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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在相同650V耐壓下,超結MOS的導通電阻(85mΩ)僅為傳統(tǒng)器件(200mΩ)的約42%,開關頻率上限提升至100kHz(傳統(tǒng)為50kHz)。超結MO...
派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品
近日,派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導通電阻RDS...
安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)宣布擴大與領先的驅(qū)動技術公司舍弗勒(Schaeffler)合作,雙方在一項新的設計中標項目中采用安森美...
英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業(yè)應用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了...
派恩杰3300V MOSFET晶圓,專為高耐壓場景設計的第三代半導體功率器件核心材料,基于4H-SiC晶圓,擊穿電壓達3300V以上,相比于傳統(tǒng)硅基器件...
在第三代半導體加速滲透的浪潮中,聞泰科技半導體業(yè)務堅持研發(fā)創(chuàng)新,推出行業(yè)領先的SiC Trench MOS,不僅彰顯了技術突破的實力,更成為企業(yè)價值增長...
數(shù)明半導體推出用于開關穩(wěn)壓器的低邊MOSFET控制器
在工業(yè)自動化加速推進、汽車產(chǎn)業(yè)電動化與智能化浪潮洶涌的當下,電源管理作為電子設備穩(wěn)定運行的基石,其重要性愈發(fā)凸顯。
2025-07-30 標簽:MOSFET控制器開關穩(wěn)壓器 902 0
近日,陜西省質(zhì)量促進會執(zhí)行會長王會長一行蒞臨龍騰半導體參觀指導。公司董事長徐西昌及相關負責人熱情接待,圍繞質(zhì)量管理、行業(yè)標準、產(chǎn)學研融合等核心議題,深度...
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術,在抗寄生...
近日,合科泰電子的兩家授權代理商 深圳市順慶電子商行 和 深圳市國晶微電子科技有限公司 盛大開業(yè),雙店同日舉辦了開業(yè)慶典,共同開啟了合科泰戰(zhàn)略發(fā)展的新篇章!
合科泰MOSFET在農(nóng)業(yè)自動噴灑系統(tǒng)中的應用
想象一下,在清晨的農(nóng)田里,智能噴灌機正根據(jù)土壤濕度傳感器的數(shù)據(jù)精準調(diào)整水流,農(nóng)藥噴霧器沿著預設路線均勻播撒的場景,這背后藏我們至關重要場效應管MOSFE...
隨著全球能源結構轉型加速,新能源汽車、人形機器人等產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長,功率半導體市場需求呈指數(shù)級攀升。 中國作為全球最大的功率半導體市場,發(fā)展前景十分廣闊。...
近日,安世半導體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應用,深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流...
士蘭微榮獲2025中國創(chuàng)新IC創(chuàng)新突破獎
此前,2025年7月11日-12日,“第五屆中國集成電路設計創(chuàng)新大會”(ICDIA 創(chuàng)芯展)在蘇州成功召開。大會期間,由中國集成電路設計創(chuàng)新聯(lián)盟組織開展...
近日,第七屆中國卓越管理公司(BMC)榜單公布,聞泰科技憑借出色表現(xiàn)再次登榜,連續(xù)四年斬獲這一企業(yè)管理領域權威認證,彰顯其卓越管理水平持續(xù)領跑行業(yè)。
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用
近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與...
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