3300V MOSFET晶圓

派恩杰3300V MOSFET晶圓，專為高耐壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件核心材料，基于4H-SiC晶圓，擊穿電壓達(dá)3300V以上，相比于傳統(tǒng)硅基器件(如IGBT)，它在高壓、高溫、高頻場(chǎng)景下性能優(yōu)勢(shì)顯著，在新能源汽車的 1000V 高壓快充平臺(tái)，它助力實(shí)現(xiàn)快速充電，讓出行更便捷；在軌道交通、智能電網(wǎng)等工業(yè)高端領(lǐng)域頗受青睞。

材料與結(jié)構(gòu)特性

01材料特性

高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(硅的10倍)：支持超薄外延層實(shí)現(xiàn)高耐壓，降低導(dǎo)通電阻。

寬禁帶寬度(3.26eV)：允許工作溫度高達(dá)175℃–200℃，熱導(dǎo)率是硅的3倍，散熱效率提升。

電子飽和速率高：開關(guān)頻率可達(dá)100kHz以上，顯著降低開關(guān)損耗。

02器件設(shè)計(jì)創(chuàng)新

外延層優(yōu)化：通過合適的濃度和厚度，平衡耐壓與導(dǎo)通電阻達(dá)到最優(yōu)解。

柵極結(jié)構(gòu)：優(yōu)化柵氧結(jié)構(gòu)參數(shù)和工藝條件，實(shí)現(xiàn)高柵氧可靠性。

開爾文源極：開爾文連接設(shè)計(jì)減少寄生電感，提升開關(guān)速度。

終端保護(hù)技術(shù)：優(yōu)化結(jié)終端場(chǎng)限環(huán)的寬度和距離等參數(shù)，使電場(chǎng)分布均勻，實(shí)現(xiàn)高壓和高可靠性。

應(yīng)用場(chǎng)景

01軌道交通

牽引變流器、輔助電源(APU)：3300V耐壓直接匹配機(jī)車電網(wǎng)電壓，減少變壓器層級(jí);SiC模塊使系統(tǒng)體積縮小，損耗降低。

02工業(yè)電力系統(tǒng)

光伏逆變器：支持1500V直流母線，轉(zhuǎn)換效率提升。

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)：高頻開關(guān)減少電機(jī)諧波損耗，提升壽命。

03特種電源與國(guó)防

脈沖電源、離子束發(fā)生器：利用高開關(guān)速度實(shí)現(xiàn)微秒級(jí)響應(yīng)。

軍用車輛、智能電網(wǎng)：適應(yīng)高溫、高輻射環(huán)境。

04能源基礎(chǔ)設(shè)施

高壓DC/DC變換器、固態(tài)變壓器(SST)：功率密度提升，取消額外散熱組件。 碳化硅3300V MOSFET晶圓通過材料與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，解決了高壓、高溫、高頻應(yīng)用的系統(tǒng)瓶頸，成為軌道交通、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域升級(jí)的關(guān)鍵。國(guó)產(chǎn)化量產(chǎn)顯著降低成本，推動(dòng)高性能功率器件的自主可控。未來隨著芯片工藝優(yōu)化，其導(dǎo)通電阻和性價(jià)比將進(jìn)一步突破，拓展至6500V等高附加值市場(chǎng)。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

派恩杰半導(dǎo)體

用“中國(guó)芯”加速可持續(xù)能源

讓每一瓦電都能發(fā)揮最大價(jià)值!