應(yīng)用熱...
2019-07-25 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率半導(dǎo)體 10k 0
ROHM開發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車載用超小型MOSFET
RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品(樣品價(jià)格 100日元/個(gè),不含稅),預(yù)計(jì)于2019年9月開始暫以月產(chǎn)10萬個(gè)規(guī)模投入量產(chǎn)。
Maxim發(fā)布新型LED驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)置MOSFET,效率高達(dá)90%
MAX25610A/B內(nèi)置MOSFET,效率高達(dá)90%并符合CISPR 25 EMI要求
儒卓力發(fā)布英飛凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能數(shù)據(jù)和功率密度
由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性價(jià)比降低損耗。此外,通管殼(Junction to Case (RthJ...
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