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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

Omron Electronic Components提供超過148種不同的MOSFET繼電器型號(hào)

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OMRON 的 MOSFET 繼電器在固態(tài)繼電器技術(shù)方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位,利用輸入 LED、用作光電耦合器的光電二極管圓頂陣列 (PDA) 和負(fù)載開關(guān)電...

2022-08-22 標(biāo)簽:繼電器MOSFET 548 0

什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)?

數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...

2022-08-20 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5.9k 0

什么是OptiMOS MOSFET?

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體...

2022-08-19 標(biāo)簽:英飛凌轉(zhuǎn)換器MOSFET 6.3k 0

MOSFET特性、種類與制造過程

半導(dǎo)體逆全球化發(fā)展趨勢(shì)明顯,成熟制程芯片國(guó)產(chǎn)替代迎來難得的窗口期。又逢能源改革和國(guó)產(chǎn)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的歷史機(jī)遇,以MOSFET為代表的功率器件將率先...

2022-08-19 標(biāo)簽:芯片MOSFET功率器件 2.8k 0

手機(jī)充電器芯片U6773V的特性介紹

高耗電應(yīng)用與高頻使用這兩大特性,幾乎注定手游、短視頻等移動(dòng)娛樂天生自帶電量焦慮。面對(duì)這種普遍性“電量焦慮”情況,除了購(gòu)買電量大、續(xù)航長(zhǎng)的手機(jī)外,選擇一款...

2022-08-19 標(biāo)簽:芯片MOSFET開關(guān)電源 1.5k 0

KIA超高壓MOSFET-KNX41100A產(chǎn)品資料

放眼半導(dǎo)體市場(chǎng),現(xiàn)階段1000-1500V超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,且存在價(jià)格高,交付周期長(zhǎng)等弊端。對(duì)此可易亞半導(dǎo)體(KIA)針對(duì)1000V...

2022-08-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體MOS管 2.1k 0

一文搞懂MOSFET

功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌。

2022-08-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 6.3k 0

SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

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BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...

2022-08-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC 2.2k 0

MOSFET重要參數(shù)及等級(jí)1-3

MOSFET各參數(shù)解釋和影響

2022-08-12 標(biāo)簽:MOSFET測(cè)試儀 7.4k 0

為什么MOSFET是自動(dòng)平衡超級(jí)電容器泄漏的最佳選擇

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設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)現(xiàn)在正在將超級(jí)電容器用于能量收集、辦公自動(dòng)化、備份系統(tǒng)等領(lǐng)域的一系列新產(chǎn)品。這些超級(jí)電容器電池提供高效的存儲(chǔ),可以根據(jù)需要快速釋放能量。為確保最...

2022-08-10 標(biāo)簽:電容器超級(jí)電容器MOSFET 1.8k 0

分立半導(dǎo)體跟上汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)領(lǐng)域的嚴(yán)格要求

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這里有八個(gè)分立元件,可滿足當(dāng)今許多快速發(fā)展的應(yīng)用程序中常見的更苛刻的需求

2022-08-16 標(biāo)簽:MOSFET物聯(lián)網(wǎng)分立半導(dǎo)體 631 0

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

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以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。

2022-08-17 標(biāo)簽:MOSFET電力SiC 2.8k 0

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組件制造商不斷升級(jí)他們的設(shè)計(jì)工具,讓工程師更容易為他們的設(shè)計(jì)選擇合適的器件。

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LEM憑借 LZSR 系列傳感器擴(kuò)大了其市場(chǎng),這是一個(gè)可以安裝在印刷電路板上的新系列,用于對(duì)直流、交流和脈沖電流進(jìn)行非侵入式隔離測(cè)量,額定電流為 100...

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化硅器件可以在更高的溫度下運(yùn)行,并且可以采用降低的熱設(shè)計(jì)進(jìn)行設(shè)計(jì)。因此,它們?yōu)槠囶I(lǐng)域提供了理想的解決方案。使用 SiC 帶來的其他好處如下: 功率損耗...

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在大功率工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,需要高效率和承受甚至非常大電流的能力。MOSFET功率晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Ef...

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隔離設(shè)備是一種集成電路,允許在高低壓?jiǎn)卧g傳輸數(shù)據(jù)和能量,防止來自網(wǎng)絡(luò)的危險(xiǎn)或不受控制的瞬態(tài)電流的存在。目標(biāo)是通過提高電源效率和增加功率傳輸速率(也稱...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng)器 3.2k 0

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電力電子行業(yè)在 80 年代初期向前邁出了一大步,當(dāng)時(shí)絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)的引入使創(chuàng)新型電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)成為可能,從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 1.5k 0

CoolSiC MOSFET技術(shù)在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用

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碳化硅 (SiC)晶體管越來越多地用于功率轉(zhuǎn)換器,對(duì)尺寸、重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極 IGBT 器件相比,碳化硅出色的材料特性支持設(shè)計(jì)快速開...

2022-08-09 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1.5k 0

選擇用于運(yùn)動(dòng)控制的 Mosfet 驅(qū)動(dòng)程序

選擇用于運(yùn)動(dòng)控制的 Mosfet 驅(qū)動(dòng)程序

工程師通常使用柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器”IC 以及 N 溝道功率 MOSFET 來提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的高電流。重要的是要考慮與選擇驅(qū)動(dòng)器 IC、MOSFET...

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)動(dòng)控制驅(qū)動(dòng)程序 750 0

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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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